flash存儲器編程

Ⅰ FLASH存儲器是什麼

什麼是flash
memory存儲器
介紹關於閃速存儲器有關知識
近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(flash
memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，flash
memory屬於eeprom(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有rom的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫，
功耗很小。目前其集成度已達4mb，同時價格也有所下降。
由於flash
memory的獨特優點，如在一些較新的主板上採用flash
rom
bios，會使得bios
升級非常方便。
flash
memory可用作固態大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬碟。硬碟雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬碟的手段。由於flash
memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬碟已成為可能。
目前研製的flash
memory都符合pcmcia標准，可以十分方便地用於各種攜帶型計算機中以取代磁碟。當前有兩種類型的pcmcia卡，一種稱為flash存儲器卡，此卡中只有flash
memory晶元組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟體進行管理。另一種稱為flash驅動卡，此卡中除flash晶元外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與ide標准兼容，可在dos下象硬碟一樣直接操作。因此也常把它們稱為flash固態盤。
flash
memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用於要求可靠性高，重量輕，但容量不大的攜帶型系統中。在586微機中已把bios系統駐留在flash存儲器中。

Ⅱ flash存儲器的擦寫的兩種模式是什麼

監控模式或寫入器模式。
用戶模式或在線編程模式，兩種模式各有優缺點：監控模式需要外部硬體支持，但不需要單片機內部程序的存在，所以適合對新出廠晶元進行編程寫入，用戶模式可以在單片機正常工作時進入，所以常用在程序運行過程中對部分Flash存儲器的一些單元內容進行修改，特別適合於目標系統的動態程序更新和運行數據的存儲。一般來說，兩種模式對Flash存儲器的編程操作的程序是一致的，差別在於調用這些程序的方式和環境。

Ⅲ MC908GP32單片機的Flash存儲器的編程過程

在HC08系列單片機中，對Flash進行擦除或寫入操作需要遵循一定的時序和步驟。對於整個MC68HC908系列的各個型號，這些步驟是一樣的，但時序要求可能略有不同，針對具體型號的Flash進行編程時應參考相應的晶元手冊。同時需要注意的是，一些型號的監控ROM內含有Flash編程子程序，用戶可直接調用，例如MC68HC908JL3；有的型號則沒有，例如MC908GP32，這種情況需自行編制子程序。下面介紹MC908GP32的Flash編程的基本操作。 下面過程可以擦除GP32的Flash存儲器的一頁(128位元組)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：進行頁面擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash頁內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向待擦除頁首地址寫入0。
④延時tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延時terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1µs)，完成一頁的擦除操作。 下面過程擦除GP32的整個Flash區域，以便把新的程序裝入Flash存儲器，這是應用系統研製過程中開發工具對GP32編程的准備工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：進行整體擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向首地址寫入0。
④延時tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延時tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延時trcv(>1µs)，完成整體擦除操作。 MC908GP32的Flash編程操作以行(64位元組)為單位進行的。當然，一次寫入可以小於一行，但不能大於一行。對於已經寫過的部分，未經擦除不能重新寫入變更其數據，否則將引起數據出錯。寫入過程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向將要寫入的Flash行內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向行首地址寫入0，這一步選定了所要編程的行，以下的目標地址必須在這一行中。
④先延時tnvs(>10µs)；再將$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延時tpgs(>5µs)；再將待寫數據寫入對應的Flash地址。
⑥延時tprog(>30µs)，完成一個位元組的寫入(編程)工作。
⑦重復⑤、⑥，直至同一行內各位元組寫入完畢。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延時tnvh(>5µs)；再將$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1µs)以後，完成本行寫入工作，可以讀出校驗。

Ⅳ 在系統可編程flash存儲器是什麼意思

FLASH存儲器是閃速存儲器，它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。

Ⅳ flash存儲器可以存儲什麼信號

8 個 I/O 埠.
但是只能以信號輪流傳送的方式完成數據的傳送，速度要比 NOR 快閃記憶體的並行傳輸模式慢多。再加上 NAND 快閃記憶體的邏輯為電子盤模塊結構，內部不存在專門的存儲控制器，一旦出現數據壞塊將無法修，可靠性較 NOR 快閃記憶體要差。
flash快閃記憶體是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行,所以大多數情況下,在進行寫入操作之前必須先執行擦除。

Ⅵ flash是什麼意思/

英[fl__]美[fl__]
v.閃光;(使)閃耀;(向?)用光發出(信號);(快速地)顯示;飛速運動;突然想到;（使）閃現，映出，顯示;（通過無線電、計算機等）快速發送（信息）;突然顯露（強烈情感。
n.閃光;閃耀;(尤指信號燈)閃亮;(想法的)突現;(情感的)突發;（明亮的東西）閃現;閃光燈;徽章，肩章，臂章;彩條;Flash網站動畫製作程序。
adj.龐大的;昂貴的;穿著奢華的。
第三人稱單數：flashes。
現在分詞：flashing。
過去式：flashed。
過去分詞：flashed。一站式出國留學攻略 http://www.offercoming.com

Ⅶ flash一個地址能存多大數據

flash一個地址能存1Kb和2Kb的，也就是1024位元組和2048位元組，一般來說內部flash大的採用2048位元組一頁，內部flash小的採用1024位元組一頁。

flash是存儲晶元的一種，通過特定的程序可以修改裡面的數據。FLASH在電子以及半導體領域內往往表示Flash Memory的意思，即平時所說的「快閃記憶體」，全名叫Flash EEPROM Memory。

flash存儲器又稱快閃記憶體，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還可以快速讀取數據，使數據不會因為斷電而丟失。

Flash種類：

目前Flash主要有兩種NORFlash和NANDFlash。NORFlash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NORFLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。

NANDFlash沒有採取內存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個位元組，採用這種技術的Flash比較廉價。

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