金屬有機化學pdf_《有機化學》胡宏紋下冊PDF

Ⅰ 跪求《有機化學》王積濤第三版 pdf 文件

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Ⅱ 求個有機化學反應機理羰基合成反應

此反應為烯烴加氫甲醯化反應，也稱為氧合（OXO）反應，可用下式表示：
R-CH=CH2+H2+CO→R-CH2-CH2-CHO+R-CH(CH3)-CHO
R2C=CH2轉變為R2CH-CH2-CHO的催化循環示於下圖，循環的每一步都是金屬有機化學中的基本反應，含鈷的催化劑中間體在循環中於18e和16e物種之間交替變化，18e物種反應減少2個電子（通過配體解離，配位烯烴的1.2插入，烷基遷移，還原消除等），而16e物種可以通過烯烴或CO配位，氧化加成等增加2個電子。
加氫甲醯化過程中的某些步驟值得進一步說明，第一步涉及到HCO(CO)4的CO解離，受到高壓CO的抑制，而第4步是CO的加成高壓有利於此反應，因此控制適合的壓力(200-300atm)對產率和反應速度十分重要。第二步反應是烯烴一級反應，是慢步驟（速度決定步驟），在第三步反應中，CH2基結合到金屬上比CR2基結合到金屬上更有利於產物的形成，第6步反應涉及到H2的加成，然而，高的H2壓可能導致第3步16e中間體H2的加成，然後消除烷烴 R2CH-CH2-Co(CO)3+H2 = →R2CH-CH2-Co(H)2(CO)3 氧化加成
16e 18e

R2CH-CH2-Co(H)2(CO)3 = →R2CH-CH3+ HCO(CO)3 還原消除
18e 16e
因此仔細控制實驗條件以實現目的產物的最優產率是十分重要的，此反應前催化劑(precatalyst)是金屬原子簇CO2(CO)8，實際催化劑物種是16e HCo(CO)3。

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簡介：從「靜態」和「動態」兩方面對有機化學的基本概念、基本理論、基本反應和它們的實際運用進行了比較系統的總結，同時結合相關題目的分析和解法加以論述.

Ⅳ 有機金屬化學氣相沉積法的簡介

金屬有機化學氣相沉積法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ，是在基板上成長半導體薄膜的一種方法。
其他類似的名稱如： MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy) 、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等，其中的前兩個字母 MO 或是 OM ，指的是半導體薄膜成長過程中所採用的反應源 (precusor) 為金屬有機物 Metal-organic 或是有機金屬化合物 Organometallic 。而後面三個字母 CVD 或是 VPE ，指的是所成長的半導體薄膜的特性是屬於非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，CVD 所指的是非晶形薄膜的成長，這種成長方式歸類於沉積(Deposition)；而 VPE 所指的是具有晶形的薄膜成長方式，這種方式歸類於磊晶(Epitaxy)。