單片機怎麼控制可控硅

A. 單片機如何控制可控硅。

看你的功率大小。小功率可直接IO口驅動。大功率可用光耦驅動，光耦可選擇過零觸發或隨機觸發，具體參考MOC3041,MOC3061等電路和相關應用說明。

B. 單片機控制可控硅調壓程序

可控硅必須檢測過零信號。只有零點以後觸發，才會有效。而且在下一個零點到來的時候，可控硅會自動關閉。你這個程序裡面只有一句P=1,沒有P=0,那麼這個埠一直開啟，沒有關閉。負載將一直投入。不可能關閉。所以，根本不可能調壓！
想要調壓：1、增加一個過零檢測電路。
2、每次觸發以後，過一段時間必須把觸發信號關閉。也可以在過零中斷時，將觸發信號關閉。
3、調壓的大小值受過零後多長時間投入。注意10MS以內必須完成一次控制。否則控制將不正常。

C. 怎麼用單片機控制雙向可控硅的觸發和關斷

可控硅靠電流過零而關斷（除可關斷可控硅外）。雙向可控硅觸發導通後，電源電壓過零時，可控硅關斷。當有外加電壓前提下，再觸發，可控硅就再次導通。

D. 單片機怎樣控制可控硅在220V電路中作開關用（控制一個40W節能燈）

鑒於你控制的是40W的節能燈。所以，用可控硅的話，會出現燈管微亮或是閃爍的現象。所以，還是建議使用繼電器來控制節能燈。你用阻容降壓電路的話，只要電容器容量達到1UF，並且用的是全橋整流的話是沒有問題的。我有一個控制器用的就是阻容降壓電路。在驅動數碼管和一個指示燈後另外驅動繼電器的情況下可以輸出9V左右的電壓。而這個電壓是完全可以控制繼電器的。

如果你非要用晶閘管控制節能燈的話。就用光耦隔離。使用單向晶閘管配合一個全橋整流器會比較簡單。

E. 求助51單片機控制單向可控硅

單片機控制單向可控硅必須用光耦隔離。
你是模擬還是實物，實物必須用光耦，模擬就無所謂。
下圖是模擬圖，可控硅控制的電源用直流代替了，只是原理圖。
實物接法類似，以此為參考。但實物，要求可控硅的負極與+12V共地，決不能與單片機共地。

F. 如圖所示，請問單片機怎麼控制seat_heat引腳來達到控制左側可控硅加熱

可控硅在此電路中不輸出功率，它的作用只是一個開關，起到接通和斷開主電路的作用，電路工作過程如下：當seat_heat腳為「1」時，Q7飽和，MOC3063輸入端LED正向導通，Q4被觸發導通，進而觸發可控硅TR4導通，從而在交流電ACL—加熱設備—可控硅TR4—ACN之間形成通路，坐圈加熱設備開始工作。當seat_heat腳為「0」時，以上各元件工作狀態相反，坐圈加熱設備停止工作。題外話：MOC3063的亮點是它能在交流過零後才能觸發可控硅導通，這一點很重要！這樣可以保證可控硅每次被觸發後整個主迴路的電流為0，然後才逐漸上升，直到過零後自然關斷。接著再次被觸發導通，這樣做的目的是保護嬌嫩而昂貴的可控硅的工作狀態盡量良好，從而盡量延長可控硅的工作壽命。

G. 怎樣用單片機控制可控硅導通角變化

單片機調整導通角，需要一個參數，那就是交流零點檢測。
所謂導通角，是針對交流電而言的。這個角度是0-180。相信這樣說，你會暈。
你畫一個交流波形圖，正弦波，上面和下面均為半圓，也就是一個周期的正弦波等於360度，那麼半個正弦波就是180度。在這個180度裡面，某個時候打開可控硅，相當於對應了一個角度打開可控硅。所以，叫導通角。這個角度的大小決定了輸出電流的大小。如果從0度開始找開，那麼所有的電能將全部接到負載上面去。同理，如果從90度開始導通的話，相當於只有一半的電能接到負載。相當於只有110V接到負載（電源為220V）。所以，通過調整這個導通角，可以改變負載的做功能量。
實現這個功能，必須知道什麼時候是0度。所以，必須有一個交流零點檢測電路。一個交流周期會有兩個零點信號。採用雙向可控硅，則可以實現雙向電流控制。
單片機實現時，首先得到交流零點信號，然後採用延時的方式（定時器中斷輸出或PWM輸出）控制可控硅的輸出。根據感測器的反饋值來修改導通角度。實現恆定的輸出要求。演算法多採用PID。在網上找一下，相關的介紹就知道如何處理了。

H. 怎樣用單片機控制可控硅導通角變化

單片機調整導通角，需要一個參數，那就是交流零點檢測。
所謂導通角，是針對交流電而言的。這個角度是0-180。相信這樣說，你會暈。
你畫一個交流波形圖，正弦波，上面和下面均為半圓，也就是一個周期的正弦波等於360度，那麼半個正弦波就是180度。在這個180度裡面，某個時候打開可控硅，相當於對應了一個角度打開可控硅。所以，叫導通角。這個角度的大小決定了輸出電流的大小。如果從0度開始找開，那麼所有的電能將全部接到負載上面去。同理，如果從90度開始導通的話，相當於只有一半的電能接到負載。相當於只有110V接到負載（電源為220V）。所以，通過調整這個導通角，可以改變負載的做功能量。
實現這個功能，必須知道什麼時候是0度。所以，必須有一個交流零點檢測電路。一個交流周期會有兩個零點信號。採用雙向可控硅，則可以實現雙向電流控制。
單片機實現時，首先得到交流零點信號，然後採用延時的方式（定時器中斷輸出或PWM輸出）控制可控硅的輸出。根據感測器的反饋值來修改導通角度。實現恆定的輸出要求。演算法多採用PID。在網上找一下，相關的介紹就知道如何處理了。

I. 單片機控制可控硅

不管是高電平還是低電平都是導通，但我把他的控制引腳懸空時就斷開了???
這個問題看清楚了SCR的原理就明白了:

控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路，實現將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。可控硅和其它半導體器件一樣，其有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。它的出現，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業、農業、交通運輸、軍事科研以至商業、民用電器等方面爭相採用的元件。（如圖）
晶閘管T在工作過程中，它的陽極A和陰極K與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路
從晶閘管的內部分析工作過程：
晶閘管是四層三端器件，它有J1、J2、J3三個PN結圖一，可以把它中間的NP分成兩部分，構成一個PNP型三極體和一個NPN型三極體的復合管圖二.
當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導銅，必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此，兩個互相復合的晶體管電路，當有足夠的門極電流Ig流入時，就會形成強烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導通，晶體管飽和導通。
設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2；發射極電流相應為Ia和Ik；電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,
晶閘管的陽極電流等於兩管的集電極電流和漏電流的總和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig
從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）
硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發射極電流的改變而急劇變化如圖三所示。
當晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0 晶閘關處於正向阻斷狀態。當晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由於足夠大的Ig流經NPN管的發射結，從而提高起點流放大系數a2,產生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發射結，並提高了PNP管的電流放大系數a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3，當a1和a2隨發射極電流增加而（a1+a2）≈1時，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時，流過晶閘管的電流完全由主迴路的電壓和迴路電阻決定。晶閘管已處於正向導通狀態。
式（1—1）中，在晶閘管導通後，1-（a1+a2）≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續導通。晶閘管在導通後，門極已失去作用。
在晶閘管導通後，如果不斷的減小電源電壓或增大迴路電阻，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時，由於a1和a1迅速下降，當1-（a1+a2）≈0時，晶閘管恢復阻斷狀態。

J. 關於單片機控制可控硅

我前段時間剛做了一個跟你這個一樣的要求。
我用的是PIC單片機，可控硅導通角控制電機轉速，PID閉環控制，電位器調速，上升下降時間可調，最高輸出電壓可調
，調試已經成功了，正准備批量生產
說起來不難，INT過零檢測，定時器確定導通角，發了個100uS的脈沖就行，光耦要用可控的MOC3023，電壓反饋穩定輸出，電流保護就行了