寧波單片機晶振生產廠家

A. 請問單片機晶振電路中兩個電容的作用是什麼

單片機晶振電路中兩個電容（負載電容）的作用是把電能轉換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振盪部分會因為沒有迴路而停振。電路不能正常工作了。

負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。

所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

電動機能把電能轉換成機械能，電阻能把電能轉換成熱能，電燈泡能把電能轉換成熱能和光能，揚聲器能把電能轉換成聲能。電動機、電阻、電燈泡、揚聲器等都叫做負載。

晶體三極體對於前面的信號源來說，也可以看作是負載。對負載最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

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單片機能正常工作的必要條件之一就是時鍾電路，所以單片機就很需要晶振。通過一定的外接電路來，可以生成頻率和峰值穩定的正弦波。

而單片機在運行的時候，需要一個脈沖信號，做為自己執行指令的觸發信號，可以簡單的想像為：單片機收到一個脈沖，就執行一次或多次指令。

單片機工作時，是一條一條地從RoM中取指令，然後一步一步地執行。單片機訪問一次存儲器的時間，稱之為一個機器周期，這是一個時間基準。

—個機器周期包括12個時鍾周期。如果一個單片機選擇了12兆赫茲晶振，它的時鍾周期是1/12us，它的一個機器周期是12×（1/12）us，也就是1us。

晶振是給單片機提供工作信號脈沖的。這個脈沖就是單片機的工作速度。比如12兆晶振。單片機工作速度就是每秒12兆。單片機內部也有晶振。接外部晶振可以或得更穩定的頻率。

B. stc89c52晶振頻率是多少

stc89c52最高運作頻率35MHz，STC89C52RC是STC公司生產的一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K位元組系統可編程Flash存儲器。STC89C52 支持2種軟體可選擇節電模式。

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stc89c52器件參數

1、增強型8051單片機，6 時鍾/機器周期和12 時鍾/機器周期可以任意 選擇，指令代碼完全兼容傳統8051。

2、工作電壓：5.5V～3.3V（5V單片機）/3.8V～2.0V（3V 單片機）。

3、工作頻率范圍：0～40MHz，相當於普通8051 的0～80MHz，實際工作頻率可達48MHz。

4 、通用I/O 口（32 個），復位後為：P1/P2/P3 是准雙向口/弱上拉，P0 口是漏極開路輸出，作為匯流排擴展用時，不用加上拉電阻，作為 I/O 口用時，需加上拉電阻。

C. 51單片機到底使用哪種晶振好

標準的51單片機晶振是1.2M-12M，一般由於一個機器周期是12個時鍾周期，所以先12M時，一個機器周期是1US，好計算，而且速度相對是最高的（當然現在也有更高頻率的單片機）。
11.0592M是因為在進行通信時，12M頻率進行串列通信不容易實現標準的波特率，比如9600，4800，而11.0592M計算時正好可以得到，因此在有通信介面的單片機中，一般選11.0592M

D. 為什麼單片機晶振實際是11.0592MHz，而不是12MHz

因為11.0592MHz能夠准確地劃分成時鍾頻率，與UART（通用非同步接收器/發送器）量常見的波特率相關。特別是較高的波特率（19600，19200），不管多麼古怪的值，這些晶振都是准確，常被使用的。

用11.0592晶振的原因是51單片機的定時器導致的,用51單片機的定時器做波特率發生器時，如果用11.0592Mhz的晶振，根據公式算下來需要定時器設置的值都是整數；如果用12Mhz晶振，則波特率都是有偏差的。

比如9600，用定時器取0XFD，實際波特率10000，一般波特率偏差在4%左右都是可以的，所以也還能用STC90C516晶振12M波特率9600，倍數時誤差率6.99%，不倍數時誤差率8.51%，數據肯定會出錯。

這也就是串口通信時大家喜歡用11.0592MHz晶振的原因，在波特率倍速時，最高可達到57600，誤差率0.00%。用12MHz，最高也就4800，而且有0.16%誤差率，但在允許范圍，所以沒多大影響。

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單片機晶振的選擇：

晶振好比單片機的心臟，晶振選擇太高不太合適，具體晶振上限是多少，恐怕測不出來，只能按照單片機的要求，一般STC系列單片機上限是35M或40M，stc單憑上寫的有，如STC11F16XE 35I-LQFP44G其中35I就是晶振最高35M的工業級晶元。

如果用於串口通信，建議選用11.0592M的或22.184M，選擇晶振最主要還是參照說明書。

E. 51單片機的晶振在那個地方啊（有圖最好）

那是AT89c52開發板上的晶振，第一張是實物圖

我用的是頻率為11.0592的晶振

F. 單片機的外部晶振電路是怎麼回事，如何計算所選電容的

1. 晶振是晶體振盪器的簡稱，在電氣上它可以等效成一個電容和一個電阻並聯再串聯一個電容的二端網路。電工學上這個網路有兩個諧振點，以頻率的高低分，其中較低的頻率是串聯諧振；較高的頻率是並聯諧振。由於晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當的接近，在這個極窄的頻率范圍內，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端並聯上合適的電容它就會組成並聯諧振電路。這個並聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振盪電路，由於晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個振盪器的頻率也不會有很大的變化。

2. 晶振有一個重要的參數——負載電容值，選擇與負載電容值相等的並聯電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振盪電路都是在一個反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯的容量值就應該等於負載電容。請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負載電容為15pF或12.5pF，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22pF的電容構成晶振的振盪電路就是比較好的選擇。

3. 

4. 如上圖:晶振是給單片機提供工作信號脈沖的 這個脈沖就是單片機的工作速度 比如 12M晶振 單片機工作速度就是每秒12M 當然 單片機的工作頻率是有范圍的不能太大 一般24M就不上去了 不然不穩定。
   晶振與單片機的腳XTAL0和腳XTAL1構成的振盪電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波) 這個波對電路的影響不大 但會降低電路的時鍾振盪器的穩定性 為了電路的穩定性起見ATMEL公司只是建議在晶振的兩引腳處接入兩個10pf-50pf的瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響 所以晶振所配的電容在10pf-50pf之間都可以的 沒有什麼計算公式。
   晶振電路中如何選擇電容C1，C2?
   (1)因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按製造廠商所提供的數值選擇外部元器件。
   (2)在許可范圍內，C1，C2值越低越好。C值偏大雖有利於振盪器的穩定，但將會增加起振時間。
   (3)應使C2值大於C1值，這樣可使上電時，加快晶振起振。
   在石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的應用中，需要注意負載電容的選擇。不同廠家生產的石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性和品質都存在較大差異，在選用，要了解該型號振盪器的關鍵指標，如等效電阻，廠家建議負載電容，頻率偏差等。在實際電路中，也可以通過示波器觀察振盪波形來判斷振盪器是否工作在最佳狀態。示波器在觀察振盪波形時，觀察OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振盪波形相對影響小。(由於探頭上一般存在10～20pF的電容，所以觀測時，適當減小在OSCO管腳的電容可以獲得更接近實際的振盪波形)。工作良好的振盪波形應該是一個漂亮的正弦波，峰峰值應該大於電源電壓的70%。若峰峰值小於70%，可適當減小OSCI及OSCO管腳上的外接負載電容。反之，若峰峰值接近電源電壓且振盪波形發生畸變，則可適當增加負載電容。
   用示波器檢測OSCI(Oscillator input)管腳，如何解決容易導致振盪器停振的問題?
   部分的探頭阻抗小不可以直接測試，可以用串電容的方法來進行測試。如常用的4MHz石英晶體諧振器，通常廠家建議的外接負載電容為10～30pF左右。若取中心值15pF，則C1，C2各取30pF可得到其串聯等效電容值15pF。同時考慮到還另外存在的電路板分布電容，晶元管腳電容，晶體自身寄生電容等都會影響總電容值，故實際配置C1，C2時，可各取20～15pF左右。並且C1，C2使用瓷片電容為佳。硬之城

G. 關於單片機的晶振不是明白

因為有些場合，也許內部時鍾不符合要求，比如需要更高的頻率，或者波特率的特殊要求等都需要用其他的外部晶振。還有個原因，使用更低的頻率工作可以降低功耗。就行手機的CPU，沒有任務要處理時，為了節約電能會降低很大一部分速度以降低功耗。
忘了回答第二個問題：不是，內外部時鍾同為產生脈沖信號的功能，只是一個集成了，一個需要另外給予

H. 單片機工作為什麼加晶振

晶振是給單片機提供工作信號脈沖的.這個脈沖就是單片機的工作速度.比如 12M晶振.單片機工作速度就是每秒 12M.單片機內部也有晶振.接外部晶振可以或得更穩定的頻率.因為晶振與單片機的腳XTAL0和腳XTAL1構成的振盪電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波).這個波對電路的影響不大.但會降低電路的時鍾振盪器的穩定性. 為了電路的穩定性起見.ATMEL公司只是建議在晶振的兩引腳處接入兩個10pf-50pf的瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響.所以晶振所配的電容在10pf-50pf之間都可以的.

I. 單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容的作用是什麼

單片機晶振電路中接在晶振旁的兩個電容叫負載電容，它的作用是負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。

晶體振盪器是指從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡稱為晶片），石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體或晶體、晶振；而在封裝內部添加IC組成振盪電路的晶體元件稱為晶體振盪器。其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。

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晶振在應用具體起到的作用，微控制器的時鍾源可以分為兩類：基於機械諧振器件的時鍾源，如晶振、陶瓷諧振槽路；RC（電阻、電容）振盪器。一種是皮爾斯振盪器配置，適用於晶振和陶瓷諧振槽路。另一種為簡單的分立RC振盪器。基於晶振與陶瓷諧振槽路的振盪器通常能提供非常高的初始精度和較低的溫度系數。

RC振盪器能夠快速啟動，成本也比較低，但通常在整個溫度和工作電源電壓范圍內精度較差，會在標稱輸出頻率的5%至50%范圍內變化。但其性能受環境條件和電路元件選擇的影響。需認真對待振盪器電路的元件選擇和線路板布局。在使用時，陶瓷諧振槽路和相應的負載電容必須根據特定的邏輯系列進行優化。具有高Q值的晶振對放大器的選擇並不敏感，但在過驅動時很容易產生頻率漂移（甚至可能損壞）。

J. 晶振的作用是什麼主要是在電路中的作用晶振在單片機中的頻率是如何確定的

晶振是用來給單片機提供執行指令的時鍾的