單片機ram地址

1. 8501單片機內的RAM分為哪三大部分各部分的地址編碼范圍是多少

8501單片機內部RAM低128位元組存儲區分為哪三部分：

1、工作寄存器區，地址范圍：00H~1FH，共32位元組

2、位定址區，地址范圍：20H~2FH，共16位元組

3、用戶存儲區，地址范圍：30H~7FH，區80位元組

如下圖所示

2. MCS－51單片機內部RAM區有（ ）個位地址。

mcs-51單片機內部ram分配如下：
00h~1fh：為工作寄存器地址，共四組
20h~2fh：為位地址空間，位地址范圍為00h~7fh
30h~7fh：為用戶使用的ram空間
80h~ffh：為特殊功能寄存器空間。

3. 80C51單片機的片內ROM和片內RAM各起什麼作用他們的地址范圍是多少

51單片機是哈佛結構，（我們的PC是馮諾依曼機構），指令，數據分開存儲，所以書上說程序存儲器，數據存儲器；
51內置4K,rom,可以用我們寫好的代碼都要存儲到它裡面，其中有幾個特殊地質是中斷的，如果有中斷就跳轉到這些地址執行程序范圍是0000h~0fffh，片內片外rom統一編制，所以如果要讀取rom中的數據要用movc指令哦，rom可讀不可寫。
ram地址00h~7fh,80H~0ffH
有21個特殊寄存器，IO口，累加器什麼的都在哪兒，是單片機控制部分。ram的作用是暫時存儲我們程序運行中的一些數據，變數，可讀可寫。
如果有疑惑，可以問我。。。

4. 內部Ram,位地址為40h,88h該位所在位元組地址分別為多少

位地址40H為位元組地址28H的D0位；位地址88H為TCON寄存器D0位，位元組地址為88H。

相關介紹：

典型的51單片機內部RAM是256B，8根地址線（8位），這256B共分為高128位和低128位，用戶使用的區域是低128位（即00H～7FH），通過程序計數器PC定址。

51單片機的外部RAM可擴展到64KB，16根地址線（16位），使用DPTR作為外部RAM的定址指針。

程序存儲器：也就是ROM，是存放用戶程序（如匯編程序或C程序）的地方，典型的51單片機內部ROM為4KB，若是使用外部ROM可以擴展到64KB。

數據存儲器：是存放用戶程序運行過程中的中間結果或者運算結果，也就是內部RAM或外部RAM。

5. 51單片機內部RAM

51單片機內部RAM具體要看產品配置。
分為兩種情況：
1：如果片內只有128位元組的RAM，則訪問RAM使用直接或者間接定址方式，地址為00H-7FH，在80H-FFH的空間分配給了SFR，只能使用直接定址方式。
2：片內RAM為256位元組時，低128位元組（00H-7FH）的訪問方式為直接和間接定址方式，高128位元組（地址80H-FFH）只能使用間接定址方式。
SFR的地址也為80H-FFH，但只能使用直接定址方式。
具體產品有詳細的說明書。

6. 單片機內部RAM位地址問題。

該位地址是08H

51單片機內部RAM之中，從位元組址20H～2FH，是可位定址空間，位地址是00H～2FH。
位元組址 位地址
2FH 7F、7E、7D、7C、7B、7A、79、78
2EH 77、76、75、74、74、72、71、70
…… ……
21H 0F、0E、0D、0C、0B、0A、09、08
20H 07、06、05、04、03、02、01、00

7. 單片機訪問片內RAM問題

單片機讀寫片內RAM高128位，80H-FFH，對於特殊功能寄存器屬於這個地址范圍內，也可以看成是RAM，所以，讀寫寄存器用直接定址方式，而讀寫RAM數據存儲器時只能用@R0，@R1間接定址方式。

8. 簡述單片機內部RAM地址空間 內部特殊功能寄存器空間 及位定址空間的區別，如果它們之間存在地址重疊

內部數據存儲器低128單元

8051單片機的內部RAM共有256個單元，通常把這256個單元按其功能劃分為兩部分：低128單元(單元地址00H～7FH)和高128單元(單元地址80H～FFH)。如圖所示為低128單元的配置如上圖。

寄存器區

8051共有4組寄存器，每組8個寄存單元(各為8)，各組都以R0～R7作寄存單元編號。寄存器常用於存放操作數中間結果等。由於它們的功能及使用不作預先規定，因此稱之為通用寄存器，有時也叫工作寄存器。4組通用寄存器占據內部RAM的00H～1FH單元地址。

在任一時刻，CPU只能使用其中的一組寄存器，並且把正在使用的那組寄存器稱之為當前寄存器組。到底是哪一組，由程序狀態字寄存器PSW中RS1、RS0位的狀態組合來決定。

通用寄存器為CPU提供了就近存儲數據的便利，有利於提高單片機的運算速度。此外，使用通用寄存器還能提高程序編制的靈活性，因此，在單片機的應用編程中應充分利用這些寄存器，以簡化程序設計，提高程序運行速度。

位定址區

內部RAM的20H～2FH單元，既可作為一般RAM單元使用，進行位元組操作，也可以對單元中每一位進行位操作，因此把該區稱之為位定址區。位定址區共有16個RAM單元，計128位，地址為00H～7FH。MCS-51具有布爾處理機功能，這個位定址區可以構成布爾處理機的存儲空間。這種位定址能力是MCS-51的一個重要特點。

用戶RAM區

在內部RAM低128單元中，通用寄存器佔去32個單元，位定址區佔去16個單元，剩下80個單元，這就是供用戶使用的一般RAM區，其單元地址為30H～7FH。對用戶RAM區的使用沒有任何規定或限制，但在一般應用中常把堆棧開辟在此區中。

內部數據存儲器高128單元

內部RAM的高128單元是供給專用寄存器使用的，其單元地址為80H～FFH。因這些寄存器的功能已作專門規定，故稱之為專用寄存器(Special Function Register)，也可稱為特殊功能寄存器。

9. RAM在單片機裡面有哪些作用

可以直接訪問任一個存儲單元，只要知道該單元所在記憶行和記憶列的地址即可。

存儲器可分為隨機存取存儲器（RAM）和只讀存儲器（ROM）兩大類。隨機存取存儲器（RAM）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電後均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。

ROM為只讀存儲器，除了固定存儲數據、表格、固化程序外，在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。

隨機存儲用途

SRAM：靜態隨機存取存儲器採取多重晶體管設計，通常每個存儲單元使用4-6隻晶體管，但沒有電容器。SRAM主要用於緩存。

DRAM：動態隨機存取存儲器中每個存儲單元由配對出現的晶體管和電容器構成，需要不斷地刷新。

FPM DRAM：快速頁模式動態隨機存取存儲器是最早的一種DRAM。在存儲器根據行列地址進行位元定位的全程中，FPM DRAM必須處於等待狀態，數據讀取之後才能開始處理下一位數據。向二級緩存的最高傳輸速率約為176MB每秒。

EDO DRAM：擴展數據輸出動態隨機存取存儲器在處理前一位數據的過程中無需全程等待，就可以開始處理下一位數據。只要前一位數據的地址定位成功，EDO DRAM就開始為下一位數據定址。它比FPM快5%左右。向二級緩存的最高傳輸速率約為264MB每秒。

SDRAM：同步動態隨機存取存儲器利用了爆發模式的概念，大大提升了性能。

(9)單片機ram地址擴展閱讀

當電源關閉時，RAM不能保留數據。如果需要保存數據，就必須把它們寫入一個長期的存儲設備中（例如硬碟）。RAM的工作特點是通電後，隨時可在任意位置單元存取數據信息，斷電後內部信息也隨之消失。

隨機存取存儲器對環境的靜電荷非常敏感。靜電會干擾存儲器內電容器的電荷，引致數據流失，甚至燒壞電路。故此觸碰隨機存取存儲器前，應先用手觸摸金屬接地。

隨機存取存儲器依賴電容器存儲數據。電容器充滿電後代表1（二進制），未充電的代表0。由於電容器或多或少有漏電的情形，若不作特別處理，數據會漸漸隨時間流失。刷新是指定期讀取電容器的狀態，然後按照原來的狀態重新為電容器充電，彌補流失了的電荷。需要刷新正好解釋了隨機存取存儲器的易失性。

10. 單片機的RAM地址中30H中H是什麼意思

H 代表著 HEX， hexdecimal，也就是16進制的意思
也就是說30是16進制的30，也就是3*16+0 ，及十進制的 48了。
但在單片機或者微機原理中，地址一般都是以十六進制或者二進製表示，幾乎不用十進制