功率半導體器件pdf

Ⅰ 可控硅整流模塊觸發電壓或者電流是多少

可控硅的觸發電壓一般為1~2V吧,具體的參數可以查手冊。
可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。

Ⅱ BCR8PM是什麼元器件

BCR8PM是雙向可控硅，電子元件用在線路板上。
可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。

Ⅲ 如何學習電子元件

電子元器件包括：電阻、電容器、電位器、電子管、散熱器、機電元件、連接器、半導體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、感測器、電源、開關、微特電機、電子變壓器、繼電器、印製電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專用材料、電子膠（帶）製品、電子化學材料及部品等。
一：怎樣認識電阻
1、電阻按功率大小可分為從零點幾瓦到幾千瓦， 但常用的有：1/8W、1/4W、1W、2W、3W、5W、 10W、20W、50W、100W等。
2、阻按材料分有金屬膜、碳膜和金屬氧化膜、線繞、光敏、熱敏之分等。
3、按電阻外材料分有玻璃鈾電阻、水泥電阻、玻璃陶瓷電阻
4、按外形分有直式、彎式、貼片 按其阻值形式來分有固定式和
可調式。
5、按其功能來分有光敏、熱敏、壓敏、熔斷之分。

Ⅳ 這是什麼二極體

體效應二極體又稱耿氏（Gunn）二極體或轉移電子器件（TED），它可以實現微波信號的產生和放大
，體效應二極體與普通器件的比較：
1、普通器件是以結或柵為其工作基礎的；而體效應二極體為體器件，不存在結或柵；
2、大多數晶體管是由單一半導體元素製成的，如硅。而體效應器件是用化合物半導體材料生產，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦、（InP）、或碲化鎘（CdTe）製成的；
3、晶體管是以能量比半導體中電子熱激發能量（室溫下0.026eV）大不了多少的「溫熱」電子工作，而體效應器件是以能量比熱激發能大的多的「熱」電子工作的。
體效應二極體是在1963年由IBM公司的J.B.Gunn發明的。1967年用外延法製作成實用的耿氏（Gunn）二極體。1969年採用倒裝結構改善散熱。此後體效應管的研製和生產發展迅速，成為一種成熟的微波半導體功率器件，成功取代了小功率反射速調管，在4-60
GHz的頻率范圍內，廣泛用於本機振盪器、訊號源、泵源及小功率發射源。
體效應二極體的結構是簡單的：將一塊n型GaAs外延片，兩面作上歐姆接觸，裝入管殼內，並焊上引線即可。把這樣一個體效應二極體安裝在諧振腔內，管子兩端加上子流電壓，這時體效應管就能將輸入的直流能量轉變為微波能量輸出。

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Ⅵ 有源器件的光有源器件

光纖通信中主要應用半導體激光器作為光源，近年來隨著光纖及其相關技術的深入發展，光纖激光器（FI，）的研發正成為光電子技術等領域內一個熱點。光纖激光器具有結構緊湊、轉換效率高、設計簡單、輸出光束質量好、散熱表面大、閡值低、高可靠性等優點。可以根據諧振腔結構、增益介質、輸出波長、激光模式、摻雜元素、工作機制、光纖結構等加以分類。如果以泵浦抽運方式來分，可以分為纖芯端面泵浦（coreendpumping）（單包層結構）、包層端面泵浦（claddingendpumping）（雙包層結構）和包層側面泵浦（claddingsidepumping）（光纖結構）光纖激光器三大類。
單包層結構的光纖激光器是最早研究的一類光纖激光器，可以追溯到60年代。採用的增益材料有摻NdzO：的硅酸鹽系玻璃、摻欽石英光纖、摻稀土的石英光纖、氟化物玻璃光纖等，激光輸出功率在毫瓦到瓦量級，激光波長在0.48^-2.7pm范圍內。雙包層結構光纖激光器（DCFIL）是80年代末發展起來的一類光纖激光器，是目前的研發重點和熱點。由於泵浦方式的改變，這類光纖激光器的激光輸出功率明顯提高，已能達到數瓦到近百瓦量級的輸出光功率，使用的增益光纖有摻稀土元素（如Er'十、Yb3十、Nd3+等）的石英光纖、摻稀土元素的氟化物（ZBLAN）玻璃光纖、光子晶體光纖(PCF）等。為了提高輸出功率，設計出了對稱圓形、偏心圓形、D形、矩形、六邊形、梅
花形等內包層結構，其中以長方形內包層結構轉換效率最高。巳有餌-共摻雙包層光纖激光器輸出功率達103W、波長為1565nm的報道，以及鎖模摻餌光纖激光器脈沖寬度已達3fs的報道，這些都為全光纖高速通信的實現打下了基礎。目前該類光纖激光器從成熟的光纖通信領域向工業加工、醫學、印刷業、國防等激光應用領域擴展。
光纖結構光纖激光器是近年來提出的泵浦新方法，實際上它是包層端面泵浦方式的一種改進，它從包層側面射入抽運光，從而構成了「任意形狀」光纖激光器概念，使千瓦級的高功率光纖激光器得以實現。現在已有輸出功率達2000W，激射波長為1.060um的摻德（Yb）石英光纖激光器產品。包層側面泵浦也有多種方式，如V型槽側面泵浦、全拼接側面泵浦、光纖束側面泵浦等。採用光學相位陣列（OPA）技術可以得到高能的光纖脈沖激光，這種光纖激光器在激光武器系統、光電對抗、激光有源干擾等國防、軍事領域有著十分重要的應用，美國、德國等已有相應的軍用高功率光纖激光器研製計劃和實施項目。現在已研發的光纖激光器的諧振腔腔形結構主要有法布里一拍羅（F-P）腔、環行腔、v形腔，8字形腔、福克斯一史密斯(Fox-Smith）腔以及一些復合腔等。光纖激光器是一類新型的激光器，光纖激光器的研究與開發將把包括光纖通信在內的光纖及其相關技術推進到一個新高度，與半導體激光相比，至少在結構上，光纖激光器與光纖通信系統和網路藕合匹配程度更好。
光纖激光器是全光纖化的光源，它將逐漸成為光纖通信領域重要的候選光源。此外，無諧振腔的超熒光光纖光源（SFS）、光子晶體光纖激光器（PCFL）等也是近期活躍的研究課題之一。摻餌光纖放大器(EDFA）的研發成功是80-90年代光纖通信領域內一項重大的技術突破，具有十分重要的意義。近年來，隨著光纖放大器技術的不斷完善和發展以及與WDM技術的融合，光纖通信的長（超長）距離、（超）大容量、（超）高速、密集波分復用(DWDM）等正成為國際上長途高速光纖通信、越洋光纖通信等領域的主要技術發展方向。 光纖放大器有摻雜光纖放大器（摻稀土元素，如EDFA,PDFA,YDFA等），非線性光纖放大器（喇曼光纖放大器（RFA）、布里淵光纖放大器（BFA）、光纖參量放大器（OPA）等），塑料光纖放大器（POFA），摻餌光波導放大器（EDWA）等之分。主要技術指標有帶寬特性、雜訊特性、增益特性等。EDFA是最早開發，目前應用最廣泛並且已完全商用化的光纖放大器，具有高增益、大功率、寬頻帶、低雜訊、增益特性與偏振無關、對數據速率與格式透明、插損小、多信道放大串擾低等特點。泵浦光波長主要是980nm（三能級系統)和1480nm（二能級系統），泵浦方式有同向、反向、雙向等三種基本方式；EDFA的級聯可構成多級EDFA系統。普通的石英基EDFA工作波段在1535-1565nm(G波段），一般增益可達30dB以上，增益帶寬為20^-40nm，輸出功率為+20dBm左右，雜訊系數（NF）小於5dB,EDFA可用於線路（中繼）、功率、前置，LAN等形式的放大。為了進一步提高EDFA的性能，可以在硅（Si）基摻餌玻璃光纖中加人其它摻雜元素。例如摻鋁（Al），衫（Sm），德（Yb）、氮（N）、磷（P）、銻（Bi）等，以改善放大器的增益帶寬和平坦化特性。近期用於L帶的氟基摻餌光纖放大器（F-EDFA），蹄基摻餌光纖放大器（Te-EDFA），秘基摻餌光纖放大器（Bi-EDFA）等以及在氟化物玻璃光纖、硅酸鹽玻璃光纖、磅酸鹽玻璃光纖中摻銘（Tm）等，用於S帶的摻鐵光纖放大器（TDFA）成為光纖放大器的研究熱點。摻欽光纖放大器（NDFA）和摻餌光纖放大器（PDFA）可以工作在1310nm波長，對提高和改進現有光纖通信系統的性能具有重要的現實意義。NDFA和PDFA都是以摻欽（Nd）和摻錯（Pr）氟玻璃光纖作為放大增益介質，但NDFA由於放大自發輻射（ASE）限制因素，不易做高增益的1310nm放大器，泵浦波長795nm;PDFA放大效率低、工作不穩定，已研製出最大增益為40dB、雜訊系數（NF）為5dB，輸出功率為+20dBm的PDFA,NDFA和PDFA的結構性能和可靠性等還有待進一步的改善和提高，以利於完全的商用化。喇曼光纖放大器（RFA）應用了光纖中的喇曼效應來實現光信號放大。
RFA最主要的優點是雜訊系數小、全波段可放大、對溫度不敏感、在線放大等。RFA有分立式和分布式之分，以適應不同的需求。分立式RFA主要採用拉曼增益高的特種光纖（如高摻鍺（Ge）光纖等），長度約1一2km，泵浦功率幾瓦，泵浦波長1.06um激光產生的三級斯托克斯(Stakes）線可泵浦放大1.3t.m波長的光信號；1.55rlm波長的光纖通信系統可使用1.48t.m泵浦激光。分立式RFA可產生40dB以上的小信號增益，飽和輸出功率+25dBm左右，作為高增益、大功率放大，主要用在需要高增益、易於控制的通信系統中。分布式RFA直接用傳輸光纖作為放大增益介質，具有分布式放大、雜訊系數小、利用系統升級等特點，主要作為光纖系統分布式補償放大，可以用在遠程泵浦、寬頻、遠距離的1.3pm和1.55f4m光纖傳輸系統和網路中。RFA的雜訊系數（NF）比EDFA明顯要小，分布式RFA的NF一般在0.5一1dB之間。RFA相對於EDFA在寬頻特性、增益特性、光信噪比（QSNR）和配置靈活性方面都具有明顯的優勢，更適合大容量、高速率和遠距離的傳輸系統和網路。另外，已出現RFA和EDFA相結合，構成混合式光纖放大器（HFA）的趨勢，HFA吸收了RFA和EDFA的長處，進一步提升了光纖放大器的性能。 ①打雷時，在供電線路上很容易產生很高的意外過電壓將放大器擊壞，可在放大器電源上加裝一隻防雷突波器來達到保護放大器不致燒壞的目的。
②放大器的供電電壓過低，或者電源插座接觸不良，放大器長期工作在較大電流下，使放大器燒壞，採取的措施是選用開關電源的放大器，拓寬供電電源的范圍，保證放大器正常工作，信號質量不變，特別是農村電源線路不規范，電壓低的和不穩定的較普遍，放大器損壞的也較多，這些地方也可選用開關電源放大器。
③因供電線路各相電源負荷不平衡，使中心線有電流通過，一旦中心線燒斷，使相電壓變成線電壓，達到380V左右，由於各相所帶負荷不等，因此各相間電壓也會有高低不等，這時正在工作的放大器會因電壓升高而燒壞。
④放大器電源中的濾波電容因長時間工作，電容乾枯、老化、容量變小，在電視屏幕上產生50Hz上下移動的交流橫道線，使畫面不幹凈，這是維修中常見到的故障。
⑤放大器內部散熱不好，使電平出現波動，原因是可調部位是金屬片，放大器溫度過高時，非常容易使可調金屬片熱脹冷縮，造成接觸不良，使電平不穩定。
⑥使用一定年限的放大器指標會變壞，元件老化，特別是前幾級的放大器一定要換掉，以免影響傳輸質量；出故障經修復後的放大器不能用在主幹線和支幹線的前幾級；可用在戶數較少的終端上，一旦出故障，也不會影響大面積用戶收看電視。
⑦放大器本身溫度過高，加上安裝的位置又是太陽直射的地方，也容易使放大器保險燒斷，中斷電視信號。 ①雷擊時饋電線路電壓升高後不僅燒壞饋電器，而且會燒壞線路中的所有饋電放大器，採取措施是在饋電器前加裝雷擊過電壓保護器，放大器選用有防雷保護的。
②主幹線某段電纜因人為或其它原因導致電纜短路，使短路點到饋電源之間的放大器和饋電器燒壞，規化設計時對饋電線路的短路保護應採取有效措施。
③因頻繁的停送電，產生的浪涌瞬間沖擊電壓，易燒壞放大器的熔絲，有的熔絲未斷，由於瞬間電壓高，也會燒壞放大器電源或模塊組件，可在放大器加裝過壓消除器，能起到一定作用。
③電源線老化、放大器電源插頭接觸不良均可使放大器斷續工作，造成電視信號時有時無故障。
4.放大器電平的控制
在接入網中，放大器入口出口電平的控制很重要，因電平對環境溫度的變化很敏感，夏季溫度升高，電纜損耗增大，入口電平降低，造成系統載噪比惡化，同時放大器的增益也會隨溫度的上升而下降，使傳輸電平下降，影響用戶收看，氣溫下降時，電纜損耗減小，放大器出口電平上升較多，若超出允許范圍，會使系統產生交互調比的變化，使屏幕出現網紋和雨刷狀的交調干擾，影響了終端收看效果，嚴重時無法收看，因此嚴格控制放大器入出口電平，採取有效措施彌補溫差變化而導致的電平嚴重不穩是維護技術人員的當務之急，務必引起重視。

Ⅶ ss24是什麼二極體

SS24是電流為2A，電壓為40V的肖特基二極體。

它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體使用，或在微波通信等電路中作整流二極體、小信號檢波二極體使用。

SS24：最大反向峰值電壓VRRM=40V、最大正向整流電流I(AV)=2A、最大正向壓降VF=0.5V、最大反向漏電流IR=20mA、封裝形式SMB/DO-214AA。

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肖特基二極體SS34和SS24的區別如下：

1、最大反向峰值電壓不同

SS34肖特基二極體的最大反向峰值電壓VRRM是40.3V。

SS24肖特基二極體的最大反向峰值電壓VRRM是40.2V。

2、最大正向壓降不同

SS34肖特基二極體的最大正向壓降VF是0.53V。

SS24肖特基二極體的最大正向壓降VF是0.52V。

3、最大反向漏電流不同

SS34肖特基二極體的最大反向漏電流IR是20.3mA。

SS24肖特基二極體的最大反向漏電流IR是20.2mA。