真空鍍膜技術pdf

A. 真空鍍膜技術

這個將起來就多了，只能簡單的給你說一下，開機應該有SOP你可以按照SOP來操作，至於鍍膜的話就要設定想對應的條件，可以先手動試條件，也可以按照廠家給的條件進行微調，無非就是一個時間和電壓的問題。維修的話也是按照廠商提供的保養計劃老做的，基本上不需要太多的維修，主要是保養：維持泵，機械泵，盧氏泵，定期更換油，擴散泵是1年換一次，這個比較麻煩，要把擴散塔吊出來打磨掉上面的油。其他的就是經常看看水溫，真空感應針，擴散泵的溫度等。

B. 真空鍍膜技術的介紹

《真空鍍膜技術》是由張以忱編寫，冶金工業出版社出版的一本書籍。

C. 真空鍍膜原理是什麼

真空鍍膜原理：

1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。

2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，藉助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

(3)真空鍍膜技術pdf擴展閱讀：

真空鍍膜設備適用范圍：

1、建築五金：衛浴五金（如水龍頭）、門鎖、門拉手、衛浴、門鎖、五金合葉、傢具等。

2、製表業：可用於表殼、表帶的鍍膜、水晶製品。

3、其它小五金：皮革五金、不銹鋼餐具、眼鏡框、刀具、模具等。

4、大型工件：汽車輪轂、不銹鋼板、招牌、雕塑等。

5、不銹鋼管和板（各種類型表面）。

6、傢具、燈具、賓館用具。

7、鎖具、拉手、衛浴五金、高爾夫球頭、不銹鋼餐具、器血等五金製品鍍超硬裝飾膜。

8、手錶、表帶、眼鏡、首飾等裝飾品鍍超耐磨裝飾（金銀）納米膜和納米膜和納米疊層膜。

D. 真空鍍膜技術的內容簡介

《真空鍍膜技術》共分10章，系統地闡述了真空鍍膜技術的基本慨念和基礎理論、各種薄膜制備技術、設備及工藝、真空卷繞鍍膜技術、ITO導電玻璃真空鍍膜工藝，尤其重點介紹了一些近年來新出現的鍍膜方法與技術，如反應磁控濺射鍍膜技術、中頻磁控濺射鍍膜和非平衡磁控濺射鍍膜技術等；還詳細介紹了薄膜沉積及膜厚的監控與測量以及表面與薄膜分析檢測技術等方面的內容。
《真空鍍膜技術》具有很強的實用性，適合於真空鍍膜行業、薄膜與表面應用、材料工程、應用物理以及與真空鍍膜技術有關的行業從事研究、設計、設備生產操作與維護的技術人員，也適用與真空鍍膜技術相關的實驗研究人員和學生，還可用作大專院校相關專業師生的教材及參考書。

E. 關於介紹真空泵技術的書籍

全國兩家專門搞真空技術的學校——東北大學和合肥工業大學真空專業的書都是學校自己印的講義。
國內高校講真空技術比較權威的是國防工業出版社的《真空設計手冊》達道安版以及化學工業出版社的《真空工程技術》徐連海主編。講的比較齊，但是版本比較老了，有些新的技術跟不上去。
國內類似《真空》和《真空科學技術學報》等雜志一般十有八九都是介紹真空鍍膜技術的，真空泵比較少。
有一本王常繼的老書《真空系統設計》不錯，這里有PDF，你看一看

F. UV真空電鍍塗料的1.2 真空鍍膜

真空鍍膜技術是指在真空環境下，將某種金屬或金屬化合物以氣相的形式沉積到材料表面（通常是非金屬），屬於物理氣相沉積工藝，因為鍍層常為鋁、錫、銦等金屬的薄膜，故也稱為真空金屬化。
真空鍍膜的功能主要是賦予被鍍件表面具有高度的金屬光澤和鏡面效果，尤其在車燈罩方面有很重要的聚光效果，其次是賦予鍍膜層出色的阻隔性能，提供優異的電磁屏蔽和導電效果。
真空鍍膜根據鍍膜氣相金屬產生的方式和沉積方式的不同，分為熱蒸發鍍膜法和磁控濺射鍍膜法兩種工藝。其中，磁控濺射法由於鍍膜層和基材的結合力強，鍍膜層緻密、均勻等優點，更具有技術優勢。
真空鍍膜材料以金屬和金屬氧化物為主。金屬型鍍膜材料有鋁、錫、銦、鈷、鎳、銅、鋅、銀、金、鈦、鉻、鉬、鎢等；合金型鍍膜材料有鎳-鉻、鎳-鐵、鐵-鈷、金-銀-金等；金屬化合物有二氧化硅、二氧化鈦、二氧化錫等。其中，尤以鋁應用最多最普遍。這主要因為鋁蒸發溫度低、易操作、鋁鍍層對塑料附著力好、對紫外線和氣體阻隔性強、價格低廉。

G. 真空鍍膜

所謂真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板於真空室內，採用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發或升華，並飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。
一、鍍膜的方法及分類
在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中於分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10-2Pa，對於蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。
主要分為一下幾類：
蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
蒸發鍍膜：通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜，常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。
蒸發源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜設備示意圖]）電阻加熱源主要用於蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質。③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層，可採用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。
濺射鍍膜：用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面，沉積在基片上。濺射現象於1870年開始用於鍍膜技術，1930年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。常用的二極濺射設備如圖3[ 二極濺射示意圖]。通常將欲沉積的材料製成板材——靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾厘米。系統抽至高真空後充入 10-1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態平衡時，靶處於負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。
離子鍍：蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術是D.麥托克斯於1963年提出的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片台作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。正離子被基片台負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和氬離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並有很好的繞射性，可為形狀復雜的工件鍍膜。
二、薄膜厚度的測量
隨著科技的進步和精密儀器的應用，薄膜厚度測量方法有很多，按照測量的方式分可以分為兩類：直接測量和間接測量。直接測量指應用測量儀器，通過接觸（或光接觸）直接感應出薄膜的厚度。
常見的直接法測量有：螺旋測微法、精密輪廓掃描法（台階法）、掃描電子顯微法（SEM）；
間接測量指根據一定對應的物理關系，將相關的物理量經過計算轉化為薄膜的厚度，從而達到測量薄膜厚度的目的。
常見的間接法測量有：稱量法、電容法、電阻法、等厚干涉法、變角干涉法、橢圓偏振法。按照測量的原理可分為三類：稱量法、電學法、光學法。
常見的稱量法有：天平法、石英法、原子數測定法；
常見的電學法有：電阻法、電容法、渦流法；
常見的光學方法有：等厚干涉法、變角干涉法、光吸收法、橢圓偏振法。
下面簡單介紹三種：
1. 干涉顯微鏡法
干涉條紋間距Δ0，條紋移動Δ，台階高為t=(Δ/Δ0 )*0.5λ，測出Δ0 和Δ，即可，其中λ為單色光波長，如用白光，λ取 530nm。

2. 稱重法
如果薄膜面積A，密度ρ和質量m可以被精確測定的話，膜厚t就可以計算出來：
d=m/Aρ。
3 石英晶體振盪器法
廣泛應用於薄膜淀積過程中厚度的實時測量，主要應用於淀積速度，厚度的監測，還可以反過來（與電子技術結合）控制物質蒸發或濺射的速率，從而實現對於淀積過程的自動控制。
對於薄膜製造商而言，產品的厚度均勻性是最重要的指標之一，想要有效地控制材料厚度，厚度測試設備是必不可少的，但是具體要選擇哪一類測厚設備還需根據軟包材的種類、廠商對厚度均勻性的要求、以及設備的測試范圍等因素而定。
三、真空鍍膜機保養知識：
1. 關閉泵加熱系統，然後分離蒸鍍室（主要清潔灰塵，於蒸鍍殘渣）
2. 關閉電源或程序打入維護狀態
3. 清潔卷繞系統（幾個滾軸，方阻探頭，光密度測量器）
4. 清潔中罩室（面板四周）
5. 泵系統冷卻後打開清潔（注意千萬不能掉入雜物，檢查泵油使用時間與量計做出更換或添加處理）
6. 檢查重冷與電氣櫃設備
這次實習給了我們了解了鍍膜技術的原理、技術，使我們了解了工廠的生產，感覺很新穎，收獲很多。
這樣可以么？

H. 真空鍍膜機的幾種鍍膜方法

真空鍍膜技術，簡單地來說就是在真空環境下，利用蒸發、濺射等方式發射出膜料粒子，沉積在金屬、玻璃、陶瓷、半導體以及塑料件等物體上形成鍍膜層。它的主要方法包括以下幾種：
真空蒸鍍
其原理是在真空條件下，用蒸發器加熱膜料，使其氣化或升華，蒸發粒子流直接射向基片，並在基片上沉積形成固態薄膜的技術。
濺射鍍膜
濺射鍍膜是真空條件下，在陰極接上高壓電，激發輝光放電，帶正電的氬離子撞擊陰極靶材，使其射出膜料粒子，並沉積到基片上形成膜層。
離子鍍膜
離子鍍膜通常指在鍍膜過程中會產生大量離子的鍍膜方法。在膜的形成過程中，基片始終受到高能粒子的轟擊，膜層強度和結合力非常強。
真空卷繞鍍膜
真空卷繞鍍膜是一種利用各種鍍膜方法，在成卷的柔性薄膜表面上連續鍍膜的技術，以實現柔性基體的一些特殊功能性、裝飾性屬性。

I. 什麼叫真空鍍膜

真空鍍膜就是置待鍍材料和被鍍基板於真空室內，採用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發或升華，並飛行濺射到被鍍基板表面凝聚成膜的工藝。
一、鍍膜的方法及分類
在真空條件下成膜有很多優點：可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基板過程中於分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量，從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與基板的附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10-2Pa，對於蒸發源與基板距離較遠和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低。
主要分為一下幾類：
蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。
蒸發鍍膜：通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由M.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。薄膜厚度可由數百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜，常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏。
蒸發源有三種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質。電阻加熱源主要用於蒸發Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質。③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層，可採用分子束外延方法。生長摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光集成器件和各種超晶格結構薄膜。
濺射鍍膜：用高能粒子轟擊固體表面時能使固體表面的粒子獲得能量並逸出表面，沉積在基片上。濺射現象於1870年開始用於鍍膜技術，1930年以後由於提高了沉積速率而逐漸用於工業生產。通常將欲沉積的材料製成板材——靶,固定在陰極上。基片置於正對靶面的陽極上,距靶幾厘米。系統抽至高真空後充入 10-1帕的氣體（通常為氬氣），在陰極和陽極間加幾千伏電壓，兩極間即產生輝光放電。放電產生的正離子在電場作用下飛向陰極，與靶表面原子碰撞，受碰撞從靶面逸出的靶原子稱為濺射原子,其能量在1至幾十電子伏范圍。濺射原子在基片表面沉積成膜。與蒸發鍍膜不同，濺射鍍膜不受膜材熔點的限制,可濺射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等難熔物質。濺射化合物膜可用反應濺射法，即將反應氣體 (O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應氣體及其離子與靶原子或濺射原子發生反應生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉積在基片上。沉積絕緣膜可採用高頻濺射法。基片裝在接地的電極上，絕緣靶裝在對面的電極上。高頻電源一端接地，一端通過匹配網路和隔直流電容接到裝有絕緣靶的電極上。接通高頻電源後，高頻電壓不斷改變極性。等離子體中的電子和正離子在電壓的正半周和負半周分別打到絕緣靶上。由於電子遷移率高於正離子，絕緣靶表面帶負電，在達到動態平衡時，靶處於負的偏置電位，從而使正離子對靶的濺射持續進行。採用磁控濺射可使沉積速率比非磁控濺射提高近一個數量級。
離子鍍：蒸發物質的分子被電子碰撞電離後以離子沉積在固體表面，稱為離子鍍。這種技術是D.麥托克斯於1963年提出的。離子鍍是真空蒸發與陰極濺射技術的結合。一種離子鍍系統如圖4[離子鍍系統示意圖],將基片台作為陰極，外殼作陽極，充入惰性氣體（如氬）以產生輝光放電。從蒸發源蒸發的分子通過等離子區時發生電離。正離子被基片台負電壓加速打到基片表面。未電離的中性原子（約占蒸發料的95％）也沉積在基片或真空室壁表面。電場對離化的蒸氣分子的加速作用（離子能量約幾百～幾千電子伏）和氬離子對基片的濺射清洗作用，使膜層附著強度大大提高。離子鍍工藝綜合了蒸發（高沉積速率）與濺射（良好的膜層附著力）工藝的特點，並有很好的繞射性，可為形狀復雜的工件鍍膜。
二、薄膜厚度的測量
隨著科技的進步和精密儀器的應用，薄膜厚度測量方法有很多，按照測量的方式分可以分為兩類：直接測量和間接測量。直接測量指應用測量儀器，通過接觸（或光接觸）直接感應出薄膜的厚度。
常見的直接法測量有：螺旋測微法、精密輪廓掃描法（台階法）、掃描電子顯微法（SEM）；
間接測量指根據一定對應的物理關系，將相關的物理量經過計算轉化為薄膜的厚度，從而達到測量薄膜厚度的目的。
常見的間接法測量有：稱量法、電容法、電阻法、等厚干涉法、變角干涉法、橢圓偏振法。按照測量的原理可分為三類：稱量法、電學法、光學法。
常見的稱量法有：天平法、石英法、原子數測定法；
常見的電學法有：電阻法、電容法、渦流法；
常見的光學方法有：等厚干涉法、變角干涉法、光吸收法、橢圓偏振法。
下面簡單介紹三種：
1. 干涉顯微鏡法
干涉條紋間距Δ0，條紋移動Δ，台階高為t=(Δ/Δ0 )*0.5λ，測出Δ0 和Δ，即可，其中λ為單色光波長，如用白光，λ取 530nm。

2. 稱重法
如果薄膜面積A，密度ρ和質量m可以被精確測定的話，膜厚t就可以計算出來：
d=m/Aρ。
3 石英晶體振盪器法
廣泛應用於薄膜淀積過程中厚度的實時測量，主要應用於淀積速度，厚度的監測，還可以反過來（與電子技術結合）控制物質蒸發或濺射的速率，從而實現對於淀積過程的自動控制。
對於薄膜製造商而言，產品的厚度均勻性是最重要的指標之一，想要有效地控制材料厚度，厚度測試設備是必不可少的，但是具體要選擇哪一類測厚設備還需根據軟包材的種類、廠商對厚度均勻性的要求、以及設備的測試范圍等因素而定。
三、真空鍍膜機保養知識：
1. 關閉泵加熱系統，然後分離蒸鍍室（主要清潔灰塵，於蒸鍍殘渣）
2. 關閉電源或程序打入維護狀態
3. 清潔卷繞系統（幾個滾軸，方阻探頭，光密度測量器）
4. 清潔中罩室（面板四周）
5. 泵系統冷卻後打開清潔（注意千萬不能掉入雜物，檢查泵油使用時間與量計做出更換或添加處理）
6. 檢查重冷與電氣櫃設備
這次實習給了我們了解了鍍膜技術的原理、技術，使我們了解了工廠的生產，感覺很新穎，收獲很多。

J. 什麼是真空鍍膜技術

就是使用真空應用設備(鍍膜機)將產品鍍上裝飾膜層或功能膜層的一種工藝.對外行人來說很難,行內人不難.