㈠ 單片機怎麼選擇晶振所謂11.095和22.1184兩種的誤差最小是指什麼為什麼會產生誤差謝謝
主要是考慮到通信的時候的波特率
在使用串口做通訊時，一個很重要的參數就是波特率，只有上下位機的波特率一樣時才可以進行正常通訊。波特率是指串列埠每秒內可以傳輸的波特位數。有一些初學的朋友認為波特率是指每秒傳輸的位元組數，如標准9600會被誤認為每秒種可以傳送9600個位元組，而實際上它是指每秒可以傳送9600個二進位，而一個位元組要8個二進位，如用串口模式1來傳輸那麼加上起始位和停止位，每個數據位元組就要佔用10個二進位，9600波特率用模式1傳輸時，每秒傳輸的位元組數是9600÷10＝960位元組。51晶元的串口工作模式0的波特率是固定的，為fosc/12，以一個12M的晶振來計算，那麼它的波特率可以達到1M。模式2的波特率是固定在fosc/64或fosc/32，具體用那一種就取決於PCON寄存器中的SMOD位，如SMOD為0，波特率為focs/64,SMOD為1，波特率為focs/32。模式1和模式3的波特率是可變的，取決於定時器1或2（52晶元）的溢出速率。那麼我們怎麼去計算這兩個模式的波特率設置時相關的寄存器的值呢？可以用以下的公式去計算。
波特率＝（2SMOD÷32）×定時器1溢出速率
上式中如設置了PCON寄存器中的SMOD位為1時就可以把波特率提升2倍。通常會使用定時器1工作在定時器工作模式2下，這時定時值中的TL1做為計數，TH1做為自動重裝值，這個定時模式下，定時器溢出後，TH1的值會自動裝載到TL1，再次開始計數，這樣可以不用軟體去干預，使得定時更准確。在這個定時模式2下定時器1溢出速率的計算公式如下：
溢出速率＝（計數速率）/(256－TH1)
上式中的「計數速率」與所使用的晶體振盪器頻率有關，在51晶元中定時器啟動後會在每一個機器周期使定時寄存器TH的值增加一，一個機器周期等於十二個振盪周期，所以可以得知51晶元的計數速率為晶體振盪器頻率的1/12，一個12M的晶振用在51晶元上，那麼51的計數速率就為1M。通常用11.0592M晶體是為了得到標準的無誤差的波特率，那麼為何呢？計算一下就知道了。如我們要得到9600的波特率，晶振為11.0592M和12M，定時器1為模式2，SMOD設為1，分別看看那所要求的TH1為何值。代入公式： 11.0592M
9600＝(2÷32)×((11.0592M/12)/(256-TH1))
TH1＝250//看看是不是和上面實例中的使用的數值一樣？
12M
9600＝(2÷32)×((12M/12)/(256-TH1))
TH1≈249.49
上面的計算可以看出使用12M晶體的時候計算出來的TH1不為整數，而TH1的值只能取整數，這樣它就會有一定的誤差存在不能產生精確的9600波特率。當然一定的誤差是可以在使用中被接受的，就算使用11.0592M的晶體振盪器也會因晶體本身所存在的誤差使波特率產生誤差，但晶體本身的誤差對波特率的影響是十分之小的，可以忽略不計 。
同理22.184也是。自己算一下吧。
㈡ 單片機是通過什麼方式來選擇外部晶振還是內部晶振
這個要看單片機型號了。
1、有的是如果外部有晶振電路，就用外部晶振，如果外部沒有晶振電路，就自動換成內部晶振。例如IRC15W415AS。
2、有的是用下載軟體設置使用的是外部晶振還是內部晶振。例如IAP15F2K61S2。
3、有的是用控制寄存器來選擇用的是外部晶振還是內部晶振。例如C8051F350用OSCICN控制寄存器的第7位，選擇是外部還是內部晶振。
4、有的是只有內部晶振。例如STC15W204S。
5、有的是只有外部晶振。例如AT89C2051。
望採納。。。。。。
㈢ 如何選擇合適的單片機晶振電容
原理上講直接將晶振接到單片機上，單片機就可以工作。但這樣構成的振盪電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個波對電路的影響不大,但會降低電路的時鍾振盪器的穩定性. 為了電路的穩定性起見，建議在晶振的兩引腳處接入兩個瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響,所以晶振必須配有起振電容，但電容的具體大小沒有什麼 普遍意義上的計算公式，不同晶元的要求不同。
（1）：因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按製造廠商所提供的數值選擇外部元器件。
（2）：在許可范圍內，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利於振盪器的穩定，但將會增比較常用的為15p-30p之間。
晶振的作用不同，材料不同，型號不同，源於每一種晶振都有各自它們各自的特性，所以最佳按製造廠商所供應的數值選擇外部元器件。 當然晶振的電容也是按照不同的晶振類型所製造的，這是理所當然的。下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細看哦：
晶振電容選擇的幾大標准
（1）：在容許范圍內，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大雖有利於振盪器的安穩，但將會增加起振時間。
（3）：應使C2值大於C1值，這么可使上電時，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的運用中，就需要留心負載電容的選擇。因為不一樣廠家出產的石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性和質量都存在較大差異。
選擇晶振電容的注意事項
（1）在選用時，需要了解該類型振盪器的要害方針，例如等效電阻，（凱越翔廠家建議負載電容，如頻率偏差等。
（2）但是在實習電路中，也能夠通過示波器查詢振盪波形來判別振盪器是不是作業在最佳情況。
|（3）當然在示波器查詢振盪波形時，所查詢的OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振盪波形相對影響小。
（4）由於探頭上通常存在10～20pF的電容，所以觀測時，恰當減小在OSCO管腳的電容能夠取得更靠近實習的振盪波形。
（5）凱越翔建議：因為作業出色的振盪波形應當是一個美麗的正弦波，峰峰值應當大於電源電壓的70%。若峰峰值小於70%，可恰當減小OSCI及OSCO管腳上的外接負載電容。反之，若峰峰值靠近電源電壓且振盪波形發生畸變，則可恰當增加負載電容。 所以在選擇晶振的最佳電容時，是可以參考的哦！！！
專業儀器檢測專晶振（更技術的選擇）
因為用示波器查看OSCI(Oscillator input)管腳，如果簡略致使振盪器停振（原因是：有些的探頭阻抗小不能夠直接檢驗）所以晶振的電容能夠用串電容的方法來進行檢驗。
取中心值的小竅門（凱越翔獨家揭秘）
如常用的4MHz石英晶體諧振器，通常凱越翔廠家建議的外接負載電容為10～30pF支配。若取中心值15pF，則C1，C2各取30pF可得到其串聯等效電容值15pF。凱越翔k字晶振考慮到還別的存在的電路板分布電容的影響。以及晶元管腳電容，晶體自身寄生電容等都會影響總電容值，故實習配備C1，C2時，可各取20～15pF支配。因此C1，C2運用瓷片電容為佳。
當然這只是一部分的電容選擇要求和技巧，然而最佳的晶振選擇要求和技巧，還是要根據不同的晶振型號，類型和不同的材料晶振而定，當然還是要看各自的客戶的選擇要求來定哦如果你對晶振的電容選擇上還有什麼疑慮的，不妨登入凱越翔官查詢更加詳細的資料哦。（本文來自凱越翔，k字晶振）
㈣ 新手上路，麻煩大神們將51單片機常用的晶振型號推薦一下，我好查了選電容
不接串口的話晶振常用12M,6M，接串口的話晶振常用11.0592M，電容20--30P即可，我常用22P的
㈤ 單片機晶振大小的選擇和功耗之間的問題
振盪頻率越高，功耗必然越大。所以在滿足系統需求的前提下，應該盡量減小晶振的頻率。(在ARM等高級一些的內核中，有一個專門的鎖相環來控制內部頻率，在CPU不活動的時候可以減小晶振頻率，以降低功耗)
維持系統正常運作所需的最小晶振不取決於單片機內部電路(單片機本身可以工作在極低的頻率下，只是速度極慢)，而取決於你的系統需求，比如你的AD需要每ms采樣10次，這就需要單片機運行速度較快，肯定就不能用32.768kHz的晶振了。。。而維持系統正常運作所需的最大晶振是取決於單片機內部電路的，要讓其穩定工作，一般要保證晶振頻率不超過24MHz，否則內部工作狀態就有可能紊亂。
總之，如果系統對速度要求不高的話，一般用6MHz或12MHz就可以了。如果需要使用串口與PC連接，可以選用一個11.0592MHz的晶振，便於定時器設置
㈥ 51單片機到底使用哪種晶振好
標準的51單片機晶振是1.2M-12M，一般由於一個機器周期是12個時鍾周期，所以先12M時，一個機器周期是1US，好計算，而且速度相對是最高的（當然現在也有更高頻率的單片機）。
11.0592M是因為在進行通信時，12M頻率進行串列通信不容易實現標準的波特率，比如9600，4800，而11.0592M計算時正好可以得到，因此在有通信介面的單片機中，一般選11.0592M