單片機起振電容

㈠ 單片機晶振兩端電容的作用

那兩個電容是諧振電容，在晶振工作過程中為晶振提供放電迴路，電容的大小會影響充放電時間進而影響震盪頻率。

㈡ 51單片機中的電容有什麼作用

單片機中用到的電容通常有這樣兩種：第一種是並聯到晶振兩側，是幫助晶振起振的。第二種是復位電路上，上電他會充電，給單片機復位用的。還有就是IC設計過程中，會在IC的Vcc和GND間並聯一個電容，這個電容式濾波、去耦等作用，看電容大小而定。
51單片機是對所有兼容Intel 8031指令系統的單片機的統稱。該系列單片機的始祖是Intel的8004單片機，後來隨著Flash rom技術的發展，8004單片機取得了長足的進展，成為應用最廣泛的8位單片機之一，其代表型號是ATMEL公司的AT89系列，它廣泛應用於工業測控系統之中。很多公司都有51系列的兼容機型推出，今後很長的一段時間內將佔有大量市場。51單片機是基礎入門的一個單片機，還是應用最廣泛的一種。需要注意的是51系列的單片機一般不具備自編程能力。
電容器，通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是『裝電的容器』，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用於電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調諧迴路， 能量轉換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體（包括導線）間都構成一個電容器。

㈢ 單片機振盪電路的電容如何得到的

如果是晶振的電容，是根據晶振的頻率，分低頻，普通XTAL和高頻分別20-40P基本都可以;
RC震盪的電容是根據RC配合算出來的，沒有固定的演算法，就是R*C越小，震盪頻率越高,主要看單片機內部結構，不同單片機用一樣RC也會有不同頻率;

㈣ 單片機晶振的電容是什麼類型的電容

單片機晶振的電容是瓷片電容。
1、瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面塗覆一層金屬薄膜，再經高溫燒結後作為電極而成的電容器。通常用於高穩定振盪迴路中，作為迴路、旁路電容器及墊整電容器。
2、瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用於高穩定振盪迴路中，作為迴路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的迴路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易於被脈沖電壓擊穿。

㈤ 為什麼有些單片機不需要起振電容也能工作

呵呵
有的，是利用晶元的寄生電容，有的是利用管腳間的電容，還有的，是電容集成在晶元內了。

㈥ 單片機STC12C5A6032接32.768M晶振要接多大起振電容注意：是32.768M晶振。

需要接多大的起振電容是要根據你的32.768M晶振的負載及你線路的一個整體雜散電容來選擇的，不管你的是32.768M還是32.768K晶振他的選擇都是一樣的。只是串聯的電阻阻值不一樣而已 一個是1M 一個是10M

㈦ 如何選擇合適的單片機晶振電容

原理上講直接將晶振接到單片機上，單片機就可以工作。但這樣構成的振盪電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個波對電路的影響不大,但會降低電路的時鍾振盪器的穩定性. 為了電路的穩定性起見，建議在晶振的兩引腳處接入兩個瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響,所以晶振必須配有起振電容，但電容的具體大小沒有什麼 普遍意義上的計算公式，不同晶元的要求不同。
（1）：因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按製造廠商所提供的數值選擇外部元器件。
（2）：在許可范圍內，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利於振盪器的穩定，但將會增比較常用的為15p-30p之間。
晶振的作用不同，材料不同，型號不同，源於每一種晶振都有各自它們各自的特性，所以最佳按製造廠商所供應的數值選擇外部元器件。 當然晶振的電容也是按照不同的晶振類型所製造的，這是理所當然的。下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細看哦：
晶振電容選擇的幾大標准
（1）：在容許范圍內，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大雖有利於振盪器的安穩，但將會增加起振時間。
（3）：應使C2值大於C1值，這么可使上電時，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的運用中，就需要留心負載電容的選擇。因為不一樣廠家出產的石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性和質量都存在較大差異。
選擇晶振電容的注意事項
（1）在選用時，需要了解該類型振盪器的要害方針，例如等效電阻，（凱越翔廠家建議負載電容，如頻率偏差等。
（2）但是在實習電路中，也能夠通過示波器查詢振盪波形來判別振盪器是不是作業在最佳情況。
|（3）當然在示波器查詢振盪波形時，所查詢的OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振盪波形相對影響小。
（4）由於探頭上通常存在10～20pF的電容，所以觀測時，恰當減小在OSCO管腳的電容能夠取得更靠近實習的振盪波形。
（5）凱越翔建議：因為作業出色的振盪波形應當是一個美麗的正弦波，峰峰值應當大於電源電壓的70%。若峰峰值小於70%，可恰當減小OSCI及OSCO管腳上的外接負載電容。反之，若峰峰值靠近電源電壓且振盪波形發生畸變，則可恰當增加負載電容。 所以在選擇晶振的最佳電容時，是可以參考的哦！！！
專業儀器檢測專晶振（更技術的選擇）
因為用示波器查看OSCI(Oscillator input)管腳，如果簡略致使振盪器停振（原因是：有些的探頭阻抗小不能夠直接檢驗）所以晶振的電容能夠用串電容的方法來進行檢驗。
取中心值的小竅門（凱越翔獨家揭秘）
如常用的4MHz石英晶體諧振器，通常凱越翔廠家建議的外接負載電容為10～30pF支配。若取中心值15pF，則C1，C2各取30pF可得到其串聯等效電容值15pF。凱越翔k字晶振考慮到還別的存在的電路板分布電容的影響。以及晶元管腳電容，晶體自身寄生電容等都會影響總電容值，故實習配備C1，C2時，可各取20～15pF支配。因此C1，C2運用瓷片電容為佳。
當然這只是一部分的電容選擇要求和技巧，然而最佳的晶振選擇要求和技巧，還是要根據不同的晶振型號，類型和不同的材料晶振而定，當然還是要看各自的客戶的選擇要求來定哦如果你對晶振的電容選擇上還有什麼疑慮的，不妨登入凱越翔官查詢更加詳細的資料哦。（本文來自凱越翔，k字晶振）

㈧ 單片機最小系統為什麼晶振要加電容

晶振旁邊的電容有協助起振與穩定振盪的作用。一般頻率高的會用較低的電容、頻率低的會用較高的電容。電容過大會使信號衰減、並因吸收能量過大而抑制振湯。

㈨ 請問單片機晶振電路中兩個電容的作用是什麼

單片機晶振電路中兩個電容（負載電容）的作用是把電能轉換成其他形式的能。如果沒這兩個電容的話，振盪部分會因為沒有迴路而停振。電路不能正常工作了。

負載頻率不同決定振盪器的振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。

所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一致，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

電動機能把電能轉換成機械能，電阻能把電能轉換成熱能，電燈泡能把電能轉換成熱能和光能，揚聲器能把電能轉換成聲能。電動機、電阻、電燈泡、揚聲器等都叫做負載。

晶體三極體對於前面的信號源來說，也可以看作是負載。對負載最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。

(9)單片機起振電容擴展閱讀

單片機能正常工作的必要條件之一就是時鍾電路，所以單片機就很需要晶振。通過一定的外接電路來，可以生成頻率和峰值穩定的正弦波。

而單片機在運行的時候，需要一個脈沖信號，做為自己執行指令的觸發信號，可以簡單的想像為：單片機收到一個脈沖，就執行一次或多次指令。

單片機工作時，是一條一條地從RoM中取指令，然後一步一步地執行。單片機訪問一次存儲器的時間，稱之為一個機器周期，這是一個時間基準。

—個機器周期包括12個時鍾周期。如果一個單片機選擇了12兆赫茲晶振，它的時鍾周期是1/12us，它的一個機器周期是12×（1/12）us，也就是1us。

晶振是給單片機提供工作信號脈沖的。這個脈沖就是單片機的工作速度。比如12兆晶振。單片機工作速度就是每秒12兆。單片機內部也有晶振。接外部晶振可以或得更穩定的頻率。

㈩ 單片機的晶振起震電容是如何選取的呢請大俠指點一下，萬分感謝！！

常用的是晶體，需要配合兩個瓷片電容，一般15pF~33pF，和單片機，電路正確，器件正常，上電就開始起振。但不會起震。
晶振上電就可以獨立輸出信號，不需要其它器件配合。
有些單片機內部也有振盪電路，上電就開始起振。