A. 430單片機時鍾問題
2417和149的區別可以到相關網站上查看它們的資料，比較全。
軟體模擬spi和i2c，首先要了解它們的協議，比如spi會用到哪些線，到時候可以通過編程來模擬時序圖中時鍾線和片選線的上升和下降，在上升沿和下降沿中進行寫DIN腳和讀DOUT腳等操作。
B. 求單片機試題答案
21-25：ADBCC（或上0f，肯定是高4位不變，低4位變F）
26：B（工作在方式2，肯定不會選C）
27：D（JB 為1時轉移，記數滿後TF0置1）
28：D（T1中斷地址）
29：C（開總中斷，開外部中斷0）
30：C（抄的樓上的，我忘了怎麼算）
31：B
32：B（用作地址指針）
33：B
34：D（LCALL調用子程序，要保護現場，子程序完成後再返回，會影響SP）
35：C（SJMP無條件，LCALL，ACALL不是跳轉，是調用子程序，DJNZ要有條件）
36：D（或上0b1000000，最高位為1，其它不變）
37：A
38：A（響應外部中斷0後PC為外部中斷0的入口地址0x0003）
39：A（EA為總中斷，置1時開總中斷）
40：外部中斷0和1
C. 單片機試題，高分求助大俠們幫幫忙吧，急用..........
2、× 4、× 5、×6、對7、錯 8、× 9、對 10、對 11、對 12、錯 13、對 15、對
D. 單片機試題
1、C. MOV A,R0
2、B. 拍 (單片機工作是在統一的時鍾脈沖控制下一拍一拍地進行的。）
3、D．一個能自動加1計數的ROM（PC用來存放下一條要執行的指令地址。取指時，PC會自動加一，即指向下一條指令。）
4、B.OV（溢出標識） A.CY（進位標識）
5、C.13 （8k=8*1024=2*³2¹º =2¹³）
6、B．TMOD（工作方式控制寄存器，用來設定定時器/計數器T0、T1的工作方式。）
7、A．關中斷，保護現場，開中斷，中斷服務，關中斷，恢復現場，開中斷，中斷返回
8、D.下降沿（RST由高電平下降為低電平後，系統從0000H地址開始執行程序。）
9、C.EPROM (UV-EPROM[紫外線擦除可編程],人們常把UV-EPROM稱為EPROM 。）
10、C．SETB TR0（執行TRO=1後，定時器0開始定時。）
11、A. 掩膜ROM（其中X是程序存儲器形式選擇，當X=0時，選擇Mask ROM[掩膜ROM]，當X=7時，選擇EPROM[紫外線可擦除ROM]。）
12、C.循環程序
13、A.0 （串列口工作方式0下，串列口昨晚同步以為寄存器使用。移位數據的發送和接受以8位為一幀，不設起始位和停止位，低位在前高位在後。）
14、 B. A （變址定址，即基址寄存器加變址寄存器間接定址方式，它以為程序計數器PC或數據指針DPTR作為基址寄存器，以累加器A作為變址寄存器，這二者內容之和為有效地址。）
15、C. 13（與題5重復。）
16、 D. PUSH A（格式：PUSH direct 。在指令系統中累加器的助記符為A，作為直接地址時助記符為ACC。）
17、B.分支程序（分支程序有兩種結構，if 和 switch 。）
18、A.0000H（PC復位狀態0000H）
E. 單片機試題
10、完成某種操作可以採用幾條指令構成的指令序列實現，試寫出完成以下每種操作的指令序列。
（1）將R0的內容傳送到R1；
MOV A,R0
MOV R1,A
（2）內部RAM單元60H的內容傳送到寄存器R2；
MOV R2,60H
（3）外部RAM單元1000H的內容傳送到內部RAM單元60H；
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV 60H,A
（4）外部RAM單元1000H的內容傳送到寄存器R2；
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV R2,A
（5）外部RAM單元1000H的內容傳送到外部RAM單元2000H。
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV DPTR,#2000H
MOVX @DPTR,A
11、若（R1）=30H，（A）=40H，（30H）=60H，（40H）=08H。試分析執行下列程序段後上述各單元內容的變化。
MOV A，@R1 ;(A)=60H 其餘不變
MOV @R1，40H ；（30H）=40H 其餘不變
MOV 40H，A ; （40H） =60H 其餘不變
MOV R1，#7FH ;(R1)=7FH 其餘不變
12、若（A）=E8H，（R0）=40H，（R1）=20H，（R4）=3AH，（40H）=2CH，（20H）=0FH，試寫出下列各指令獨立執行後有關寄存器和存儲單元的內容？若該指令影響標志位，試指出CY、AC、和OV的值。
（1）MOV A，@R0 ; (A)=2CH 其餘不變
（2）ANL 40H，#0FH ;(40H)=0CH
（3）ADD A，R4； AC=1,OV=0,CY=1,(A)=22H
（4）SWAP A ;(A)=8EH
（5）DEC @R1 ; (20H)=0EH
（6）XCHD A，@R1 ;(A)=EFH,(20H)=08H
13、若（50H）=40H，試寫出執行以下程序段後累加器A、寄存器R0及內部RAM的40H、41H、42H單元中的內容各為多少？
MOV A，50H ;(A)=40H
MOV R0，A ;(R0)=40H
MOV A，#00H ;(A)=00H
MOV @R0，A ;(40H)=00H
MOV A，3BH ;?是不是寫錯了？應該是#3BH吧，如果是#3BH的話，就是(A)=3BH
MOV 41H，A;同上#3BH的話，（41H） =3BH
MOV 42H，41H ;類推（42H）＝3BH
為什麼說布爾處理功能是80C51單片機的重要特點？
80C51單片機有哪幾種定址方式？各定址方式所對應的寄存器或存儲器空間如何？
答：布爾處理功能對位地址空間具有豐富的位操作指令。使數據的使用和傳送更為方便快捷了。
1。立即定址 對應的是立即數
2。直接定址 對應的定址范圍僅限於片內RAM
3。寄存器定址 對應的定址范圍包括4個寄存器組共32個通用寄存器和部分特殊功能寄存器
4。寄存器間接定址 對應的定址范圍包括片內RAM低128單元，片外RAM64KB和堆棧區
5。相對定址 由指令中給出的操作數決定
6。變址定址 只能對程序存儲器進行定址
F. 430單片機知識
Io配置的知識：
推挽輸出與開漏輸出的區別:
>>推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數字器件。
輸出 0 時，N-MOS 導通，P-MOS 高阻 ，輸出0。
輸出 1 時，N-MOS 高阻，P-MOS 導通，輸出1（不需要外部上拉電路）。
>>開漏輸出:輸出端相當於三極體的集電極. 要得到高電平狀態需要上拉電阻才行. 適合於做電流型的驅動,其吸收電流的能力相對強(一般20ma以內).
輸出 0 時，N-MOS 導通，P-MOS 不被激活，輸出0。
輸出 1 時，N-MOS 高阻， P-MOS 不被激活，
輸出1（需要外部上拉電路）；此模式可以把埠作為雙向IO使用。
G. 一個關於430單片機，程序語句的問題，請各位多多指教
這個問題，我也曾經是很難理解，這里牽涉到兩個概念
1，|= 和 = 的基本區別
2，UCSCTL4 在上面的兩個方式下會發生什麼不一樣的變化
這樣回答你把，可能比較好理解
1，對於 |= 和 = 的基本區別
直接等於的話，是會把原來的UCSCTL4 的值給抹掉，然後再賦給一個全新的值，就是說和原來的值沒有任何關系了。
但是|= 呢，和原來的值有直接的關系，只是拉高了 等於 號後面對應位為1的值，而等於號後面位原來為0的值還是0，原來為1的值還是1，舉個例子
UCSCTL4 = 0x1F; // (0b1000 1111)
UCSCTL4 = 0x11;
上面的那句話執行之後，就和開始的值為0x1F值沒有任何關系了，最後得到的值就是 0x11;
UCSCTL4 = 0x8F;
UCSCTL4 = 0x11; //(0b0001 0001)
這個執行之後，就和原來的0x1F有關系，實際上就做了一個位運算
0b1000 1111
0b0001 0001 ，拉高最後一位，以及倒數第5位和倒數第8位
-----------------
0b1001 1111
最後的值是 0x1F，原來的倒數第8，3，2位，因為和0一起運算，所以本身是1，最後還是1;
2，UCSCTL4 在上面的兩個方式下會發生什麼不一樣的變化，現在你大概能夠明白了把，如果把（SELA__XT1CLK+SELS__XT1CLK + SELM__XT1CL）看成我們上面例子的0x11 的話，那麼最後的結果，對於兩種運算方式來說，一種是和原來的值有關系，一種是和原來的值沒有關系。
H. 430單片機編程
用P口的幾個IO幀控制步進電機就可以啊，速度和步進電機輸入脈沖頻率有關系，只要設置一個定時器周期改變IO口輸出正反即可，修改定時器的定時時間就能改變步進電機的速度了。