單片機大功率mos

Ⅰ 怎麼用5v單片機驅動mos管 圖騰柱 還是驅動ic 電路圖的最後

用過三極體 光耦 還有像IR2110晶元等

Ⅱ 關於單片機驅動MOS管

我見過的都只要5V電壓就行了，為什麼要60V,你要測多遠的？

這么遠啊，網上有見過用MAX232做的，直接用5V,理論上可以產生+/-10V電壓，就是峰峰值為20V，可以試試。可能還不能達到10米.

Ⅲ 單片機中MOS啥意思請知道的告訴一聲~~~

在集成電路中絕緣性場效應管被叫做mos管。 MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconctor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。從結構上說，MOS管可以分為增強型(E型)和耗盡型（D型），它們的區別在於當Vgs為0時，增強型（E型）不存在導電溝道，耗盡型（D型）存在導電溝道，原因是E型的導通電壓（閾值電壓）Vth>0，D型的Vth<0。MOS管形成的電路通稱為MOS電路，但又有不同，PMOS邏輯電路稱為PMOS電路，NMOS邏輯電路稱為NMOS電路，PMOS和NMOS共同組成的邏輯電路稱為CMOS集成電路，MOS和BJT組成的電路稱為Bi-CMOS集成電路。由於MOS管靜態功耗幾乎為0，所有的功耗都集中在開關轉換的過程中，因此相對BJT而言，MOS管的功耗更低。因此，在現代工業設計中，MOS管主要用於數字邏輯電路中實現開關邏輯（0、1邏輯）。 MOS結構：MOS管一般有3個電極，S（源source)極，D（漏drain)極，G（柵gate)極，從摻雜濃度來說，S極和D極並無區別，在NMOS管中，當兩者其中一端接GND時，就起到了S的作用，另外一端就成了D；而在PMOS管中，當兩者其中一端接VCC時，就起到了S的作用，另外一端就成了D。MOS管的S端總是比D端先開啟。對NMOS來說，當Vgs>Vds,Vgs-Vth<Vds時，S端開啟，D端不開啟，MOS管工作在飽和區；當Vgs-Vth<Vds時，S和D都開啟，MOS管工作在線性區。當Vgs<Vth時，NMOS截止。對PMOS來說，正好相反。 在MOS三明治型結構上外加電壓： 在MOS三明治結構上，金屬電極相對於P型半導體的情況下，外加正電壓，對N型半導體外加負電壓，就會形成與PN結合面相同的現象，也就是最初在氧化膜下會產生空乏層（depletion layer） 反轉層（reversion layer）： 針對氧化膜下為P型半導體的情況，如果再提高電壓，就會累積電子，若是N型半導體則會累計空穴，我們稱此層為「反轉層」。 MOS型場效應管就是利用這個層，作為一個切換開關。這是因為改變外加電壓，就可使此電路產生切換的轉換（開關）功用。

Ⅳ 如何用3.3V單片機驅動mos管

用三極體不如用ULN2803，一個ULN2803可以驅動8隻MOS管。沒有其他電路。 直接可以連接，簡單方便。 做H橋的話，可以控制2路，如果只控制一路，也可以用ULN2003.

補充：你肯定沒有看這兩個IC，輸出12V沒有問題，最高輸出電壓50V，最高輸出電流500mA，內部集成了續流二極體，基極電阻。直接上一個片子即可。其實這個片子裡面就是集成的達林頓管，和用三極體是一樣的道理。 可靠性比分立元件高。

Ⅳ 如何用3.3V單片機驅動mos管

要注意，MOS大功率開關的柵極電壓要足夠高才行一般在4.5V左右可認為MOS飽和導通，參看IRF3205參數。柵極當然也不能太高，不能超過20V。
不知道你的電路可否有5V以上其他電源？如果沒有的話，只用3.3V是不可靠的，MOS管可能因為處於放大狀態而導致電機速度不夠，也容易燒MOS管。如用24V做驅動，MOS管柵極可接5V左右的穩壓管以防過壓。MOS管前級可用一般的三極體放大做驅動

Ⅵ 單片機的PWM輸出可以直接驅動MOS管嗎

要具體看是怎樣的MOS管了.....若是大功率的管子,比如做變頻器或電源之類的,那是要加驅動的,若是做試驗的小功率管子,比如只是點亮個燈或者什麼的,就可以直接驅動了.

Ⅶ 什麼叫大功率MOS

顧名思義就是能夠工作在大功率情況下的MOS管。耐壓較高，電流能力較大。

Ⅷ 大功率mos 管(irfp4468)在開通和關斷時需要多大柵極電流.在開通關斷時的柵極電阻。 還有

怎麼你遇到不可逾越的困難了嗎？看你一直問這方面的問題。
不如你說清楚你的要求，比如驅動源（單片機還是邏輯電路還是其他）、控制邏輯（高電平開通還是低電平開通）、控制電壓、控制電流、開通截止時間，幫你設計一下。

大功率mos管(不僅僅是irfp4468)在開通和關斷時基本不需要多大柵極電流，因為只是給寄生電容（P法級）充放電而已，柵極電阻倒是必要的，幾百歐姆足以。
至於控制mos管的三極體，只要耐壓足夠，幾乎是個三極體就行，對規格尤其是額定電流基本沒要求，因為是弱功率控制。

Ⅸ 怎樣用單片機io口控制大功率led燈亮滅，用1117晶元

1117晶元是3.3V穩壓晶元，採用該晶元說明使用的單片機也是3.3V供電，為控制大功率LED燈，可以採取以下措施：
1、大功率的LED燈一般電壓都為12V或24V，所以不能由單片機IO直接控制，需要加三極體驅動。
2、為了避免干擾，單片機與外部LED驅動電路之間，加光電隔離。
3、內部邏輯電路和外部驅動電路電源不共地。

Ⅹ 求一個單片機控制mos管的電路圖

電路原理圖：

單片機驅動mos管電路主要根據MOS管要驅動什麼東西， 要只是一個繼電器之類的小負載的話直接用51的引腳驅動就可以，要注意電感類負載要加保護二極體和吸收緩沖，最好用N溝道的MOS。

如果驅動的東西（功率）很大，（大電流、大電壓的場合），最好要做電氣隔離、過流超壓保護、溫度保護等~~ 此時既要隔離傳送控制信號（例如PWM信號），也要給驅動級（MOS管的推動電路）傳送電能。

常用的信號傳送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至於電能的傳送可以用DC-DC模塊。如果是做產品的話建議自己搞一個建議的DC-DC，這樣可以降低成本。

(10)單片機大功率mos擴展閱讀：

MOS管應用

1、低壓應用

當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由於三極體的be有0.7V左右的壓降，導致實際最終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。

2、寬電壓應用

輸入電壓並不是一個固定值，它會隨著時間或者其他因素而變動。這個變動導致PWM電路提供給MOS管的驅動電壓是不穩定的。

為了讓MOS管在高gate電壓下安全，很多MOS管內置了穩壓管強行限制gate電壓的幅值。在這種情況下，當提供的驅動電壓超過穩壓管的電壓，就會引起較大的靜態功耗。