單片機io口可以接多大電容

A. 單片機電路VCC和GND之間的電容多大為好

開關電源的入口處加大電解電容儲能，100UF以上。單片機的VCC腳靠近接10UF+0.1uF陶瓷電容。就你這應用不會有問題。

B. STC89C52RC的單片機晶振電路接的電容的大小范圍是什麼可以用50V 30PF的瓷片電容么

比較普遍的都是用30PF，高頻瓷片電容15到30均可，主要是穩定波形，耐壓高於電源電壓就可以。

C. 紅色的地方不能直接接大電容到地嗎接了晶元就發燙 還有單片機IO口不能直接接104的瓷片電容濾波嗎 求解

紅色那地方不能接到電容的，電容的負極是電源的負極，接上去不但晶元熱，整個電路沒輸出了。
單片機IO口分幾種類型
1：數字信號輸出，不能接電容濾波，也沒有濾波意義，數字信號輸入，104太大了，102、103就可以了。
2：模擬信號輸入：可以接濾波電容，可以使輸入更穩定；
3：模擬信號輸出，比如PWM信號，要串個適當的電阻後再接電容濾波。

D. 單片機IO口可以直接對地接多大的電容

要看應用...消干擾的話用n級的就可以了,其他場合可用u級的大概0.1u左右

E. 單片機IO口所能承受的電平是多大

一般5V的單片機如51等最大承受5V電壓，可以加個穩壓管

F. 單片機IO口能接的最大電壓是多少

什麼單片機，51單片機的io口是5v，30ma，電壓或者電流超過就不行了，stm32系列的單片機是3.3v

G. 51單片機晶振上接的電容大小該如何選擇

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，單片機內部有相應的整形電路。

在規定的時間內，由於規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振盪器頻率與給定標稱頻率的最大頻差。

總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度准確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關心，而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場合採用。

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在多數應用中，晶體振盪器是長期加電的，然而在某些應用中晶體振盪器需要頻繁的開機和關機，這時頻率穩定預熱時間指標需要被考慮到（尤其是對於在苛刻環境中使用的軍用通訊電台，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃），採用OCXO作為本振，頻率穩定預熱時間將不少於5分鍾，而採用DTCXO只需要十幾秒鍾）。

石英晶體振盪器是利用石英晶體（二氧化硅的結晶體）的壓電效應製成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，在它的兩個對應面上塗敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器。

H. NRF24L01+晶元IO口可耐5V，和5V單片機相連,是否要串2K電阻

24l01的電源端需要3.3v電壓，可以直接用1117-3.3晶元，把5V穩到3.3，io口可以直接連單片機，最好在24l01的mosi與miso兩個口上接4.7k上拉電阻。1117再並聯兩個104電容，這樣比較穩定。

I. STM32的GPIO口能夠承受多大電壓哪些IO口能容忍5V

這個需要查手冊
1， 你看到手冊里有FT 就是容忍5V 的電壓。
2，如果連接TTL電平的話 最小 2V 最大 Vdd+0.5V 也就是5.5V （這個是最大值）（題外話如果大於這個電壓的話，估計32就OVER了）

3，如果連接COMS 電平的話有分輸入最低電平電壓（也就是埠可以檢測到的電壓）-0.5V ---最大值 0.35×VDD
-----輸入高電平電壓 最小值是 0.65*VDD 最大值 是 VDD+0.5V。

4，標准IO腳施密特觸發器電壓延遲 最小值是 200MV
5，輸入漏電流 3ua.
6,弱上拉電阻
7，弱下拉電阻
8，IO引腳的電容。

寫了這么多，估計你只想知道的就是 IO 埠 ，我給最小幾V 的電壓，埠就能確定是 1.或小於多少電壓埠就認為是 0 .
這個就是上面寫的 TTL 電平 和 COMS 電平 。
最小值 2V 最大值5V。

如果實際操作是一定確定在IO埠允許范圍之內否則，我們偉大的32 就可能犧牲了。