① 求一篇論文，電磁波在隱形技術中的應用
電磁波隱身技術的發展黃志洵
【摘要】：論述了「對電磁波隱身」這一研究領域的由來和發展，指出它必將對雷達技術引起一場革命。對於作戰用飛行器，本文以美國隱形飛機F—117為例，詳細分析了其隱身原理和設計思想。並指出，對飛行器的有關水平宜用兩個技術指標加以描繪，即「迎頭散射截面平均值」（σa）和「側向散射截面平均值」（σb）。討論了吸波材料的作用和應用方法。指出了近年來理論工作的某些動向；特別討論了導波理論研究對RCS計算（以及降低RCS值）的意義。
【關鍵詞】： 雷達散射截面 雷達吸波材料 隱形飛機 飛行器可發現距離 加襯波導
【分類號】：O441.4
【DOI】：CNKI:SUN:BJGB.0.1996-01-002
【正文快照】：
電磁波隱身技術的發展黃志洵（廣播電視傳輸系）〔摘要〕論述了「對電磁波隱身」這一研究領域的由來和發展，指出它必將對雷達技術引起一場革命。對於作戰用飛行器，本文以美國隱形飛機F—117為例，詳細分析了其隱身原理和設計思想。並指出，對飛行器的有關水平宜用兩個
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【引證文獻】
中國期刊全文資料庫 前1條
1 毛倩瑾,周美玲,陸山,戴瑤;導電高聚物吸波材料的研究進展[J];北京工業大學學報;2004年04期
中國碩士學位論文全文資料庫 前2條
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【共引文獻】
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中國重要會議論文全文資料庫 前4條
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中國博士學位論文全文資料庫 前10條
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中國碩士學位論文全文資料庫 前10條
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【同被引文獻】
中國期刊全文資料庫 前10條
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中國博士學位論文全文資料庫 前2條
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中國碩士學位論文全文資料庫 前5條
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【二級引證文獻】
中國期刊全文資料庫 前2條
1 馬成勇;程海峰;唐耿平;謝煒;;紅外/雷達兼容隱身材料的研究進展[J];材料導報;2007年01期
2 王岩;馮玉傑;劉延坤;武曉威;;隱身技術與隱身材料研究進展[J];化學工程師;2006年09期
中國博士學位論文全文資料庫 前1條
1 侯進;水滑石、石墨、碳化硅以及鐵氧體復合吸波塗層制備與性能研究[D];中國海洋大學;2007年
中國碩士學位論文全文資料庫 前5條
1 梁檳星;新型金屬陶瓷微波吸收材料的制備與性能研究[D];合肥工業大學;2007年
2 李偉平;導電聚苯胺的制備及其電磁性能的研究[D];大連理工大學;2007年
3 鍾己未;新型氧化鋅材料的制備、表徵及其應用[D];南昌大學;2006年
4 王鵬;新型納米吸波材料的制備、結構與性能研究[D];山東科技大學;2006年
5 曹芙蓉;復雜目標電磁散射特性分析與應用[D];華中師范大學;2007年
【相似文獻】
中國期刊全文資料庫 前10條
1 吳振根;;「千呼萬喚始出來」——B-2隱形轟炸機揭秘[J];世界知識;1989年03期
2 馬丁;;高技術兵器在海灣[J];世界博覽;1991年10期
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7 ;編後記[J];大自然探索;1995年03期
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中國重要會議論文全文資料庫 前3條
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9 李聰聰;防空導彈五代登科[N];解放軍報;2005年
10 王輝 耿海軍;信息化戰爭空中作戰新走勢[N];解放軍報;2005年
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>空軍第五研究所七室
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相關作者
>孟德佔 >黃再祥
>小袁 >謝明
>鞏彩金 >任道南
>馬丁 >徐潤君
>迪平 >李大光
>路慶和 >周發國
>張小平 >毛文戎
>楊宏斌 >白木
>陳正平 >林白
>董洪良 >吳振根
http://www.cnki.com.cn/Article/CJFDTotal-BJGB601.002.htm
② 蒸鍍生產光學鏡片時有什麼優缺點相比濺鍍又如何
蒸鍍 (Evoaporation)及濺鍍 (Sputtering)
所謂的物理氣相沉積 (Physical Vapor Deposition, PVD)，就是以物理現象的方式，來近進行薄膜沉積的一種技術。在半導體製程中主要的PVD技術，有蒸鍍 (Evoaporation)及濺鍍 (Sputtering) 等兩種。前者是藉著對被蒸鍍物體
加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進行薄膜沉積；而後者，則是利用電漿所產生的離子，藉著離子對被濺鍍物電極(Electrode) 的轟擊(Bombardment)，使電漿的氣相 (Vapor phase) 內具有被鍍物的原子，然後產
生沉積鍍膜。本次微機電的實驗為使用濺鍍的方式來進行薄膜沉積。
http://www2.nkfust.e.tw/~jcyu/Course/MEMS Lab/q.pdf
蒸鍍
蒸鍍鍍膜就是在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結，形成一層薄膜．蒸鍍鍍膜要求鍍膜室內殘余氣體分子的平均自由程大於蒸鍍源到基片的距離，盡可能減少蒸鍍物的分子與氣體分子碰撞的機會，這樣才能保證薄膜純凈和牢固，蒸鍍物也不至於氧化
在蒸鍍鍍膜過程中，要想控制蒸鍍速率，必須精確控制蒸鍍源的溫度．蒸鍍鍍膜最常用的加熱方法是電阻大電流加熱．採用鎢、鉬、鉭、鉑等高熔點化學性能穩定的金屬，做成適當形狀的加熱源，其上裝入待蒸鍍材料，讓電流通過，對蒸鍍材料進行直接加熱蒸鍍，或者把待蒸鍍材料放入氧化鋁、氮化硼或石墨等坩堝中進行間接加熱蒸鍍．例如蒸鍍鋁膜，鋁的熔點為659 ℃，到1100 ℃時開始迅速蒸鍍，常選用鎢絲作為加熱源，鎢的熔化溫度為380 ℃．在真空鍍膜中，飛抵基片的氣化原子或分子，除一部分被反射外，其於的被吸附在基片的表面上．被吸附的原子或分子在基片表面上進行擴散運動，一部分在運動中因相互碰撞而結聚成團，另一部分經過一段時間的滯留後，被蒸鍍而離開基片表面．聚團可能會與表面擴散原子或分子發生碰撞時捕獲原子或分子而增大，也可能因單個原子或分子脫離而變小．當聚團增大到一定程度時，便會形成穩定的核，核再捕獲到飛抵的原子或分子，或在基片表面進行擴散運動的原子或分子就會生長．在生長過程中核與核合成而形成網路結構，網路被填實即生成連續的薄膜．顯然，基片的表面條件（例如清潔度和不完整性）、基片的溫度以及薄膜的沉積速率都將影響薄膜的品質．
http://www.phys.ncyu.e.tw/~science/Textbook/95-NCYU-DAP-2-Thin-Film.doc
濺鍍
一般濺鍍現象多在兩極間施加一直流電壓，因此又稱為直流濺鍍，通常是利用氣體的輝光放電效應，產生正離子束撞擊靶原子。直流濺鍍不能用來濺鍍絕緣體，因為在直流濺鍍時，撞擊陰極靶材的離子所帶的電荷不能被中和而停留在靶面上，使靶材變成帶正電而阻止正電荷離子靠近，但用射頻（RF）濺鍍則可避免這個問題。所謂的射頻濺鍍是在介電質靶材背面加一金屬電極且改用射頻交流電（13.56 MHz），因為電子比正離子跑得快，在射頻的正半周期已飛向靶面中和了負半周期所累積的正電荷，由於頻率相當快，正離子一直留在電漿區，對靶材（陰極）仍維持相當高的正電位，因此濺射得以繼續進行。所以射頻濺鍍法不僅可以濺鍍金屬，也可以濺鍍絕緣體材料，其鍍膜速率較直流濺鍍快、成膜均勻、緻密度高、成分與靶材差異小且與基板附著性佳。直流濺鍍及射頻濺鍍，帶電粒子的行進路線是沿著電場方向作直線運動，產生的電漿游離率並不高，大多數的氣體原子都是不帶電的，此種不帶電的原子無法被加速而產生濺鍍，導致濺鍍效率降低，為了提高氣體的游離率及濺鍍效率，一般會在靶材上加裝磁場，形成所謂的磁控濺鍍。
http://www.ntut.e.tw/~wwwemo/instrument_manual/sputter.htm