二极管的命令和方法

㈠ 什么叫做命令滤波啊有谁知道不

命令滤波是一种单字节指令，它可以启动内部序列。只要写一下对应的寄存器的地址，不用写数据，它就在内部自动执行相应的命令，如重启芯片、设置发送模式等。

命令滤波寄存器的访问和一个寄存器的写操作一样，但没有数据被传输。就是说，只有R/W位（置为0），突发访问（置为0）和六个地址位（0x30和0x3D之间）被写。一个命令滤波可能在任何其他SPI访问之后，而不需要将CSn拉至高电平。命令滤波立即被执行，当CSn高时SPWD和SXOFF滤波是例外。

下表是14个命令滤波寄存器：

最近在做相关毕业设计，希望对你有帮助！

㈡ 二极管采用共阳极连接,要使二极管全亮,单片机应该输出什么信号写出对应的指令

共阳，也就是发光二极管的正极全部接在同一个5V电源中，如果单片机的IO口，输出高电平，也就是1,相当于5V，发光二极管两端会由于没有压差，不会发光，但如果输出低电平，也就是0,相当于0~1V，有了压差，电流才会流动，发光二极管才会发光！

先汇编吧；

ORG
00H

SJMP
START

START:MOV
A,#00H

MOV
P1,A

JMP
START

再到C语言：

#include<reg51.h>

void
main()

{

while(1)

{

P1=0x00;

}

}

㈢ 如何用万用表测量二极管

万用表有专门的二极管测量档，将万用表表盘拨到二极管档，红表笔接正极、黑表笔接负极时，万用表读数一般为0.5~0.8左右，反接时（红表笔接负极，黑表笔接正极），万用表读数为0L，若万用表测得该二极管正反向读数均为0.00或0L，说明该二极管已经损坏。

将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。

万用表使用注意事项

当不清楚被测电压或电流值的大小时，应先用最高挡，然后再根据测量的结果选择合适的挡位，以免表针偏转过大将表针打弯或损坏表头。不过，所选用的挡位越接近被测值，测量的数值就越准确。

测量直流电压和直流电流时，注意正、负极，不要接错。发现表针反转，应立即调换表笔，以免损坏表针、表头等。

以上内容参考网络-万用表、网络-二极管

㈣ 二极管的命名和标示方法

中国三极管型号命名方法
中国半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管
3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：
A-N型锗材料
B-P型锗材料
C-N型硅材料
D-P型硅材料
表示三极管时：
A-PNP型锗材料、
B-NPN型锗材料、
C-PNP型硅材料、
D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、
V-微波管
W-稳压管
C-参量管
Z-整流管
L-整流堆
S-隧道管
N-阻尼管
U-光电器件
K-开关管
X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)
G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)
D -低频大功率管（f1W)
A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)
T-半导体晶闸管（可控整流器）
Y-体效应器件
B-雪崩管
J-阶跃恢复管
CS-场效应管
BT-半导体特殊器件
FH-复合管
PIN-PIN型管
JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
美国三极管型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
1.第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级
JANTX-特军级
JANTXV-超特军级
JANS-宇航级
（无）-非军用品。
2.第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管
2-三极管
3-三个pn结器件
n-依次类推
3.第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
4.第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
5.第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。
日本三极管型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
1.第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、
1-二极
2-三极或具有两个pn结的其他器件、
3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件
2.第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
3.第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管
B-PNP型低频管
C-NPN型高频管
D-NPN型低频管
F-P控制极可控硅
G-N控制极可控硅
H-N基极单结晶体管
J-P沟道场效应管
K-N沟道场效应管
M-双向可控硅
4.第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
5.第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
欧洲三极管型号命名方法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
1.第一部分O-表示半导体器件
2.第二部分A-二极管
C-三极管
AP-光电二极管
CP-光电三极管
AZ-稳压管
RP-光电器件
3.第三部分：多位数字-表示器件的登记序号4.第四部分A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
国际三极管型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
1.第一部分：用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗
B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅
C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓
D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟
E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
2.第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管
B-变容二极管
C-低频小功率三极管
D-低频大功率三极管
E-隧道二极管
F-高频小功率三极管
G-复合器件及其他器件
H-磁敏二极管
K-开放磁路中的霍尔元件
L-高频大功率三极管
M-封闭磁路中的霍尔元件
P-光敏器件
Q-发光器件
R-小功率晶闸管
S-小功率开关管
T-大功率晶闸管
U-大功率开关管
X-倍增二极管
Y-整流二极管
Z-稳压二极管
3.第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
4.第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

㈤ 二极管检验方法

普通二极管的检测 （包括检波二极管、整流二极管、阻尼二极管、开关二极管、续流二极管）是由一个PN结构成的半导体器件，具有单向导电特性。通过用万用表检测其正、反向电阻值，可以判别出二极管的电极，还可估测出二极管是否损坏。
1．极性的判别 将万用表置于R×100档或R×1k档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出一个结果后，对调两表笔，再测出一个结果。两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向电阻）。在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极。
2．单负导电性能的检测及好坏的判断 通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好。
若测得二极管的正、反向电阻值均接近0或阻值较小，则说明该二极管内部已击穿短路或漏电损坏。若测得二极管的正、反向电阻值均为无穷大，则说明该二极管已开路损坏。
3．反向击穿电压的检测 二极管反向击穿电压（耐压值）可以用晶体管直流参数测试表测量。其方法是：测量二极管时，应将测试表的“NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“C”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“V（BR）”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。