8050三极管pdf

Ⅰ 8050三极管参数的介绍

8050三极管参数：耐压25V,电流：500mA,800mA,1500mA三种，比如长电科技的这三种的型号，分别是S8050,M8050和SS8050.

Ⅱ 8050三极管 最大集电极电流一般是多少

最大集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益:10 to 60;

功耗:625 mW;

最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;

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不拆卸三极管判断其好坏的方法：

在实际应用中，小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上，由于元件的安装密度大，拆卸比较麻烦，所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡，去测量被测管子各引脚的电压值，来推断其工作是否正常，进而判断三极管的好坏。

如果是像8050 ，9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚，黑表笔接一个极，用红笔分别接其它两极，两个极都有5K阻值时，黑表笔所接就是B极。这时用黑红两表笔分别接其它两极，黑表笔所接那个极和B极，表指示阻值小的那个黑表所接就是C 极。

Ⅲ 三极管8050的性能

一、三极管8050

三极管8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。也可用作开关电路。

二、三极管8050的性能指标

类型:开关型;

极性:NPN;

材料:硅;

最大集电极电流(A):0.5 A;

直流电增益:10 to 60;

功耗:625 mW;

最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;[1]

特征频率:150 MHz

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz

CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

Ⅳ 8050三极管引脚图 8050三极管参数

参数如下：

8050引脚图：

1、最大集电极电流(A)：0.5 A。

2、最大集电极-发射极电压（VCEO）：25。

3、特征频率：150 MHz。

PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W。

3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K。

判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡，用手捏住基极和假定集电极，黑表笔接触假定集电极，红表笔接触假定发射极指针有较大偏转则假定正确，反正错误。进一步验证，替换假定集电极和假定发射极，重复操作，两次中指针偏转较大的假定正确；npn型红黑表笔相反。

Ⅳ 8050三极管发射极最大电流多大

射极电流等于，集电极电流+基极电流；集电极电流＝β倍基极电流，假设放大倍数β为100倍。已知8050三极管集电极最大电流为1.5A，射极最大电流就是1.5+1.5/100=1.515A，由于超过两个数量级可以忽略不计，射极最大电流，约等于集电极电流1.5A

Ⅵ 三极管8050参数是什么

8050是非常常见的NPN型晶体三极管，在各种放大电路中经常看到它，应用范围很广，主要用于高频放大。 参数：类型:开关型;
极性:NPN;
材料:硅;
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益:10 to 60;
功耗:625 mW;
最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;
特征频率:150 MHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K

Ⅶ 跪求8050三极管的具体参数

Vcbo=30V
Vceo=25 V
Vebo=6.0V
Ic=1.5A
Pc=625mW（Pcm＝3W，结温145度时）
hfe=85～300（B：85～160，C：120～200，D：160～300）
这个管子与8550配对。

Ⅷ 三极管8050参数

s8050三极管基本参数：

类型：NPN。

集电极耗散功率Pc：0.625W（贴片：0.3W）。

集电极电流Ic：0.5A。

集电极-基极电压Vcbo：40V。

集电极-发射极电压Vceo：25V。

集电极-发射极饱和电压Vce(sat)： 0.6V。

特征频率f： 最小150MHz。

按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档。

放大倍数：B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350。

管脚排列顺序：E、B、C或E、C、B。

S8050是一款小功率NPN型硅管，集电极-基极（Vcbo）电压最大可为40V，集电极电流为（Ic）0.5A。S8050是电路硬件设计最常用半导体三极管型号之一。

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理论原理：

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (Base)和集电极c (Collector)。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。

参考资料来源：网络-S8050

参考资料来源：网络-三极管

Ⅸ 8050三极管是什么样的三极管

8050三极管是NPN型功率三极管，常用来组成H桥驱动大功率物体，如步进电机。和他配套使用的PNP型功率三极管8550

Ⅹ 三极管8050的技术参数

类型:开关型;
极性:NPN;
材料:硅;
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益:10 to 60;
功耗:625 mW;
最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;
特征频率:150 MHz
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K