nandecc演算法

❶ NAND的基本操作

每一個頁均包含一個2048位元組的數據區和64位元組的空閑區，總共包含2,112位元組。空閑區通常被用於ECC、耗損均衡(wear leveling)和其它軟體開銷功能，盡管它在物理上與其它頁並沒有區別。NAND器件具有8或16位介面。通過8或16位寬的雙向數據匯流排，主數據被連接到NAND存儲器。在16位模式，指令和地址僅僅利用低8位，而高8位僅僅在數據傳輸周期使用。
擦除區塊所需時間約為2ms。一旦數據被載入寄存器，對一個頁的編程大約要300μs。讀一個頁面需要大約25μs，其中涉及到存儲陣列訪問頁，並將頁載入16,896位寄存器中。
介面由6個主要控制信號構成
除了I/O匯流排，NAND介面由6個主要控制信號構成：
1.晶元啟動(Chip Enable, CE#)：如果沒有檢測到CE信號，那麼，NAND器件就保持待機模式，不對任何控制信號作出響應。
2.寫使能(Write Enable, WE#): WE#負責將數據、地址或指令寫入NAND之中。
3.讀使能(Read Enable, RE#): RE#允許輸出數據緩沖器。
4.指令鎖存使能(Command Latch Enable, CLE): 當CLE為高時，在WE#信號的上升沿，指令被鎖存到NAND指令寄存器中。
5.地址鎖存使能(Address Latch Enable, ALE)：當ALE為高時，在WE#信號的上升沿，地址被鎖存到NAND地址寄存器中。
6.就緒/忙(Ready/Busy, R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信號將變低。該信號是漏極開路，需要採用上拉電阻。
數據每次進/出NAND寄存器都是通過16位或8位介面。當進行編程操作的時候，待編程的數據進入數據寄存器，處於在WE#信號的上升沿。在寄存器內隨機存取或移動數據，要採用專用指令以便於隨機存取。
數據寄存器輸出數據的方式
數據寄存器輸出數據的方式與利用RE#信號的方式類似，負責輸出現有的數據，並增加到下一個地址。WE#和RE#時鍾運行速度極快，達到30ns的水準。當RE#或CE#不為低的時候，輸出緩沖器將為三態。這種CE#和RE#的組合使能輸出緩沖器，容許NAND快閃記憶體與NOR、SRAM或DRAM等其它類型存儲器共享數據匯流排。該功能有時被稱為「無需介意晶元啟動(chip enable don't care)」。這種方案的初衷是適應較老的NAND器件，它們要求CE#在整個周期為低(譯註：根據上下文改寫)。
輸入寄存器接收到頁編程(80h)指令時，內部就會全部重置為1s，使得用戶可以只輸入他想以0位編程的數據位元組
帶有隨機數據輸入的編程指令。該指令只需要後面跟隨著數據的2個位元組的地址
指令周期
所有NAND操作開始時，都提供一個指令周期
當輸出一串WE#時鍾時，通過在I/O位7：0上設置指令、驅動CE#變低且CLE變高，就可以實現一個指令周期。注意：在WE#信號的上升沿上，指令、地址或數據被鎖存到NAND器件之中。如表1所示，大多數指令在第二個指令周期之後要佔用若乾地址周期。注意：復位或讀狀態指令例外，如果器件忙，就不應該發送新的指令。
注意：因為最後一列的位置是2112，該最後位置的地址就是08h(在第二位元組中)和3Fh(在第一位元組中)。PA5:0指定區塊內的頁地址，BA16:6指定區塊的地址。雖然大多編程和讀操作需要完整的5位元組地址，在頁內隨機存取數據的操作僅僅用到第一和第二位元組。塊擦除操作僅僅需要三個最高位元組(第三、第四和第五位元組)來選擇區塊。
總體而言，NAND的基本操作包括：復位(Reset, FFh)操作、讀ID(Read ID, 00h)操作、讀狀態(Read Status, 70h)操作、編程(Program)操作、隨機數據輸入(Random data input, 85h)操作和讀(Read)操作等。

❷ NandFlash中的ECC校驗的作用是先向NandFlash中寫數據再讀出來比較二者的ECC值，還是怎麼應用

ECC確實是寫入 spare area， ECC的值是根據寫入的數據計算出來的。讀出數據以後用數據計算ECC值然後與從spare area讀出的ECC值進行比較，如果不對則說明數據有問題。然後根據你具體使用多少位的ECC來判斷錯誤了多少位，如果在ECC的糾錯范圍內數據是可以恢復出來的，超出了ECC的糾錯范圍則數據只能是unrecoverble 了

❸ 要用什麼型號的編程器刷FLASH

1. 高集成的 NAND Flash 管理平台 前面已經向大家剖析了 NAND Flahs 的編程結構，對 NAND Flash 編程是業界公認的難 題，操作 NandFlash 過程中會隨機出現壞塊，這是每個嵌入式系統的致命隱患。隨著移動技 術的發展， 很多數據終端等產品的功能不斷增加， 必須要進行平台化、 系統化的整合。 靈活、 寬泛的 Android、Linux、WinCE 系統是平台的首選。 系統的調試、引導程序的裝載、文件系統的啟動，如果每個文件都需要工程師通過電腦 操作，並衍生到生產端，整個研發、生產流程將異常繁瑣，無疑會導致下載速度慢、效率低。 下面介紹用 SmartPRO 6000F 通過 5 個步驟來完成對 NAND Flash 的「一鍵」編程 1.1 SmartPRO 6000F 編程 NAND Flash 的步驟： 1.1.1 第一步：調入需要編程的文件； 通過 SmartPRO III 軟體，選擇需要編程的晶元後，在「操作選擇」中調入文件。如下圖： 圖 1 調入需要編程的文件 1.1.2 第二步：填寫文件地址 注意，如果文件是否自帶備用區（OOB）數據，直接填地址即可。 產品應用筆記 ?2014Guangzhou ZHIYUAN Electronics Stock CO., LTD. 1 廣州致遠電子股份有限公司 編程器應用文檔 NAND Flash 編程解析 圖 2 填寫文件地址 1.1.3 第三步：選擇 ECC 演算法 如果文件沒有備用區數據，請指明 ECC 演算法，目前 SmartPRO III 軟體支持 10 多種 主流的 ECC。 產品應用筆記 ?2014Guangzhou ZHIYUAN Electronics Stock CO., LTD. 2 廣州致遠電子股份有限公司 編程器應用文檔 NAND Flash 編程解析 圖 3 選擇 ECC 演算法 1.1.4 第四步：設置壞塊管理策略 壞塊管理涉及到 NAND Flash 的燒錄良率，SmartPRO III 軟體完全按照各半導體公 司的標准標注壞塊的方法對 NAND Flash 壞塊進行標注，絕對不會誤操作。 產品應用筆記 ?2014Guangzhou ZHIYUAN Electronics Stock CO., LTD. 3 廣州致遠電子股份有限公司 編程器應用文檔 NAND Flash 編程解析 圖 4 設置壞塊管理策略 1.1.5 第五步：保存工程 點擊 「保存工程」 ， 1 分鍾後可以得到您設置 NAND Flash 的所有管理項的批處理文 件了。 圖 5 保存工程 1.1.6 第六步：一鍵量產 以後每次燒錄 NAND Flash 的時候，調入保存好的工程文件，一鍵量產！ 圖 6 一鍵量產 產品應用筆記 ?2014Guangzhou ZHIYUAN Electronics Stock CO., LTD. 4 廣州致遠電子股份有限公司 編程器應用文檔 NAND Flash 編程解析 2. NAND Flash 編程小結 雖然 NAND Flash 有這些特殊的地方，但隨著人們對「大數據」的追求，應用將越 來越廣，高效、穩定的編程工具將能大幅提高由研發到生產的導入效率，為產品市場化 提供有效保障。