flash存儲編程

❶ 怎樣對51單片機內的FLASH和EEPROM編程

程序代碼是存放在flash里，中間變數放在RAM里的吧。。。如果你想把變數數據放到EEPROM中，可以在程序中指定操作放入Flash或者EEPROM中。單純編譯是將程序放到FLASH中的。

❷ flash存儲器的擦寫的兩種模式是什麼並闡述過程

編程過程。flash存儲器的擦寫的兩種模式是編程過程，Flash內部程序對Flash其他區域進行擦除與寫入，用於程序運行過程中，進行部分程序的更新或保存數據。

❸ 什麼是flash編程

flash編程 又指 AS編程 是指用flash裡面的 Action Script 語言來編些程序。Action Scprit 簡稱AS , 用於編寫與flash交互的程序，在flash裡面稱之為 動作腳本。 由於現在flash在網路上的廣泛使用，AS編程也越來越受關注了。

❹ 單片機的flash中存放的是指令還是數據

可以存數據也可以存程序，FLASH也就是快閃記憶體是可以電擦寫的，因此可以存數據，但因為寫入速度較慢，因此不適合存速度要求變化較快的數據。一般而言，FLASH以存程序較多。

❺ 在系統可編程flash存儲器是什麼意思

FLASH存儲器是閃速存儲器，它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬於EEPROM(電擦除可編程只讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易於擦除和重寫， 功耗很小。

❻ MC908GP32單片機的Flash存儲器的編程過程

在HC08系列單片機中，對Flash進行擦除或寫入操作需要遵循一定的時序和步驟。對於整個MC68HC908系列的各個型號，這些步驟是一樣的，但時序要求可能略有不同，針對具體型號的Flash進行編程時應參考相應的晶元手冊。同時需要注意的是，一些型號的監控ROM內含有Flash編程子程序，用戶可直接調用，例如MC68HC908JL3；有的型號則沒有，例如MC908GP32，這種情況需自行編制子程序。下面介紹MC908GP32的Flash編程的基本操作。 下面過程可以擦除GP32的Flash存儲器的一頁(128位元組)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：進行頁面擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash頁內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向待擦除頁首地址寫入0。
④延時tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延時terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1µs)，完成一頁的擦除操作。 下面過程擦除GP32的整個Flash區域，以便把新的程序裝入Flash存儲器，這是應用系統研製過程中開發工具對GP32編程的准備工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：進行整體擦除。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向首地址寫入0。
④延時tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延時tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延時tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延時trcv(>1µs)，完成整體擦除操作。 MC908GP32的Flash編程操作以行(64位元組)為單位進行的。當然，一次寫入可以小於一行，但不能大於一行。對於已經寫過的部分，未經擦除不能重新寫入變更其數據，否則將引起數據出錯。寫入過程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②讀Flash塊保護寄存器FLBPR。
③向將要寫入的Flash行內任意一個地址寫入任意值，為方便起見，一般向行首地址寫入0，這一步選定了所要編程的行，以下的目標地址必須在這一行中。
④先延時tnvs(>10µs)；再將$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延時tpgs(>5µs)；再將待寫數據寫入對應的Flash地址。
⑥延時tprog(>30µs)，完成一個位元組的寫入(編程)工作。
⑦重復⑤、⑥，直至同一行內各位元組寫入完畢。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延時tnvh(>5µs)；再將$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延時trcv(>1µs)以後，完成本行寫入工作，可以讀出校驗。