集成电路工艺pdf

① 集成电路工艺的工艺特点

单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点，可以互相补充。通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。需要量少的或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵活，生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。

② 半导体集成电路的制造工艺

集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的直径为75mm的硅片上（现在已发展到φ=125mm～150 mm）将有 3000000个这样的元件，组成几百个电路、子系统或系统。通过氧化、光刻、扩散或离子注入、化学气相淀积蒸发或溅射等一系列工艺，一层一层地将整个电路的全部元件、它们的隔离以及金属互连图形同时制造在一个单晶片上，形成一个三维网络。而一次又可以同时加工几十片甚至上百片这样的硅片，所以一批可以得到成千上万个这样的电路。这样高的效率，正是集成电路能迅速发展的技术和经济原因。
半导体集成电路
这个三维网络可以有各种不同的电路功能和系统功能，视各层的拓扑图形和工艺规范而定。在一定的工艺规范条件下，主要由各层拓扑图形控制，而各层的拓扑图形又由各次光刻掩膜版所决定。所以光刻掩膜版的设计是制造集成电路的一个关键。它从系统或电路的功能要求出发，按实际可能的工艺参数进行设计，并由计算机辅助来完成设计和掩膜版的制造。
在芯片制造完成后，经过检测，然后将硅片上的芯片一个个划下来，将性能满足要求的芯片封装在管壳上，即构成完整的集成电路。

③ 集成电路工艺的介绍

集成电路工艺（integrated circuit technique ）是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。

④ 集成电路工艺主要分为哪几类每一类中包括哪些主要工艺并简述工艺的主要作用

工艺是指衬底制备，离子注入，扩散，外延，氧化，抛光，光刻这些步骤吧。
其实步骤蛮多的，我说我上课学到的部分，衬底制备就是对硅衬底进行一些改进，消除一些表面态，内部晶格的损伤什么的；

离子注入和扩散就是在硅上面进行参杂，以提高导电率或者是让他反型；

外延就是在表面上再生长一层东西，可以是其他半导体材料，金属等各种东西为的是形成；氧化就是形成二氧化硅隔离层，或者是场氧化层；

抛光就是你在硅上面生长了东西或者是利用大马士革工艺形成了各种沟道啊，导线啊什么的，你要把突出来的地方利用物理或者化学的方法去掉，是表面平滑，一边进行下一步；

光刻是最重要的一步，没走一层就要用光刻来完成，光刻主要是完成离子注入，扩散等上面这些东西的。只有利用光刻才能把你想走的线路或者想要参杂的地方在硅表面呈现出来。。
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⑤ 集成电路工艺的薄膜工艺

薄膜集成电路工艺
整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。
实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。

⑥ 集成电路工艺的单片工艺

单片集成电路工艺
利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。

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⑧ 集成电路工艺主要分为哪几类

集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。

半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源元件的集成电路。

无源元件的数值范围可以做得很宽，精度可以做得很高。技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这就是混合集成电路。

根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。

(8)集成电路工艺pdf扩展阅读：

1、按用途分类

集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

2、按应用领域分类

集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。

3、按外形分类

集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。