1. APEX BANK是哪的銀行
APEC商物卡,海關特別通道使用。不知道你說的那個是不是這個。
2. kendo工具是哪裡的
美國APEX工具集團旗下。
美國APEX是一家大型的在線交易商,專業從事金融衍生品投資管理的公司,我們不斷向客戶提供尖端的技術、低廉的交易成本、全面的市場行情分析、高階的客戶培訓和一流的客戶服務。
公司文化APEX作為一家大型的METATRADER 4平台交易商,在提供先進快捷的實時互聯網交易的同時也提供最優質和最保險的雙向價格交易服務,保證您在外匯市場中交易的高度准確性和資金安全性。
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還為初入市的投資者內鑲了多樣的技術分析指標;Mt4完整的技術分析工具和完善的歷史報價數據也為投資者提供了極大的便利。
APEX:
全球策略2010年正式啟動,APEX計劃用10年時間在全球100個國家和地區設立代表處,為全球投資者提供最專業和最貼心的服務,APEX現已有APEX (USA),APEX(AU), APEX(CA), APEX(KY), APEX(UK), APEX(HK), APEX(IN),等20多家代表處。
3. 3060顯卡玩Apex為什麼只有20幀
如果3060這款顯卡玩Apex幀數只有20幀的話,那麼多半原因是你的顯卡驅動沒有安裝好導致的,因為3060是一款高性能顯卡,可以暢玩市面上所有大型游戲。
正確安裝顯卡方法如下:1、一般沒有顯卡驅動的電腦,開機後電腦屏幕會有「視頻控制器(VGA兼容)」更新提示。如果放任更新提示不管,會大大降低電腦的使用質量。這個時候如果選擇進行軟體安裝顯卡驅動,可以選先去網上看看好的軟體顯卡。
2、首先需要打開設備管理器,確定一下顯卡驅動的安裝。進入我的電腦,選擇屬性,設備管理器。在設備管理器里你會看到一個黃色的號,出現了這個黃色的號就表明顯卡驅動沒有安裝。顯卡驅動是否安裝都是通過這里來查看,後期修整也可以通過這個步驟查看。
3、接著,你需要運用到一些軟體來安裝顯卡驅動。
4、安裝完成之後,打開驅動軟體,查看各項配置指標是夠正常。然後確定電腦是否聯網,如果聯網的話驅動大師就會進行自動檢測,檢測顯卡驅動是否安裝成功。安裝過程中會提示有哪些顯卡驅動沒有裝,這個時候就需要手動點擊進行安裝。
5、所以安裝程序結束之後,重啟電腦。
6、電腦重啟完之後,在根據上面提到的步驟看有沒有黃色的號,如果沒有那就是安裝成功了。
4. 那位好心人有四川長虹的應收賬款的分析
我們上課時講了的,關鍵是趙勇上來了。而且我們小組覺得他們這樣做(預提大量壞賬准備)是合理的
從2004年趙勇執掌長虹開始,長虹的調整一直備受業界關注。昨日四川長虹(600839)又公布了一項大手筆的運作,其擬與大股東長虹集團進行總額為15.77億元人民幣的資產置換。
昨日,四川長虹的股價受資產置換影響不大,經過小幅震盪後,收於4.09元,微跌0.97%.
資產置換「一箭雙雕」
據了解,四川長虹已於11月30日與大股東長虹集團簽署了《資產置換協議書》,四川長虹置出資產為4億元人民幣的對美國Apex公司債權和11.77億元的存貨,置入資產為長虹集團(含長虹廠)所擁有的作價13.78億元長虹商標無形資產和1.9億元的土地使用權,資產置換的差額部分437.08萬元由長虹集團以現金補齊。
四川長虹此次資產置換可謂「一箭雙雕」,不僅獲得了完整的「長虹」商標所有權,而且將美國Apex公司4億元的應收賬款也甩給了大股東長虹集團。四川長虹新聞發言人何克思表示,資產置換完成後,四川長虹將會減少與大股東長虹集團之間潛在的關聯交易,可以進一步規范公司的經營行為。此外,「長虹」商標使用權與所有權長期分離的問題解決後,可以確保長虹經營的獨立性和資產的完整性,也將促進上市公司靈活實施品牌戰略,提升品牌溢價能力。
西南證券分析師李明認為,長虹目前過於廣泛的產品線使得長虹難以控制經營成本,公司幾乎所有的新業務都面臨競爭加劇的局面。此次資產置換,也是為了理清長虹的發展脈絡,提升長虹的資產價值。
APEX商標仍屬四川長虹
長虹新聞發言人何克思告訴記者,此次資產置換,最重要的是徹底解決了Apex應收賬款的歷史遺留問題。根據綿國資委[2006]26號文批復,大股東長虹集團已對APEX後續可能形成的損失進行了保底承諾。
據悉,在2001年到2004年連續三年當中,長虹通過與Apex公司的合作,創造了巨額彩電出口的業績。但巨額海外欠款也讓長虹頭疼不已。
長虹內部人士透露,根據長虹與Apex公司的協議,Apex方面已將「APEX」、「APEXDigital」商標和「APEX」標識圖案轉讓給長虹,並在美國專利商標局登記。此次資產置換,也只是把對Apex的債權給大股東,「APEX」、「APEXDigital」商標的所有權還在上市公司手中。
長虹此次除了保留下「APEX」、「APEXDigital」的商標外,最重要的是順利拿到「長虹」商標。對此,四川長虹新聞發言人何克思表示,這樣避免了上市公司向長虹集團繳納商標使用費,減輕了上市公司後續經營壓力。
但根據2007年即將實施的新會計准則規定,四川長虹無需對長虹商標無形資產進行年度攤銷,這對四川長虹的利潤指標不會產生負面的壓力。
有利於吸引戰略投資者
四川長虹新聞發言人何克思昨日表示,公司組織架構的調整已完成,與以前的架構相比,幾大SBU(戰略事業單元)最大的變化就是經營權的下放。現在無論是多媒體公司還是白電、零件等部門,都將具備獨立的決策權力,但也將完全承擔公司經營的風險。集團將從以前的經營管理向戰略管控轉變。另外,各個SBU也將實行全新的運作模式———模擬子公司制。
據悉,四川長虹目前已完成了自趙勇上台以來最大的組織架構調整。長虹現在已經將所有的業務實行子公司運作模式,一共為51個子公司。長虹內部目前形成了多媒體、白電、零件和海外四大SBU(戰略事業單元),經營管理、戰略服務等則被整合進入一個統一的平台部門。在四大SBU之外,還有六大總經理直管的六大公司。
據長虹內部人士透露,今年10月下旬,公司就已經完成了SBU組織架構的建立。目前,公司已進入多元化的發展階段,組織結構布局的調整是為了讓責、權、利更清晰化,從而便於公司的管理,進一步壓縮管理成本,進一步完善公司治理結構。
西南證券分析師李明認為,四川長虹組織結構布局調整後,再加上此次資產置換,長虹的資產質量得到了很大的提升,很可能繼續成為戰略投資者的重點關注對象。(趙俠)
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「長虹」為何作價13.78億元
此次資產置換中,長虹集團將其所持有長虹商標評估價值的57.5%以13.78億元的價格轉讓給四川長虹。置換完成後,四川長虹擁有全部的「長虹」商標及其無形資產的所有權。
四川長虹新聞發言人何克思表示,這次資產置換徹底解決了長虹商標使用權與所有權長期分離的問題,確保了上市公司經營的獨立性和資產的完整性。
關於此次「長虹」商標由長虹集團向四川長虹的資產置換原因,四川長虹方面表示,長期以來四川長虹雖是長虹商標最主要的使用者和推廣者,但卻不擁有長虹商標所有權。今年4月,隨著四川長虹股權分置改革完成,國資委已要求長虹集團按照相關規定向四川長虹收取商標使用費,為了減少以後公司商標使用費的長期支出以及與長虹集團之間潛在的關聯交易、進一步規范公司經營行為,因此決定將長虹商標置入到上市公司。
此次資產置換中,商標置換包括長虹集團(含長虹廠)持有的長虹商標,其中包括長虹集團國內注冊商標227件,國外注冊商標24件;長虹廠國內注冊商標40件,國外注冊商標251件,總計注冊的長虹商標542件。截止於評估基準日2006年9月30日,長虹商標的評估價值為23.97億元,其中長虹集團擁有長虹商標評估價值24億元的57.5%,即13.78億元;長虹股份擁有長虹商標評估價值的42.5%,即10.1億元,此次商標置換中,長虹集團將其所持有長虹商標評估價值的57.5%以3.78億元的價格轉讓給四川長虹。置換完成後,四川長虹擁有全部的「長虹」商標及其無形資產的所有權。
在商標評估中,選取銷售收入的1%作為商標使用費節約額的比例;商標維護費選取為商標權節約額的30%。因此,在進行評估測算時,長虹集團向四川長虹收取商標使用費的實際比例是銷售收入的0.7%.本次評估採用的折現率為8%.長虹方面表示,綜合考慮上市公司使用長虹商標的歷史淵源關系,對長虹商標使用費標準的選取,既要考慮收取商標使用費的普遍方法,也要參考國內同業的已有做法、非關聯股東利益和上市公司的長遠利益、以及國內社會對收取商標使用費率的接受和認可程度等眾多因素。銷售收入的0.8%是國內家電行業使用頻率較高的標准,且已基本上是最低的標准,所以長虹商標使用費標准選取1%(扣除商標維護費0.3%後實際為0.7%)是一個較合適、合理的選擇。(
5. JEM 2010 主要附件: 能量散射X射線分析系統(EDS),Oxford,INCA ,1K*1K,GatanCCD 主要技術指標: 點
子顯微鏡的現狀與展望
摘要: 本文扼要介紹了電子顯微鏡的現狀與展望。透射電子顯微鏡方面主要有:高分辨電子顯微學及原子像的觀察,像差校正電子顯微鏡,原子尺度電子全息學,表面的高分辨電子顯微正面成像,超高壓電子顯微鏡,中等電壓電鏡,120kV,100kV分析電鏡,場發射槍掃描透射電鏡及能量選擇電鏡等,透射電鏡將又一次面臨新的重大突破;掃描電子顯微鏡方面主要有:分析掃描電鏡和X射線能譜儀、X射線波譜儀和電子探針儀、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡、超大試樣室掃描電鏡、環境掃描電鏡、掃描電聲顯微鏡、測長/缺陷檢測掃描電鏡、晶體學取向成像掃描電子顯微術和計算機控制掃描電鏡等。掃描電鏡的分辨本領可望達到0.2—0.3nm並觀察到原子像。
關鍵詞:透射電子顯微鏡 掃描電子顯微鏡 儀器製造與發展
電子顯微鏡(簡稱電鏡,EM)經過五十多年的發展已成為現代科學技術中不可缺少的重要工具。我國的電子顯微學也有了長足的進展。電子顯微鏡的創制者魯斯卡(E.Ruska)教授因而獲得了1986年諾貝爾獎的物理獎。
電子與物質相互作用會產生透射電子,彈性散射電子,能量損失電子,二次電子,背反射電子,吸收電子,X射線,俄歇電子,陰極發光和電動力等等。電子顯微鏡就是利用這些信息來對試樣進行形貌觀察、成分分析和結構測定的。電子顯微鏡有很多類型,主要有透射電子顯微鏡(簡稱透射電鏡,TEM)和掃描電子顯微鏡(簡稱掃描電鏡,SEM)兩大類。掃描透射電子顯微鏡(簡稱掃描透射電鏡,STEM)則兼有兩者的性能。為了進一步表徵儀器的特點,有以加速電壓區分的,如:超高壓(1MV)和中等電壓(200—500kV)透射電鏡、低電壓(~1kV)掃描電鏡;有以電子槍類型區分的,如場發射槍電鏡;有以用途區分的,如高分辨電鏡,分析電鏡、能量選擇電鏡、生物電鏡、環境電鏡、原位電鏡、測長CD-掃描電鏡;有以激發的信息命名的,如電子探針X射線微區分析儀(簡稱電子探針,EPMA)等。
半個多世紀以來電子顯微學的奮斗目標主要是力求觀察更微小的物體結構、更細小的實體、甚至單個原子,並獲得有關試樣的更多的信息,如標征非晶和微晶,成分分布,晶粒形狀和尺寸,晶體的相、晶體的取向、晶界和晶體缺陷等特徵,以便對材料的顯微結構進行綜合分析及標征研究〔3〕。近來,電子顯微鏡(電子顯微學),包括掃描隧道顯微鏡等,又有了長足的發展。本文僅討論使用廣泛的透射電鏡和掃描電鏡,並就上列幾個方面作一簡要介紹。部分透射電鏡和掃描電鏡的主要性能可參閱文獻。
透射電子顯微鏡
1、高分辨電子顯微學及原子像的觀察
材料的宏觀性能往往與其本身的成分、結構以及晶體缺陷中原子的位置等密切相關。觀察試樣中單個原子像是科學界長期追求的目標。一個原子的直徑約為1千萬分之2—3mm。因此,要分辨出每個原子的位置需要0.1nm左右的分辨本領,並把它放大約1千萬倍。70年代初形成的高分辨電子顯微學(HREM)是在原子尺度上直接觀察分析物質微觀結構的學科。計算機圖像處理的引入使其進一步向超高解析度和定量化方向發展,同時也開辟了一些嶄新的應用領域。例如,英國醫學研究委員會分子生物實驗室的A.Klug博士等發展了一套重構物體三維結構的高分辨圖像處理技術,為分子生物學開拓了一個嶄新的領域。因而獲得了1982年諾貝爾獎的化學獎,以表彰他在發展晶體電子顯微學及核酸—蛋白質復合體的晶體學結構方面的卓越貢獻。
用HREM使單個原子成像的一個嚴重困難是信號/雜訊比太小。電子經過試樣後,對成像有貢獻的彈性散射電子(不損失能量、只改變運動方向)所佔的百分比太低,而非彈性散射電子(既損失能量又改變運動方向)不相干,對成像無貢獻且形成亮的背底(亮場),因而非周期結構試樣中的單個原子像的反差極小。在檔去了未散射的直透電子的暗場像中,由於提高了反差,才能觀察到其中的重原子,例如鈾和釷—BTCA中的鈾(Z=92)和釷(Z=90)原子。對於晶體試樣,原子陣列會加強成像信息。採用超高壓電子顯微鏡和中等加速電壓的高亮度、高相干度的場發射電子槍透射電鏡在特定的離焦條件(Scherzer欠焦)下拍攝的薄晶體高分辨像可以獲得直接與晶體原子結構相對應的結構像。再用圖像處理技術,例如電子晶體學處理方法,已能從一張200kV的JEM-2010F場發射電鏡(點分辨本領0.194nm)拍攝的解析度約0.2nm的照片上獲取超高解析度結構信息,成功地測定出解析度約0.1nm的晶體結構。
2.像差校正電子顯微鏡
電子顯微鏡的分辨本領由於受到電子透鏡球差的限制,人們力圖像光學透鏡那樣來減少或消除球差。但是,早在1936年Scherzer就指出,對於常用的無空間電荷且不隨時間變化的旋轉對稱電子透鏡,球差恆為正值。在40年代由於兼顧電子物鏡的衍射和球差,電子顯微鏡的理論分辨本領約為0.5nm。校正電子透鏡的主要像差是人們長期追求的目標。經過50多年的努力,1990年Rose提出用六極校正器校正透鏡像差得到無像差電子光學系統的方法。最近在CM200ST場發射槍200kV透射電鏡上增加了這種六極校正器,研製成世界上第一台像差校正電子顯微鏡。電鏡的高度僅提高了24cm,而並不影響其它性能。分辨本領由0.24nm提高到0.14nm。在這台像差校正電子顯微鏡上球差系數減少至0.05mm(50μm)時拍攝到了GaAs〈110〉取向的啞鈴狀結構像,點間距為0.14nm。
3、原子尺度電子全息學
Gabor在1948年當時難以校正電子透鏡球差的情況下提出了電子全息的基本原理和方法。論證了如果用電子束製作全息圖,記錄電子波的振幅和位相,然後用光波進行重現,只要光線光學的像差精確地與電子光學的像差相匹配,就能得到無像差的、解析度更高的像。由於那時沒有相乾性很好的電子源,電子全息術的發展相當緩慢。後來,這種光波全息思想應用到激光領域,獲得了極大的成功。Gabor也因此而獲得了諾貝爾物理獎。隨著Mollenstedt靜電雙棱鏡的發明以及點狀燈絲,特別是場發射電子槍的發展,電子全息的理論和實驗研究也有了很大的進展,在電磁場測量和高分辨電子顯微像的重構等方面取得了豐碩的成果〔9〕。Lichte等用電子全息術在CM30
FEG/ST型電子顯微鏡(球差系數Cs=1.2mm)上以1k×1k的慢掃描CCD相機,獲得了0.13nm的分辨本領。目前,使用剛剛安裝好的CM30
FEG/UT型電子顯微鏡(球差系數Cs=0.65mm)和2k×2k的CCD相機,已達到0.1nm的信息極限分辨本領。
4、表面的高分辨電子顯微正面成像
如何區分表面和體點陣周期從而得到試樣的表面信息是電子顯微學界一個長期關心的問題。目前表面的高分辨電子顯微正面成像及其圖像處理已得到了長足的進展,成功地揭示了Si〔111〕表面(7×7)重構的細節,不僅看到了掃描隧道顯微鏡STM能夠看到的處於表面第一層的吸附原子(adatoms),而且看到了頂部三層的所有原子,包括STM目前還難以看到的處於第三層的二聚物(dimers),說明正面成像法與目前認為最強有力的,在原子水平上直接觀察表面結構的STM相比,也有其獨到之處。李日升等以Cu〔110〕晶膜表面上觀察到了由Cu-O原子鏈的吸附產生的(2×1)重構為例,採用表面的高分辨電子顯微正面成像法,表明對於所有的強周期體系,均存在襯度隨厚度呈周期性變化的現象,對一般厚膜也可進行高分辨表面正面像的觀測。
5、超高壓電子顯微鏡
近年來,超高壓透射電鏡的分辨本領有了進一步的提高。JEOL公司製成1250kV的JEM-ARM
1250/1000型超高壓原子解析度電鏡,點分辨本領已達0.1nm,可以在原子水平上直接觀察厚試樣的三維結構。日立公司於1995年製成一台新的3MV超高壓透射電鏡,分辨本領為0.14nm。超高壓電鏡分辨本領高、對試樣的穿透能力強(1MV時約為100kV的3倍),但價格昂貴,需要專門建造高大的實驗室,很難推廣。
6、中等電壓電子顯微鏡
中等電壓200kV\,300kV電鏡的穿透能力分別為100kV的1.6和2.2倍,成本較低、效益/投入比高,因而得到了很大的發展。場發射透射電鏡已日益成熟。TEM上常配有鋰漂移硅Si(Li)X射線能譜儀(EDS),有的還配有電子能量選擇成像譜儀,可以分析試樣的化學成分和結構。原來的高分辨和分析型兩類電鏡也有合並的趨勢:用計算機控制甚至完全通過計算機軟體操作,採用球差系數更小的物鏡和場發射電子槍,既可以獲得高分辨像又可進行納米尺度的微區化學成分和結構分析,發展成多功能高分辨分析電鏡。JEOL的200kV
JEM-2010F和300kV JEM-3000F,日立公司的200kV HF-2000以及荷蘭飛利浦公司的200kV CM200 FEG和300kV CM300 FEG型都屬於這種產品。目前,國際上常規200kVTEM的點分辨本領為0.2nm左右,放大倍數約為50倍—150萬倍。
7、120kV\,100kV分析電子顯微鏡
生物、醫學以及農業、葯物和食品工業等領域往往要求把電鏡和光學顯微鏡得到的信息聯系起來。因此,一種在獲得高分辨像的同時還可以得到大視場高反差的低倍顯微像、操作方便、結構緊湊,裝有EDS的計算機控制分析電鏡也就應運而生。例如,飛利浦公司的CM120
Biotwin電鏡配有冷凍試樣台和EDS,可以觀察分析反差低以及對電子束敏感的生物試樣。日本的JEM-1200電鏡在中、低放大倍數時都具有良好的反差,適用於材料科學和生命科學研究。目前,這種多用途120kV透射電鏡的點分辨本領達0.35nm左右。
8、場發射槍掃描透射電子顯微鏡
場發射掃描透射電鏡STEM是由美國芝加哥大學的A.V.Crewe教授在70年代初期發展起來的。試樣後方的兩個探測器分別逐點接收未散射的透射電子和全部散射電子。彈性和非彈性散射電子信息都隨原子序數而變。環狀探測器接收散射角大的彈性散射電子。重原子的彈性散射電子多,如果入射電子束直徑小於0.5nm,且試樣足夠薄,便可得到單個原子像。實際上STEM也已看到了γ-alumina支持膜上的單個Pt和Rh原子。透射電子通過環狀探測器中心的小孔,由中心探測器接收,再用能量分析器測出其損失的特徵能量,便可進行成分分析。為此,Crewe發展了亮度比一般電子槍高約5個量級的場發射電子槍FEG:曲率半徑僅為100nm左右的鎢單晶針尖在電場強度高達100MV/cm的作用下,在室溫時即可產生場發射電子,把電子束聚焦到0.2—1.0nm而仍有足夠大的亮度。英國VG公司在80年代開始生產這種STEM。最近在VGHB5 FEGSTEM上增加了一個電磁四極—八極球差校正器,球差系數由原來的3.5mm減少到0.1mm以下。進一步排除各種不穩定因素後,可望把100kV STEM的暗場像的分辨本領提高到0.1nm。利用加速電壓為300kV的VG-HB603U型獲得了Cu〈112〉的電子顯微像:0.208nm的基本間距和0.127nm的晶格像。期望物鏡球差系數減少到0.7mm的400kV儀器能達到更高的分辨本領。這種UHV-STEM儀器相當復雜,難以推廣。
9、能量選擇電子顯微鏡
能量選擇電鏡EF-TEM是一個新的發展方向。在一般透射電鏡中,彈性散射電子形成顯微像或衍射花樣;非彈性散射電子則往往被忽略,而近來已用作電子能量損失譜分析。德國Zeiss-Opton公司在80年代末生產的EM902A型生物電鏡,在成像系統中配有電子能量譜儀,選取損失了一定特徵能量的電子來成像。其主要優點是:可觀察0.5μm的厚試樣,對未經染色的生物試樣也能看到高反差的顯微像,還能獲得元素分布像等。目前Leica與Zeiss合並後的LEO公司的EM912 Omega電鏡裝有Ω-電子能量過濾器,可以濾去形成背底的非彈性散射電子和不需要的其它電子,得到具有一定能量的電子信息,進行能量過濾會聚束衍射和成像,清晰地顯示出原來被掩蓋的微弱顯微和衍射電子花樣。該公司在此基礎上又發展了200kV的全自動能量選擇TEM。JEOL公司也發展了帶Ω-電子能量過濾器的JEM2010FEF型電子顯微鏡,點分辨本領為0.19nm,能量解析度在100kV和200kV時分別為2.1μm/eV和1.1μm/eV。日立公司也報道了用EF-1000型γ形電子能量譜成像系統,在TEM中觀察到了半導體動態隨機存取存儲器DRAM中厚0.5μm切片的清晰剖面顯微像。
美國GATAN公司的電子能量選擇成像系統裝在投影鏡後方,可對電子能量損失譜EELS選擇成像。可在幾秒鍾內實現在線的數據讀出、處理、輸出、及時了解圖像的質量,據此自動調節有關參數,完成自動合軸、自動校正像散和自動聚焦等工作。例如,在400kV的JEM-4000EX電鏡上用PEELS得到能量選擇原子像,並同時完成EELS化學分析。
透射電鏡經過了半個多世紀的發展已接近或達到了由透鏡球差和衍射差所決定的0.1—0.2nm的理論分辨本領。人們正在探索進一步消除透鏡的各種像差〔20〕,在電子槍後方再增加一個電子單色器,研究新的像差校正法,進一步提高電磁透鏡和整個儀器的穩定性;採用並進一步發展高亮度電子源場發射電子槍,X射線譜儀和電子能量選擇成像譜儀,慢掃描電荷耦合器件CCD,冷凍低溫和環境試樣室,納米量級的會聚束微衍射,原位實時分析,錐狀掃描晶體學成像(Conical Scan Crystallography),全數字控制,圖像處理與現代信息傳送技術實現遠距離操作觀察,以及克服試樣本身帶來的各種限制,透射電鏡正面臨著一個新的重大突破。
掃描電子顯微鏡
1、分析掃描電鏡和X射線能譜儀
目前,使用最廣的常規鎢絲陰極掃描電鏡的分辨本領已達3.5nm左右,加速電壓范圍為0.2—30kV。掃描電鏡配備X射線能譜儀EDS後發展成分析掃描電鏡,不僅比X射線波譜儀WDS分析速度快、靈敏度高、也可進行定性和無標樣定量分析。EDS發展十分迅速,已成為儀器的一個重要組成部分,甚至與其融為一體。但是,EDS也存在不足之處,如能量解析度低,一般為129—155eV,以及Si(Li)晶體需在低溫下使用(液氮冷卻)等。X射線波譜儀解析度則高得多,通常為5—10eV,且可在室溫下工作。1972年起EDAX公司發展了一種ECON系列無窗口探測器,可滿足分析超輕元素時的一些特殊需求,但Si(Li)晶體易受污染。1987年Kevex公司開發了能承受一個大氣壓力差的ATW超薄窗,避免了上述缺點,可以探測到B,C,N,O等超輕元素,為大量應用創造了條件。目前,美國Kevex公司的Quantifier,Noran公司的Extreme,Link公司的Ultracool,EDAX公司的Sapphire等Si(Li)探測器都屬於這種單窗口超輕元素探測器,解析度為129eV,133eV等,探測范圍擴展到了5B—92U。為克服傳統Si(Li)探測器需使用液氮冷卻帶來的不便,1989年Kevex公司推出了可不用液氮的Superdry探測器,Noran公司也生產了用溫差電製冷的Freedom探測器(配有小型冷卻循環水機),和壓縮機製冷的Cryocooled探測器。這兩種探測器必須晝夜24小時通電,適合於無液氮供應的單位。現在使用的大多還是改進的液氮冷卻Si(Li)探測器,只需在實際工作時加入液氮冷卻,平時不必維持液氮的供給。最近發展起來的高純鍺Ge探測器,不僅提高了解析度,而且擴大了探測的能量范圍(從25keV擴展到100keV),特別適用於透射電鏡:如Link的GEM型的解析度已優於115eV(MnKα)和65eV(FKα),Noran的Explorer
Ge探測器,探測范圍可達100keV等。1995年中國科學院上海原子核研究所研製成了Si(Li)探測器,能量解析度為152eV。中國科學院北京科學儀器研製中心也生產了X射線能譜分析系統Finder-1000,硬體借鑒Noran公司的功能電路,配以該公司的探測器,採用Windows操作系統,開發了自己的圖形化能譜分析系統程序。
2、X射線波譜儀和電子探針儀
現代SEM大多配置了EDS探測器以進行成分分析。當需低含量、精確定量以及超輕元素分析時,則可再增加1到4道X射線波譜儀WDS。Microspec公司的全聚焦WDX-400,WDX-600型分別配有4塊和6塊不同的衍射晶體,能檢測到5B(4Be)以上的各種元素。該譜儀可以傾斜方式裝在掃描電鏡試樣室上,以便對水平放置的試樣進行分析,而不必如垂直譜儀那樣需用光學顯微鏡來精確調整試樣離物鏡的工作距離。
為滿足大量多元素試樣的超輕元素,低含量,高速定性、定量常規分析的需求,法國Cameca公司長期生產電子探針儀,SX50和SXmacro型配備4道WDS及1道EDS,物鏡內裝有同軸光學顯微鏡可以隨時觀察分析區域。島津公司最近生產的計算機控制EPMA-1600型電子探針,可配置2—5道WDS和1道EDS,試樣最大尺寸為100mm×100mm×50mm(厚),二次電子圖像解析度為6nm。JEOL公司也生產了計算機控制的JXA-8800電子探針和JXA-8900系列WD/ED綜合顯微分析系統—超電子探針,可裝5道X射線光譜儀和1道X射線能譜儀,元素分析范圍為5B—92U,二次電子圖像解析度為6nm。
Noran公司下屬的Peak公司最近發展了一種嶄新的APeX全參數X射線光譜儀,與傳統的機械聯動機構完全不同,由計算機控制6個獨立的伺服馬達分別調節分光晶體的位置和傾角以及X射線探測器的X、Y坐標和狹縫寬度。配有4塊標準的分光晶體可分析5B(4Be)以上的元素。羅蘭圓半徑隨分析元素而變,可分別為170,180,190和200mm,以獲得最高的計數率,提高了分析精度和靈活性。Noran公司還推出了稱為MAXray的X射線平行束光譜儀,將最新的X光學研究成果——准平行束整體X光透鏡置於試樣上的X射線發射點和分析晶體之間,提高了接收X射線的立體角,比一般WDS的強度提高了50倍左右。可分析100eV—1.8keV能量范圍內的K、L、M線,特別有利於低電壓、低束流分析,對Be、B、C、N、O和F的解析度可高達5—15eV,兼有WDS的高解析度和EDS的高收集效率。這兩種新型X射線光譜儀可望得到廣泛的應用。
3、場發射槍掃描電鏡和低壓掃描電鏡
場發射掃描電鏡得到了很大的發展〔24〕。日立公司推出了冷場發射槍掃描電鏡,Amray公司則生產熱場發射槍掃描電鏡,不僅提高了常規加速電壓時的分辨本領,還顯著改善了低壓性能。低壓掃描電鏡LVSEM由於可以提高成像的反差,減少甚至消除試樣的充放電現象並減少輻照損傷,因此受到了人們的囑目。JEOL公司的JSM-6000F型場發射超高分辨SEM的分辨本領在加速電壓30kV時達0.6nm,已接近TEM的水平,但試樣必須浸沒入物鏡的強磁場中以減少球差的影響,所以尺寸受到限制,最大為23mm×6mm×3mm(厚)。試樣半浸沒在物鏡磁場中的場發射JSM-6340F型可以觀察大試樣,加速電壓15kV時分辨本領為1.2nm,低壓1kV時為2.5nm。這兩種SEM由於試樣要處在磁場中所以不能觀察磁性材料。使用CF校正場小型物鏡可觀察大試樣的場發射JSM-6600F型分辨本領為2.5nm(1kV時為8nm)。日立公司也供應這幾類產品如S-5000,S-4500和S-4700型。
4、超大試樣室掃描電鏡
德國Visitec捷高公司的超大試樣室Mira型掃描電鏡。被檢物的最大尺寸可為直徑700mm,高600mm,長1400mm,最大重量可達300公斤,真空室長1400,寬1100和高1200mm。分辨本領4nm,加速電壓0.3kV—20kV。是一種新的計算機控制、非破壞性的檢查分析測試裝置,可用於工業產品的生產,質量管理,微機加工和工藝品的檢查研究等。
5、環境掃描電鏡
80年代出現的環境掃描電鏡ESEM,根據需要試樣可處於壓力為1—2600Pa不同氣氛的高氣壓低真空環境中,開辟了新的應用領域。與試樣室內為10-3Pa的常規高真空SEM不同,所以也可稱為低真空掃描電鏡LV-SEM。在這種低真空環境中,絕緣試樣即使在高加速電壓下也不會因出現充、放電現象而無法觀察;潮濕的試樣則可保持其原來的含水自然狀態而不產生形變。因此,ESEM可直接觀察塑料、陶瓷、紙張、岩石、泥土,以及疏鬆而會排放氣體的材料和含水的生物試樣,無需先噴塗導電層或冷凍乾燥處理。1990年美國Electro
Scan公司首先推出了商品ESEM。為了保證試樣室內的高氣壓低真空環境,LV-SEM的真空系統須予以特殊考慮。目前,Amray,Hitachi,JEOL和LEO等公司都有這種產品。試樣室為6—270Pa時,JSM—5600LV—SEM的分辨本領已達5.0nm,自動切換到高真空狀態後便如常規掃描電鏡一樣,分辨本領達3.5nm。中國科學院北京科學儀器研製中心與化工冶金研究所合作,發展KYKY-1500高溫環境掃描電子顯微鏡,試樣最高溫度可達1200℃,最高氣壓為2600Pa;800℃時解析度為60nm,觀察了室溫下的濕玉米澱粉顆粒斷面、食鹽的結晶粒子,以及在50Pa,900℃時鐵礦中的針形Fe\-2O\-3等試樣。
6、掃描電聲顯微鏡
80年代初問世的掃描電聲顯微鏡SEAM,採用了一種新的成像方式:其強度受頻閃調制的電子束在試樣表面掃描,用壓電感測器接收試樣熱、彈性微觀性質變化的電聲信號,經視頻放大後成像。能對試樣的亞表面實現非破壞性的剖面成像。可應用於半導體、金屬和陶瓷材料,電子器件及生物學等領域。中國科學院北京科學儀器研製中心也發展了這種掃描電聲顯微鏡,空間分辨本領為0.2—0.3μm。最近,中國科學院上海硅酸鹽研究所採用數字掃描發生器控制電子束掃描等技術,提高了信噪比,使SEAM的圖像質量得到了很大的改進。
7、測長/缺陷檢測掃描電鏡
SEM不但在科學研究而且在工農業生產中得到了廣泛的應用,特別是電子計算機產業的興起使其得到了很大的發展。目前半導體超大規模集成電路每條線的製造寬度正由0.25μm向0.18μm邁進。作為半導體集成電路生產線上Si片的常規檢測工具,美國Amray公司推出了一種缺陷檢測3800型DRT掃描電鏡,採用了加熱到1800K的ZrO/W陰極肖脫基熱場發射電子槍,具有良好的低加速電壓性能:1kV時分辨本領達4nm,而且電子束流的穩定度優於1%/h、可長期連續工作,對直徑為100,125,150,200mm的Si片,每小時可檢測100個缺陷。日立公司為了克服以往在室溫下工作的冷場發射槍測長掃描電鏡(CD-SEM)因需要進行閃爍處理以去除發射尖上所吸附的氣體分子而經常中斷工作、影響在生產線上應用的缺點,最近也推出了這種ZrO/W陰極熱場發射電子槍的S-8000系列CD-SEM。為了克服熱場發射比冷場發射槍電子能量分散大的缺點,設計了阻滯場電磁物鏡,並改進了二次電子探測器,在加速電壓為800V時分辨本領為5nm,可以每小時20片,每片5個檢測點的速度連續檢測125—200mm直徑的Si〔1,28〕。
8、晶體學取向成像掃描電子顯微術
SEM的另一個新發展方向是以背散射電子衍射圖樣(EBSP)為基礎的晶體學取向成像電子顯微術(OIM)。在SEM上增加一個可將試樣傾動約70度的裝置,CCD探測器和數據處理計算機系統,掃描並接收記錄塊狀試樣表面的背散射電子衍射花樣(背散射菊池花樣),按試樣各部分不同的晶體取向分類成像來獲得有關晶體結構的信息,可顯示晶粒組織、晶界和裂紋等,也可用於測定織構和晶體取向。可望發展成SEM的一個標准附件。1996年美國TSL(TexSemLaboratories,Inc.)公司推出了TSL
OIM系統,空間分辨本領已優於0.2μm,比原理相似的電子通道圖樣(ECP)提高了一個量級,在0.4秒鍾內即能完成一張衍射圖樣的自動定標工作。英國牛津集團顯微分析儀器Link-OPAL公司的EBSD結晶學分析系統,目前已用於Si片上Al連線的取向分析,以判斷其質量的優劣及可行性。
9、計算機控制掃描電鏡
90年代初,飛利浦公司推出了XL系列掃描電鏡。在保持重要功能的同時,減少了操作的復雜性。儀器完全由計算機軟體控制操作。許多參量(焦距、像散校正和試樣台移動速度等)和調節靈敏度都會根據顯微鏡的工作狀態作自適應變化和耦合,可迅速而准確地改變電鏡的主要參數。EDS完全與XL系統實現了一體化。該公司1995年生產了XL40
FEG等場發射掃描電鏡。日立,JEOL等也先後推出了計算機控制的掃描電鏡。
場發射掃描電鏡的分辨本領最高已達到0.6nm,接近了透射電鏡的水平,並得到了廣泛的應用,但尚不能分辨原子。如何進一步提高掃描電鏡的圖像質量和分辨本領是人們十分關注的問題。Joy DC指出:由於分辨本領受到試樣表面二次電子SE擴散區大小的基本限制,採取適當措施如噴鍍一超薄金屬層或布洛赫波隧穿效應(Bloch Wave Channeling)等來限制SE擴散區的尺寸,二次電子分辨本領可望達到0.2—0.3nm,並進而觀察原子像。現代SEM電子束探針的半高寬FWHM已達0.3nm,場發射電子槍也已具有足夠高的亮度。因此在電子光學方面目前並不構成對SE分辨本領的基本限制。然而,對SEM的機械設計如試樣台的漂移和震動等尚未給予足夠的、如對掃描隧道顯微鏡那樣的重視、二次電子探測器的信噪比和反差還不夠理想,也影響了分辨本領。此外,SE分辨本領的定義和測定方法,SEM圖像處理等也不如透射電子顯微鏡那麼嚴格和完善。這些問題的解決必將進一步提高SEM的圖像質量和分辨本領。
參考文獻
〔1〕 金鶴鳴,姜新力,姚駿恩.中國電子顯微分析儀器市場.見:分析儀器市場調查與分析.北京:海洋出版社,1998.第四章.p113—152.(待出版).
〔2〕 姚駿恩.創造探索微觀世界的有力工具(今年諾貝爾獎物理學獎獲得者的貢獻).中國科技報,1986-12-08(3).
〔3〕 姚駿恩.電子顯微鏡的最近進展.電子顯微學報,1982,1(1)∶1—9.
〔4〕 郭可信.晶體電子顯微學與諾貝爾獎.電子顯微學報,1983,2(2)∶1—5.
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6. 配置好apex後打開licalhost:8080/apex/apex_admin後頁面是空白的
如果WEB站點目錄下有Global.asa文件,改此文件文件名為Global.old.重啟WEB服務,在記事本中寫如下代碼(原文中無代碼,實際最簡單的那種asp源碼就行,譯者注).文件另存為Test.asp於WEB根目錄下.如果asp文件能正常執行,問題就出在Global.asa上,如果依然不行,請轉到第二步.參閱如下微軟知識庫有關Global.asa文件出錯的更多信息.Q288245 PRB: Global.asa Does Not Fire from Personal Web Server on Windows 98 Q265275 FP2000: Global.asa Does Not Run in FrontPage Web Q173742 FIX: Global.asa Is Not Executed If Restricting Web Access 2、 將Web站點的應用程序保護級別設置為"低IIS進程",重啟IISAdmin服務.如果ASP文件如此能正常執行,說明問題出在IWAM用戶上,請跳到 第三步繼續.如果沒有正常執行,請在管理工具中檢查組件服務確保能看到IIS Packages,確保組件服務沒有失敗後,確認本地用戶組中有如下用戶存在:NT AUTHORITY\Authenticated Users NT AUTHORITY\INTERACTIVE關於更多組件服務出錯的信息,請參考入下知識文章:Q301919 PRB: Cannot Expand 'My Computer' in Component Services MMC Snap-In3、 如果通過第二步ASP文件能正常執行,將站點的應用程序保護級別設回"中"或"高",將IWAM用戶添加到本地管理員用戶組中,如果通過這步,ASP文件 能正常執行,說明IWAM用戶的訪問許可許可權就存在問題,請跳到第四步,如果ASP文件還沒正常執行,請在命令提示符中執行Synciwam.vbs 工具.方法:打開命令提示符窗口敲入如下命令: C:\Inetpub\adminscripts>cscript synciwam.vbs. 關於IWAM用戶(設置不正確)導致asp文件不能正常執行,請參考入下知識庫.Q308622 HOW TO: Perform Administration Tasks in IIS from a Command Prompt Q297989 PRB: Configured Identity Is Incorrect for IWAM Account Q255770 PRB: Logon Failure: Unknown User Name or Bad Password When You Run Out-of-Process Webs Q236007 Domain Controller Demotion Causes Out-of-Process Applications to Fail 4、解決IWAM用戶許可許可權的問題,請使用Windows 2000的第三方產品:Regmon 和 Filemon.請在 http://www.sysinternals.com中下載這些工具.當你執行ASP頁面請求時運行這些工具, Dllhost.exe 進程在Regmon 中查找"ACCDENIED" (在Filemon中查找"FAILURE").注意:在IE進程出現"操作失敗"時不要緊張,這只是普通現象.~~關於IIS功能正常運作所需的最小條件,請參閱知識庫:Q271071 Minimum NTFS Permissions Required for IIS 5.0 to Work 在看到Dllhost.exe 進程"操作失敗"的錯誤信息後,用Regedit32工具修改注冊表裡任何必須的NTFS許可許可權(好像是病句,,汗...)5、在裝完IIS5.0後,從WEB 伺服器控制台或其他網路上的工作站瀏覽asp或html文件,WEB服務可能返回如下錯誤信息:HTTP 500 內部伺服器錯誤.默認的web服務可能處於運行狀態,如果運行netstat -an 你可能注意到WEB伺服器正監聽TCP80埠,即HTTP的默認埠.注意:如果在使用IE5.0(或以上版本,譯者注),你可能屏蔽了IE高級選項中的顯示友好HTTP錯誤信息選項,更多信息:請參考微軟知識庫:Q218155 Description of Hypertext Transport Protocol Error Messages 下面的幾條可能出現在裝有IIS5.0機器的事件日誌中:Application Log: COM+ error with Event ID 4099 System Log: W3SVC error with Event ID 59 System Log: W3SVC warning with Event ID 36.Iis5.log 文件(WINNT目錄下)可能包含下面錯誤信息:0x8004e00f=COM+ was unable to talk to the Microsoft Distributed Transaction Coordinator 你正試圖打開com+管理者使用的組件服務,MMC停止響應. 原因IIS5.0 依賴與COM+,COM+依賴於Distributed Transaction Coordinator (DTC) 服務運行,DTC檢查版本的機制(包括在windows 2000以前的SQL SERVER版本)不能識別Windows2000所用的版本屬性,結果SQL SERVER的DTC安裝程序移除了WINDOWS 2000安裝的DTC服務,更多請查閱微軟知識庫:Q249310 BUG: Installing SQL Server on Windows 2000 Uninstalls DTC Service 解決如下步驟解決這個問題:a.驗證Dtcsetup.exe (默認在c:\Winnt\System32 下)是否為1999.9.3422.24 或以後版本號b.運行Dtcsetup.exe 安裝DTC服務c.開始DTC服務d.控制面板中,雙擊"添加刪除程序"e.選"添加刪除Windows組件",移除IIS5.0再重新安裝.現狀微軟已經確認在SQL Server versions 6.5 和 7.0 and MSDE 1.0中這會是個問題詳細請參見文章: http://support.microsoft.com/default.aspx?scid=kb;en-us;Q257267 6、最後一招:依照下面步驟自己創建IIS Packagesa.瀏覽組件服務刪除下列包 a.IIS In-Process Applications b.IIS Out-of-Process Pooled Applications c.IIS Utilitiesb.打開命令提示符,轉到文件夾%windir%\system32\inetsrv,執行命令: rundll32 wamreg.dll, CreateIISPackage注意:CreateIISPackage是大小寫敏感的,確人輸入正確.c.重新打開組件服務,你將看到IIS COM+應用已經重新創建了.d.從命令提示符中運行IISRESTART再測試之前沒有正確執行的任何asp文件.
7. ApexDC++使用方法
Apexdc++ 是一個開放源碼的免費的P2P客戶端軟體,用於文件交流,支持中文搜索,同時又可以作為聊天工具。基於 StrongDC++ 和 DC++ 進行開發,相比於前兩者有更多的選項和功能可用。常常用於區域網中的高速文件共享。
8. CAPEX和OPEX的意思是什麼
CAPEX即資本性支出。如:固定資產的折舊,無形資產、遞延資產的攤銷等。計算公式為:CAPEX=戰略性投資+滾動性投資。
OPEX指的是企業的管理支出,即運營成本。指的是企業的管理支出、辦公室支出、員工工資支出和廣告支出等日常開支。計算公式為:OPEX=維護費用+營銷費用+人工成本(+折舊)。
(8)aexp指標源碼什麼意思擴展閱讀:
資本性支出是指通過它所取得的財產或勞務的效益,可以給予多個會計期間所發生的那些支出。因此,這類支出應予以資本化,先計入資產類科目,然後,再分期按所得到的效益,轉入適當的費用科目。
在企業的經營活動中,供長期使用的、其經濟壽命將經歷許多會計期間的資產如:固定資產、無形資產、遞延資產等都要作為資本性支出。即先將其資本化,形成固定資產、無形資產、遞延資產等。而後隨著他們為企業提供的效益,在各個會計期間轉銷為費用。如:固定資產的折舊、無形資產、遞延資產的攤銷等。
9. apex中途退出算kd嗎
不算。
1.kd,網路用語,意為快點,是飯圈常用語; 在游戲中,KD是衡量一個玩家實力的重要指標,即殺敵數與死亡次數的比例值kill/death。
2.在CS(反恐精英)中,KD是衡量一個cser實力的重要指標殺敵數與死亡次數的比例值,即kill/death