❶ 片外rom和片外ram各自的地址范圍單片機如何區分兩者的訪問
原則上說，片外rom和片外ram各自的地址范圍可以重疊，也就是都可以從0000H開始到0FFFFH結束。單片機根據指令區分兩者的訪問，MOVC訪問的是片外rom，MOVX訪問的是片外ram。
但是，對於片內有ROM和內部集成外部RAM的晶元，要統一編址，各自不能重疊。
❷ 8051單片機訪問片外ROM與片外RAM的讀寫信號各是什麼。
ALE/PROG 地址鎖存控制信號：在系統擴展時，ALE用於控制把P0口的輸出低8位地址送鎖存器鎖存起來，以實現低位地址和數據的隔離ALE有可能是高電平也有可能是低電平，當ALE是高電平時，允許地址鎖存信號，當訪問外部存儲器時，ALE信號負跳變（即由正變負）將P0口上低8位地址信號送入鎖存器。當ALE是低電平時，P0口上的內容和鎖存器輸出一致。
在沒有訪問外部存儲器期間，ALE以1/6振盪周期頻率輸出（即6分頻），當訪問外部存儲器以1/12振盪周期輸出（12分頻）。進行擴展時ALE會以1/6振盪周期的固定頻率輸出，因此可以做為外部時鍾，或者外部定時脈沖使用。
PORG為編程脈沖的輸入端：PSEN 外部程序存儲器讀選通信號：在讀外部ROM時PSEN低電平有效，以實現外部ROM單元的讀操作。
1、內部ROM讀取時，PSEN不動作；
2、外部ROM讀取時，在每個機器周期會動作兩次；
3、外部RAM讀取時，兩個PSEN脈沖被跳過不會輸出；
4、外接ROM時，與ROM的OE腳相接。
EA/VPP 訪問和序存儲器控制信號
1、接高電平時：
CPU讀取內部程序存儲器（ROM）
擴展外部ROM：當讀取內部程序存儲器超過0FFFH（8051）1FFFH（8052）時自動讀取外部ROM。
2、接低電平時：CPU讀取外部程序存儲器（ROM）。 在前面的學習中我們已知道，8031單片機內部是沒有ROM的，那麼在應用8031單片機時，這個腳是一直接低電平的。
3、8751燒寫內部EPROM時，利用此腳輸入21V的燒寫電壓。
❸ 單片機訪問片內RAM問題
單片機讀寫片內RAM高128位，80H-FFH，對於特殊功能寄存器屬於這個地址范圍內，也可以看成是RAM，所以，讀寫寄存器用直接定址方式，而讀寫RAM數據存儲器時只能用@R0，@R1間接定址方式。