gd單片機

⑴ GD單片機的EXMC和STM32的FSMC是不是一樣的功能大神們幫幫忙

是的，基本一樣

⑵ gd32和stm32區別

山寨和原版的區別

⑶ gd mcu和stm 完全兼容嗎

ARM種32位單片機構架核技術 ARM公司該技術授權給半導體產廠商半導體產廠商通ARM核技術添加功能模塊並終制微處理器（單片機）STM32XXSTM公司 基於ARM構架產種單片機
DSP數字信號處理晶元作用單片機類似更注重運算性能象些浮點運算比較密集應用音視頻信號編解碼普通單片機勝任DSP適合用通用CPU運算速度滿足功耗價格體積接受
STM32型號同內核或架構產品指令兼容同引腳數量產品些功能所裁剪肯定引腳產品內部資源豐富些

⑷ gd32f103cbt6單片機是低復位嗎

不僅你所說的型號，所有支持JTAG/SWD調試的單片機都是低復位，因為低復位屬於JTAG/SWD的統一規范標准。

⑸ gd32f450單片機cantx沒有信號

沒有連接電源吧。
是由於TJA1050的5V供電沒有接，我一直量的是TJA1050的腳是3V，這個電壓不是外部供進去的，這是由於MCU和RXTX平時有3V導致這個TJA1050上也是電壓，同時這個時候量了TJA1050的CANLCANH上也有委有微的正旋雜波，由於這個原因開如我就沒有去查TAJ105的的供電問題，以為它正常工作了，其實TJA1050沒供5V都沒有工作的。

⑹ 用gd的單片機keil模擬時1s定時變2s是什麼原因

如果你，定時器計算的是1s，但是模擬時，實際是2s，如果沒算錯就是模擬的晶振頻率和你計算時使用的頻率不一樣

⑺ GD32f190運行速度

GD32f190運行速度快10%~20%左右。

GD的工作電壓范圍要窄一點，GD32：2.6~3.6V，GD32採用二代的M3內核，主頻最大108M。GD32單片機是指由國內晶元公司兆易創新GigaDevice研發設計的一系列單片機。

一款基於高性能arm_Cortex_-M3RISCcore的32位通用微控制器，在處理能力、降低功耗和外設設置方面具有最佳比率。Cortex_-M3是下一代處理器內核，與嵌套向量中斷控制器(NVIC)、SysTick定時器和高級調試支持緊密結合。

考慮意義：

車輛動力性能及駕駛員特性等各種條件的改變而變化，只要條件允許，駕駛員總是傾向於採用較高車速行駛。從公路使用者的安全形度考慮，在路線設計中，需要以動態的觀點來考慮實際運行速度，以提高公路的安全性。

針對設計速度方法上存在的主要問題，德、法、美、澳等發達國家廣泛運用了以運行速度概念為基礎的路線設計方法。因為運行速度考慮了公路上絕大多數駕駛員的交通心理需求，以車輛的實際運行速度作為線形設計速度。

⑻ 中國的單片機公司有哪些

這里直說設計單片機晶元的公司。有些公司不屑於做這個小東西，譬如 展訊 海思 全志 炬力 晶晨 瑞芯微
大陸部分：
1、兆易創新的GD32系列兼容STM32
2、芯聖單片機
3、芯旺單片機
4、華大半導體 HC32系列類似於STM32
5、海爾單片機 類似於PLC單片機
6、晟矽微單片機
7、深聯華單片機 感覺就是台灣義隆單片機那幫人被大陸挖過來做的單片機
8、芯海單片機 我沒用過他家單片機用他家血壓計晶元挺多的
9、蘇州鋒馳 FC8系列 類似於STM8

10、深圳中微
11、深圳中微芯 和上面不是一家名字太像了
12、深圳世威

13、深圳錦銳

14、深圳匯春
15、上海矽晟 和 晟矽微單片機不是一家 名字太像
16、上海普芯達
17、北京時代民芯
18、無錫力芯微

19、宏晶STC

20、深圳天微 他家本來靠抄襲合泰LCD LED驅動晶元起家的
等等等等很多，總的來看最有潛力的系列龐大的就數GD32系列，KEIL MDK V5也直接支持了。
台灣：
中穎 新塘 笙泉 松翰,宏康,富晶 義隆 合泰 .....

⑼ gd32與stm32單片機軟體通用嗎

基本上只需少量調整就可以通用。
畢竟GD自己的FAE都承認就是照著ST依葫蘆畫瓢的，憑借快閃記憶體累積的經驗和渠道，通過價格搶市場……

⑽ GD32單片機由帶16位AD轉換器的型號嗎

推薦你用EN8F158,這顆雖然只有10位AD但是空間有4k，有AD和EEPROM 還有PWM，關鍵是價格還合適
 精簡指令集架構
 8 層硬體堆棧 x12bit
 2T 或 4T 指令周期
 4Kx14b 程序存儲空間
i. 程序存儲空間的 checksum 自動校驗
ii. 可配置，User Option
 256x8b 數據 EEPROM
i. 數據 EEPROM 在應用編程
ii. 可配置，Factory Option
 高耐用性 EEPROM
i. 程序和數據 EEPROM 可經受 100 萬次寫操作
ii. EEPROM 保存時間>40 年
 256x8b SRAM
 1 x 帶 8 位預分頻的定時器 0
 1 x 帶 3 位預分頻的 16 位定時器 1
 1 x 帶 8 位預分頻的
定時器 2 i.
慢時鍾周期測量模式
 增強性捕捉、比較和可編程 ― 死區 ‖ 時間的 PWM 模塊
i. 時鍾源可選：系統時鍾或者是內部 32MHz 時鍾
ii. 單次脈沖模式
iii. 最多 3 對帶 ― 死區 ‖ 的 PWM 輸出
 4x12bit Timer，4x12bit PWM，支持 BUZZER 模式
i. 支持每組 PWM 的互補脈沖輸出
ii. 時鍾最快 32M
iii. 外設時鍾輸出
 1x9bit 可編程脈沖發生器（PPG）
i. 兩個重載寄存器
ii. 脈沖極性可選擇
iii. 支持脈寬限制
iv. 支持不可重復觸發模式
v. 手動觸發方式和比較器結果觸發方式
 帶 7 位預分頻的 WDT，溢出頻率范圍為 16ms~256s
 上電延遲計數器 PWRT
 低功耗模式 SLEEP
 多個喚醒源，外部中斷 INT、埠變化中斷、WDT 和數據 EEPROM 寫完成，等等
i. 可配置硬體去抖的外部中斷 INT
 內置高速 16M RC 振盪器
 內置低速 32K RC 振盪器
 支持外部晶振 16M 或 32K，以及外部時鍾模
式 i. 時鍾缺失檢測