51單片機晶振電路

❶ 新手學習C51單片機（AT89C51)，不懂晶振 能不能解釋下下圖的晶振電路

1、這是51系列單片機的晶振和復位電路。
2、C1，C2，X1構成晶振電路，X1是晶振，兩個電容為負載電容，作用是容易啟震和減小頻率的溫漂。
3、R1，C3組成復位電路，跟晶振沒有關系。

❷ 51單片機晶振電路的兩個電容的值選大了會怎樣

晶振的作用不同，材料不同，型號不同，源於每一種晶振都有各自它們各自的特性，所以最佳按製造廠商所供應的數值選擇外部元器件。 當然晶振的電容也是按照不同的晶振類型所製造的，這是理所當然的。下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細看哦：
晶振電容選擇的幾大標准
（1）：在容許范圍內，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大雖有利於振盪器的安穩，但將會增加起振時間。
（3）：應使C2值大於C1值，這么可使上電時，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的運用中，就需要留心負載電容的選擇。因為不一樣廠家出產的石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性和質量都存在較大差異。
選擇晶振電容的注意事項
（1）在選用時，需要了解該類型振盪器的要害方針，例如等效電阻，（凱越翔廠家建議負載電容，如頻率偏差等。
（2）但是在實習電路中，也能夠通過示波器查詢振盪波形來判別振盪器是不是作業在最佳情況。
|（3）當然在示波器查詢振盪波形時，所查詢的OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振盪波形相對影響小。
（4）由於探頭上通常存在10～20pF的電容，所以觀測時，恰當減小在OSCO管腳的電容能夠取得更靠近實習的振盪波形。
（5）凱越翔建議：因為作業出色的振盪波形應當是一個美麗的正弦波，峰峰值應當大於電源電壓的70%。若峰峰值小於70%，可恰當減小OSCI及OSCO管腳上的外接負載電容。反之，若峰峰值靠近電源電壓且振盪波形發生畸變，則可恰當增加負載電容。 所以在選擇晶振的最佳電容時，是可以參考的哦！！！
專業儀器檢測專晶振（更技術的選擇）
因為用示波器查看OSCI(Oscillator input)管腳，如果簡略致使振盪器停振（原因是：有些的探頭阻抗小不能夠直接檢驗）所以晶振的電容能夠用串電容的方法來進行檢驗。
取中心值的小竅門（凱越翔獨家揭秘）
如常用的4MHz石英晶體諧振器，通常凱越翔廠家建議的外接負載電容為10～30pF支配。若取中心值15pF，則C1，C2各取30pF可得到其串聯等效電容值15pF。凱越翔k字晶振考慮到還別的存在的電路板分布電容的影響。以及晶元管腳電容，晶體自身寄生電容等都會影響總電容值，故實習配備C1，C2時，可各取20～15pF支配。因此C1，C2運用瓷片電容為佳。
當然這只是一部分的電容選擇要求和技巧，然而最佳的晶振選擇要求和技巧，還是要根據不同的晶振型號，類型和不同的材料晶振而定，當然還是要看各自的客戶的選擇要求來定哦。

❸ 51單片機晶振電路電容問題

這個晶振的選取和單片機內部的振盪電路有關，否則不能正常振盪；這個數值一般按照數據手冊選取。特別像C8051F系列單片機還必須並聯電阻，否則不能振盪。但一般都會有個范圍，有的單片機有計算方法提供。

❹ 如圖，請問這個晶振電路要怎麼焊接電路51單片機的晶振

這位同學，你估計是看錯了，這個應該是電機，M1~M4是控制其正反轉的引腳。圖中單片機應該就是簡單的51系列，晶振就是2根腳的那種石英晶振。

❺ 51單片機最小系統晶振電路

嘿嘿
不可以用101和102代替51單片機晶振電路的兩個瓷片電容的
1
101和102的容值分別是100和1000PF
而51單片機晶振電路的兩個瓷片電容應該是20～33PF
二者相差太大
不可替代
還是去賣電子元器件的商店買2個吧
呵呵
別忘給俺加分哦

❻ 51單片機內部是不是有振盪電路 那麼為何還要外接晶振

標准51內核內部是沒有RC震盪電路的。
而且RC震盪電路受電源電壓和環境溫度影響比較大，在者晶元內部的RC也只是控制在一個范圍內比如4~8MHZ，而且誤差很大，這個可能正好是 在8MHZ，換一個可能就4.3MHZ了，都在他的誤差以內，但你的晶元你自己都不知道當前運行在什麼頻率，就算最常用的延時程序，每換個晶元你都要去調一次延時程序豈不很麻煩。
另外就是做串口通訊程序中，51的晶振頻率標準是11.0592MHZ，內部很難做出來。頻率不對通訊肯定也不正常了，所以沒人願意冒這個險，當然你用在一些對頻率誤差要求不高的，比如做個流水燈這樣的，多亮會或多滅會無所謂的地方，或者沒有嚴格的時序要求的地方，還是可以的

❼ 51單片機晶振電路的理解

晶振電路時產生固定的頻率供單片機使用，加電容估計是為了濾波，使輸出波形平滑一點

❽ 51單片機晶振電路的原理和作用

51，單片機凈身高的原理和作用之間能夠接受，而且這應該是會進行一些線路流通賬號才可以更好鏡操作還非常不足。

❾ 畫出MCS-51單片機外接晶振的電路原理圖

所有的51都可以參考這個圖

應該習慣看PDF

❿ 為什麼51單片機不把晶振電路裡面的電容內置

如果說晶振旁的電容為C1,C2那CI,C2這兩個電容就叫晶振的負載電容，分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮法。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購晶振時候供貨方會問你負載電容是多少。

晶振的負載電容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中Cd,Cg為分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,Cic（集成電路內部電容）+△C（PCB上電容）經驗值為3至5pf。

因此，晶振的數據表中規定12pF的有效負載電容要求在每個引腳XIN 與 XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生電容,定值貼片電容沒有24pf，只有22pf）。

兩邊電容為Cg,Cd,負載電容為Cl, cl=cg*cd/(cg+cd)+a ，a= Cic+△C(a的經驗值是3.5-13.5pf) 就是說負載電容15pf的話，兩邊兩個接27pf（定值貼片電容只有27pf，沒有30pf）的差不多了，各種邏輯晶元的晶振引腳可以等效為電容三點式振盪器。晶振引腳的內部通常是一個反相器, 或者是奇數個反相器串聯。

在晶振輸出引腳XO 和晶振輸入引腳 XI 之間用一個電阻連接, 對於 CMOS 晶元通常是數 M 到數十M 歐之間. 很多晶元的引腳內部已經包含了這個電阻, 引腳外部就不用接了。

這個電阻是為了使反相器在振盪初始時處於線性狀態, 反相器就如同一個有很大增益的放大器, 以便於起振. 石英晶體也連接在晶振引腳的輸入和輸出之間, 等效為一個並聯諧振迴路, 振盪頻率應該是石英晶體的並聯諧振頻率. 晶體旁邊的兩個電容接地, 實際上就是電容三點式電路的分壓電容, 接地點就是分壓點. 以接地點即分壓點為參考點, 振盪引腳的輸入和輸出是反相的, 但從並聯諧振迴路即石英晶體兩端來看, 形成一個正反饋以保證電路持續振盪. 在晶元設計時, 這兩個電容就已經形成了, 一般是兩個的容量相等, 容量大小依工藝和版圖而不同, 但終歸是比較小, 不一定適合很寬的頻率范圍. 外接時大約是數 PF 到數十 PF, 依頻率和石英晶體的特性而定. 需要注意的是: 這兩個電容串聯的值是並聯在諧振迴路上的, 會影響振盪頻率. 當兩個電容量相等時, 反饋系數是 0.5, 一般是可以滿足振盪條件的, 但如果不易起振或振盪不穩定可以減小輸入端對地電容量, 而增加輸出端的值以提高反饋量. . 一般晶元的 Data sheet 上會有說明。

另：
1.匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震盪所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣並聯起來就接近負載電容了。
2．負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近
調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。
3．一般情況下，增大負載電容會使振盪頻率下降，而減小負載電容會使振盪頻率升高
4．負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振盪器的
振盪頻率不同。標稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振盪器有兩個諧振頻率，一個是串聯揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為並聯揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。

由於電容會造成震盪不穩定 , 而且一般單片機的震盪頻率會差很多 , 因此把這個電容做到 IC 裡面就會限制單片機運行的速度.