51單片機用哪種晶振電容

㈠ 51單片機晶振用的電容是電解電容還是瓷片電容 為什麼我接電解電容和瓷片電容都不行 運行不了也

51單片機晶振用的電容是瓷片電容，你用的22pf的是對的，遇到這種情況首先檢查電源電壓是否正確是否可靠連接，如沒問題檢查晶振、單片機管腳、瓷片電容是否有短路和斷路的地方，也沒有檢查燒錄器的連接是否正確，都沒問題，大概單片機掛了。

㈡ 51單片機為什麼要用12M的晶振

首先需要明確：51單片機不是一定要用12M的晶振，11.05925M也行，18M也行，即一般來說35M以內的無源晶振（兩腳的）都可以的。

為什麼常見的51單片機要用12M的晶振，是因為我們常說的51單片機是12分頻的，如果選用12M晶振，如果是單指令周期的語句，剛好是1us，其他語句好似1us的整數倍，這樣計算指令時間很方便。

對於利用51單片機進行串口通訊的，一般會選用11.0592M晶振，因為對於9600，4800的波特率，11.0592M晶振計算時正好可以得到整數。

㈢ 51單片機中的電容有什麼作用

單片機中用到的電容通常有這樣兩種：第一種是並聯到晶振兩側，是幫助晶振起振的。第二種是復位電路上，上電他會充電，給單片機復位用的。還有就是IC設計過程中，會在IC的Vcc和GND間並聯一個電容，這個電容式濾波、去耦等作用，看電容大小而定。
51單片機是對所有兼容Intel 8031指令系統的單片機的統稱。該系列單片機的始祖是Intel的8004單片機，後來隨著Flash rom技術的發展，8004單片機取得了長足的進展，成為應用最廣泛的8位單片機之一，其代表型號是ATMEL公司的AT89系列，它廣泛應用於工業測控系統之中。很多公司都有51系列的兼容機型推出，今後很長的一段時間內將佔有大量市場。51單片機是基礎入門的一個單片機，還是應用最廣泛的一種。需要注意的是51系列的單片機一般不具備自編程能力。
電容器，通常簡稱其容納電荷的本領為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是『裝電的容器』，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用於電路中的隔直通交，耦合，旁路，濾波，調諧迴路， 能量轉換，控制等方面。定義2：電容器，任何兩個彼此絕緣且相隔很近的導體（包括導線）間都構成一個電容器。

㈣ 51單片機晶振上接的電容大小該如何選擇

5-33pf都可以，一般用的是15P和30P，晶振大小影響不大，常用的4M和12M以及11.0592M和20M 24M都用的30P，單片機內部有相應的整形電路。

在規定的時間內，由於規定的工作和非工作參數全部組合而引起的晶體振盪器頻率與給定標稱頻率的最大頻差。

總頻差包括頻率溫度穩定度、頻率溫度准確度、頻率老化率、頻率電源電壓穩定度和頻率負載穩定度共同造成的最大頻差。一般只在對短期頻率穩定度關心，而對其他頻率穩定度指標不嚴格要求的場合採用。

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在多數應用中，晶體振盪器是長期加電的，然而在某些應用中晶體振盪器需要頻繁的開機和關機，這時頻率穩定預熱時間指標需要被考慮到（尤其是對於在苛刻環境中使用的軍用通訊電台，當要求頻率溫度穩定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃），採用OCXO作為本振，頻率穩定預熱時間將不少於5分鍾，而採用DTCXO只需要十幾秒鍾）。

石英晶體振盪器是利用石英晶體（二氧化硅的結晶體）的壓電效應製成的一種諧振器件，它的基本構成大致是：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片，在它的兩個對應面上塗敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器。

㈤ 51單片機晶振上接的電容如何選擇

CL=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C

Cd，Cg：分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般情況下 Cd == Cg，但 Cd ！= Cg 也是可以的，Cd、Cg稱作匹配電容或外接電容，其作用就是調節負載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是Cd、Cg串聯後的總電容值（Cd*Cg/(Cd+Cg)）才是有效的負載電容部分，假設Cd==Cg==30pF，那麼Cd、Cg對負載電容的貢獻是15pF。
Cic：晶元引腳分布電容以及晶元內部電容（部分晶元為了在PCB上省掉Cd、Cg，會在晶元內部集成電容）。
△C：PCB走線分布電容，經驗值為3至5pf。

㈥ 如何選擇合適的單片機晶振電容

原理上講直接將晶振接到單片機上，單片機就可以工作。但這樣構成的振盪電路中會產生偕波(也就是不希望存在的其他頻率的波),這個波對電路的影響不大,但會降低電路的時鍾振盪器的穩定性. 為了電路的穩定性起見，建議在晶振的兩引腳處接入兩個瓷片電容接地來削減偕波對電路的穩定性的影響,所以晶振必須配有起振電容，但電容的具體大小沒有什麼 普遍意義上的計算公式，不同晶元的要求不同。
（1）：因為每一種晶振都有各自的特性，所以最好按製造廠商所提供的數值選擇外部元器件。
（2）：在許可范圍內，C1,C2值越低越好。C值偏大雖有利於振盪器的穩定，但將會增比較常用的為15p-30p之間。
晶振的作用不同，材料不同，型號不同，源於每一種晶振都有各自它們各自的特性，所以最佳按製造廠商所供應的數值選擇外部元器件。 當然晶振的電容也是按照不同的晶振類型所製造的，這是理所當然的。下面是晶振的電容選擇方法，一定要仔細看哦：
晶振電容選擇的幾大標准
（1）：在容許范圍內，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大雖有利於振盪器的安穩，但將會增加起振時間。
（3）：應使C2值大於C1值，這么可使上電時，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的運用中，就需要留心負載電容的選擇。因為不一樣廠家出產的石英晶體諧振器和陶瓷諧振器的特性和質量都存在較大差異。
選擇晶振電容的注意事項
（1）在選用時，需要了解該類型振盪器的要害方針，例如等效電阻，（凱越翔廠家建議負載電容，如頻率偏差等。
（2）但是在實習電路中，也能夠通過示波器查詢振盪波形來判別振盪器是不是作業在最佳情況。
|（3）當然在示波器查詢振盪波形時，所查詢的OSCO管腳(Oscillator output)，應選擇100MHz帶寬以上的示波器探頭，這種探頭的輸入阻抗高，容抗小，對振盪波形相對影響小。
（4）由於探頭上通常存在10～20pF的電容，所以觀測時，恰當減小在OSCO管腳的電容能夠取得更靠近實習的振盪波形。
（5）凱越翔建議：因為作業出色的振盪波形應當是一個美麗的正弦波，峰峰值應當大於電源電壓的70%。若峰峰值小於70%，可恰當減小OSCI及OSCO管腳上的外接負載電容。反之，若峰峰值靠近電源電壓且振盪波形發生畸變，則可恰當增加負載電容。 所以在選擇晶振的最佳電容時，是可以參考的哦！！！
專業儀器檢測專晶振（更技術的選擇）
因為用示波器查看OSCI(Oscillator input)管腳，如果簡略致使振盪器停振（原因是：有些的探頭阻抗小不能夠直接檢驗）所以晶振的電容能夠用串電容的方法來進行檢驗。
取中心值的小竅門（凱越翔獨家揭秘）
如常用的4MHz石英晶體諧振器，通常凱越翔廠家建議的外接負載電容為10～30pF支配。若取中心值15pF，則C1，C2各取30pF可得到其串聯等效電容值15pF。凱越翔k字晶振考慮到還別的存在的電路板分布電容的影響。以及晶元管腳電容，晶體自身寄生電容等都會影響總電容值，故實習配備C1，C2時，可各取20～15pF支配。因此C1，C2運用瓷片電容為佳。
當然這只是一部分的電容選擇要求和技巧，然而最佳的晶振選擇要求和技巧，還是要根據不同的晶振型號，類型和不同的材料晶振而定，當然還是要看各自的客戶的選擇要求來定哦如果你對晶振的電容選擇上還有什麼疑慮的，不妨登入凱越翔官查詢更加詳細的資料哦。（本文來自凱越翔，k字晶振）

㈦ 51單片機到底使用哪種晶振好

標準的51單片機晶振是1.2M-12M，一般由於一個機器周期是12個時鍾周期，所以先12M時，一個機器周期是1US，好計算，而且速度相對是最高的（當然現在也有更高頻率的單片機）。
11.0592M是因為在進行通信時，12M頻率進行串列通信不容易實現標準的波特率，比如9600，4800，而11.0592M計算時正好可以得到，因此在有通信介面的單片機中，一般選11.0592M

㈧ 單片機晶振的電容是什麼類型的電容

單片機晶振的電容是瓷片電容。
1、瓷片電容(ceramiccapacitor)是一種用陶瓷材料作介質，在陶瓷表面塗覆一層金屬薄膜，再經高溫燒結後作為電極而成的電容器。通常用於高穩定振盪迴路中，作為迴路、旁路電容器及墊整電容器。
2、瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數的電容器，用於高穩定振盪迴路中，作為迴路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限於在工作頻率較低的迴路中作旁路或隔直流用，或對穩定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中，因為它們易於被脈沖電壓擊穿。

㈨ 51單片機時鍾電路用12M晶振，電容怎麼計算

51單片機時鍾電路用12M晶振，電容不是計算的，就是晶振需要配置的電容，通常取20P~33P都行。
其實，這個電容，都是從第一本單片機書那抄過來的，多少年了，就沒變過。
但是，事實上，時鍾電路所配的電容真是可有可無的，乾脆不用了，時鍾電路照常工作，這都是實際做出來的。比那些書本要有說服力吧，可就是沒有一本這么寫。更沒有一本書介紹怎麼計算出來的，因為，可有可無的東西還用計算嗎？
現在，STC單片機，把外部晶振都省了，可以用內部 IRC時鍾電路了，而且頻率一樣精確，你說還用計算嗎，外部什麼都不用啦，你還計算什麼？不要什麼東西都靠計算，這不是數學。

㈩ 51單片機配12MHZ的無源晶振，晶振電容應該選多大的，怎麼得出這個電容參數

這個好像沒有固定的計算方法，大多靠經驗來選擇，無源晶振的匹配電容一般最好選擇兩個不等值的電容，一大一小可以加快起振。在許可范圍內盡量選小一些的電容，大些的電容雖有利於振盪的穩定，但會增加起振時間。一般常用的電容有12PF、15PF、22PF、33PF等，大致都是一個二十皮法量級。