單片機sram

『壹』 STC單片機的FLASH程序存儲器、SRAM位元組、EEPROM有什麼區別與聯系

FLASH程序存儲器存程序，單片機上電後會自動從這里讀代碼開始運行。

SRAM是跑程序時候暫存臨時數據的地方，一般不太大，從128位元組到幾K位元組都有，一掉電數據就沒了。

EEPROM是掉電也不丟數據的存儲器，一般都用來存設置的。你可以一位元組一位元組的把每位元組的8位1任意編寫成0。但這片一般是按扇區為單位，一擦除就是全成1。

STC有的片FLASH也能在跑程序的時候由程序控制擦寫。

(1)單片機sram擴展閱讀：

特點：

EEPROM可單位元組操作更靈活，FLASH存儲量更大些FLASH：只能塊擦除（叫塊擦除更准確吧，原文是BLOCK），舉例說明：比如你用的FLASH的BLOCK是512個位元組（不同的FLASH大小不同），那麼只有擦除過（所有位寫「1」）的BLOCK才能重新寫入。

意思就是只能從「1」寫到「0」，如果要從「0」改到「1」必須整塊擦除，而且擦除時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢時的速度相對寫入和讀出要慢很多。FLASH主要用於程序存儲。EEPROM;可以單位元組操作，沒有塊擦除的要求。相對FLASH更為靈活。

『貳』 關於單片機 xdata data ram sram code的關系

對於51/52單片機，data是內部低128位元組的ram，可以省略data符號 idata是內部高128位元組的ram， 51沒有，52才有，對於stc單片機，片上超過256位元組的那部分ram，相當於外部ram,，使用時加xdata 修飾
code是相當於flash，最大是否可以到8k，可以試一下

『叄』 串口sram如何是用在單片機外擴ram資源上容量可以達到多大

外部sram是指連接在單片機外部的靜態RAM(SRAM),外部SRAM存儲器有不少種類，對於外部SRAM的選擇是由應用需求的性質決定的，以下是幾種外部SRAM的種類：

非同步SRAM---由於其不依靠時鍾，所以算是速度最慢的一種SRAM

同步SRAM---同步SRAM運行同步於一個時鍾信號，速度比非同步SRAM快，相對價格比較貴，

偽SRAM—反應時間短，偽SRAM 有傳統SRAM的介面，同時需要一個專門的控制器才可以將其低反應時間的優勢發揮出來

而如果需要串口SRAM,一般屬於偽SRAM，封裝SOP-8,八個引腳的設計可以滿足大多數單片機的設計要求，功耗相對於同步非同步SRAM高了一些，同樣適用電池供電的的產品，容量方面的話，如VTI科技公司推出的VTI7064存儲晶元容量可以在64Mbit。

『肆』 兩個單片機公用一片SRAM怎麼防止沖突

兩個單片機直接做好對接，比如A用SRAM時，A某IO高電平，B單片機監測A的這一IO，A用SRAM時，B暫時不用，等A用完了B再用。
不知你的項目這樣的思路是否可行