金属有机化学pdf_《有机化学》胡宏纹下册PDF

Ⅰ 跪求《有机化学》王积涛第三版 pdf 文件

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Ⅱ 求个有机化学反应机理羰基合成反应

此反应为烯烃加氢甲酰化反应，也称为氧合（OXO）反应，可用下式表示：
R-CH=CH2+H2+CO→R-CH2-CH2-CHO+R-CH(CH3)-CHO
R2C=CH2转变为R2CH-CH2-CHO的催化循环示于下图，循环的每一步都是金属有机化学中的基本反应，含钴的催化剂中间体在循环中于18e和16e物种之间交替变化，18e物种反应减少2个电子（通过配体解离，配位烯烃的1.2插入，烷基迁移，还原消除等），而16e物种可以通过烯烃或CO配位，氧化加成等增加2个电子。
加氢甲酰化过程中的某些步骤值得进一步说明，第一步涉及到HCO(CO)4的CO解离，受到高压CO的抑制，而第4步是CO的加成高压有利于此反应，因此控制适合的压力(200-300atm)对产率和反应速度十分重要。第二步反应是烯烃一级反应，是慢步骤（速度决定步骤），在第三步反应中，CH2基结合到金属上比CR2基结合到金属上更有利于产物的形成，第6步反应涉及到H2的加成，然而，高的H2压可能导致第3步16e中间体H2的加成，然后消除烷烃 R2CH-CH2-Co(CO)3+H2 = →R2CH-CH2-Co(H)2(CO)3 氧化加成
16e 18e

R2CH-CH2-Co(H)2(CO)3 = →R2CH-CH3+ HCO(CO)3 还原消除
18e 16e
因此仔细控制实验条件以实现目的产物的最优产率是十分重要的，此反应前催化剂(precatalyst)是金属原子簇CO2(CO)8，实际催化剂物种是16e HCo(CO)3。

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简介：从“静态”和“动态”两方面对有机化学的基本概念、基本理论、基本反应和它们的实际运用进行了比较系统的总结，同时结合相关题目的分析和解法加以论述.

Ⅳ 有机金属化学气相沉积法的简介

金属有机化学气相沉积法 (MOCVD, Metal-organic Chemical Vapor Deposition) ，是在基板上成长半导体薄膜的一种方法。
其他类似的名称如： MOVPE (Metal-organic Vapor-Phase Epitaxy) 、 OMVPE (Organometallic Vapor-Phase Epitaxy)及 OMCVD (Organometallic Chemical Vapor Deposition) 等等，其中的前两个字母 MO 或是 OM ，指的是半导体薄膜成长过程中所采用的反应源 (precusor) 为金属有机物 Metal-organic 或是有机金属化合物 Organometallic 。而后面三个字母 CVD 或是 VPE ，指的是所成长的半导体薄膜的特性是属于非晶形薄膜或是具有晶形的薄膜。一般而言，CVD 所指的是非晶形薄膜的成长，这种成长方式归类于沉积(Deposition)；而 VPE 所指的是具有晶形的薄膜成长方式，这种方式归类于磊晶(Epitaxy)。