⑴ 如何区分N沟道MOS管的各级
导通特性
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低
端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS
MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
.MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极
电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
注意事项：在各个电路中需要多做测试
⑵ 请教一下BUCK电路中元器件（MOSFET,二极管，电感，电容，负载电阻）的计算公式，谢谢了。急用！
http://www.onsemi.cn/PowerSolutions/proct.do?id=MC33063A
下面链接有详细的公式：
http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/MC34063A-D.pdf
下面链接有详细的计算过程的例子：
http://www.onsemi.cn/pub_link/Collateral/AN920-D.PDF
⑶ mos管过流问题
使用仿真软件，当它达到最大电流时就会击穿，突变的地方就是它的数值
⑷ 在替换一个MOS管的过程中,发现有两个不同类型的MOS管可替换.该如何确定对方产品的类型呢
比较规格书是一种正确的方法，第二就是看你的电路时高频还是低频，看你的电路功率大小，MOS管的驱动电压是否满足，导通内阻是否符合等。
⑸ 请问MOS管，用来做开关用时，只需提供门极G和源极S的足够电压就行 需要考虑门极和源极间电流大小吗
MOS管是电压控制的元件，它的栅极输入阻抗极大，几乎就没有电流经由栅极流向源极，也就是说Igs≈0。考虑栅极电流的情况，比较常见的只有一个，就是开关信号频率很高时，栅极的寄生电容高速充放电会产生较大的电流。
⑹ MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低
MOS管PDF中都有一个Vth的参数，这个参数是MOS开通的门限电压，当MOS管GS两端电压低于此电压时为低，高于此电压时开始导通，当高于Vmiller（这个PDF中不一定有）电压后完全导通。
⑺ mos管电压VGS大于标准值,可以吗，VGS有没有什么范围，这个范围取决于什么
有范围的，我做过600V的mos管，VGS范围在±30，具体你去看看低压mos的PDF文档
⑻ 怎样读懂MOS管的参数.pdf
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。 根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极：若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向PN结，即是正向电阻，判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
⑼ 怎样设置参数使matlab中MOSFET模型分别表示PMOS和NMOS
不好意思！刚申请的文库账号，在做任务。
⑽ 电脑cpu供电 每相有3个mos管 它们之间电路是怎么连接的
看了一下论坛上关于mos管的帖子，说的和“超越”大概一样，就是新mos管的电压、电流、功率值要大于等于原mos管的电压、电流、功率值。也就是说，换mos管的时候，要了解各个mos管的参数，这可是个不小的工作量，而且有些mos管的pdf图纸在网上找不到，比如“k3918”，至于可不可以混用，只要满足上面的要求，是可以混用的。帖子里还说，09n03和06n03可以用于所有cpu供电电路中，基本通吃。我在网上搜了一下09n03和06n03的pdf看了一下：09n03：v
ds=25v、i
d=50a、p
tot=63w（25
°c）06n03：v
ds=25v、i
d=50a、p
tot=83w（25
°c）同时我还顺便下载了04n03的pdf：04n03：v
ds=25v、i
d=80a、p
tot=107w（25°c）我发现n03前面的数字越小，这种管子的功率越高，不知道是不是这样。听朋友说，在更换mos管的时候，不同的主板，如果都是775的cpu，那么mos管是可以互换的，上管之间也可以混用，下管之间也可以混用，以这样的原则来代换mos管应该没问题吧。在帖子里还看到mos管的ds极是可以颠倒的，因为mos管在制作的过程中ds是对称设计的。那我就想不明白，既然是对称的，为什么用万用表量s到d有500的数值，d到s却无穷大。有没有高手可以指点一下呢？