改nand编程器

① NAND Flash上的坏块可以用编程器来检测吗

NANDFlash的特点就是会随机产生坏块，而且在生产的时候是允许的，这个芯片的特性，现在有些编程器可以通过坏块检测的方法来获取芯片的坏块，比如ZLG致远电子的SmartPRO6000F就可以，如下所示。

② proman编程器好不好

proman编程器是相对其它支持NOR/NAND的编程器来说是非常实惠的一款编程器，根据本人使用的情况来说，写一些小的固件还是可以的，写一大的固件效果和体验较着，基本上超过1G的固件没写成功过，且速度不是很快。我有一次克隆一个K9W8G08U1M，写了十几二十来个没克成一块，很伤心。好像近期proman开发团队更新对24 25闪存的支持，但不支持其加密区，希望回答对你有帮助。

③ 海思板子支持nand flash启动吗

最近忙个项目，要刷bootloader，一下子没搞好，就砖了，要焊flash.... 苦于nand编程器不好找，外面卖得n贵，便宜的勉强能用，但要15分钟以上擦写一片。 想到有一片海思3716M的报废板子（配置同海思2108)，拖焊次数多了，flash引脚的铜片飞了，有可能用它接个座子，用来做编程器吗？

经过艰辛的diy路程，终于把海思的3716M这板子改装成简易但高速的NAND flash编程器。

（非硬件达人，焊工一般，没专业设备，仅就地取材，好在diy成本低）

海思2108一样可以进行这样的改装。

板子重新配置了BOOT， 从SPI flash引导并且引导内核启动网络等，telnet进入进行nand flash读写, 数据读写到从u盘或者nfs/cifs。 ECC可自定义(RAW模式），即可以读写不同系统的nand flash，不单单是用于海思的flash。 由于是使用的是海思 nand 控制器，DMA 直接读写，所以读写速度是比较快的，速度秒杀通用的编程器。

最近要写一片32M的flash， 发现海思NAND驱动并不支持 512页的flash， 深入其驱动，成功在fastboot和内核上加入 512页flash的支持。为此，海思编程器能广泛的支持各种 512页 、2048页 、 4096、8192页的各种nand flash.

④ 什么编程器可以烧录NAND Flash而且要稳定一点.

有款FLASHRUNNER万用型烧录器 是意大利制造的，支持大部分芯片烧录，调试完成后比较稳定。此烧录器在线烧录器，可受控。此款烧录器唯一缺点是调试比较麻烦！

⑤ 如何将开发板启动方式从spi改为nand

开发板上电第一步是启动固件，固件是出厂时固化好的，固件的作用是初始化一下基本的 设备，以nand为例，固件irom初始化好sram后，将nand中的前4k的bootloader（一般为uboot）拷贝到sram中，sram再初始化另一些设备比如dram等等

⑥ NANDFlash烧写器的功能描述

1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧写，烧写过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确；
2.支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写，内置针对多种软硬件平台的量身定做的坏块管理及烧写方式，极大的提高烧录良品率。
3.烧录速度快，512Byte小页面Flash速度约1.8MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面SLC架构Flash编程速度约3MB/秒（带校验），2048Byte以上大页面MLC架构Flash编程速度约2.5MB/秒（数据全部比对校验）。
4.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程；
5.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧写方式：
（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;
（2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于SD卡或烧写器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash;
6.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：
（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；
（2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；
（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；
（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；
（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同；
7.可根据用户的特殊要求快速修改软件，按你的特殊要求量身定做烧录方式(坏块管理方式)，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统的管理；

⑦ NAND Flash烧录器

艾普科技NPF-6683烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具，它具有如下特征：

一、 功能介绍
该款烧录器支持16MByte（128Mbit）到8GByte（64Gbit）的NAND Flash的快速烧录，适合具有预装资料的GPS导航仪，MP4，PDA，学习机，数码相框，硬盘播放机，游戏机，电子书，点读机，语音地图机，监控类等产品在大规模生产中使用，加密CF卡，加密U盘，加密SD卡等存储工具的Flash原始数据复制（直接PC端复制不可用），它具有如下特征：
1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧录，烧录过程实时校验，绝对保证数据的正确；
2.烧录速度接近NAND Flash的速度极限，512Mbit小页面Flash速度约1.4MByte/秒（带校验），8Gbit大页面SLC架构Flash编程速度约3MByte/秒（带校验），8Gbit大页面MLC架构Flash编程速度约2MByte/秒（带校验）。
3.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程；
4.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式：
（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;
（2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于U盘或编程器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash;
5.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：
（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；
（2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；
（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；
（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；
（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同；
6.可根据用户的特殊要求修改软件，按你的特殊要求量身定做，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统；
7.支持带操作系统的NAND Flash数据烧写，如WINCE操作系统的XIP/BINFS情况下Flash分区的坏块管理，解决了目前市面上的编程器在NAND Flash上的文件系统分区区域内出现坏块单纯跳过而造成的操作系统无法正确运行或文件无法正常读写的问题。
二、 支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V)
1,三星
K9F2808U0*、K9F1208U0* 、K9F5608U0*、K9F1G08U0*、K9F2G08U0*、K9F4G08U0*、 K9F8G08 、 K9WAG08、 K9F5608U0*、 K9F1208U0*、 K9F1G08U0*、 K9F6408U0*、 K9K1208U0* 、 K9K1G08U0*、 K9K2G08U0*、 K9K4G08U0*、 K9K8G08U0*、K9G8G08*、K9GAG08U0*、K9LAG08U0*、 K9W8G08U0*、 K9LBG08U0*、K9HCG08U0*..........
2,现代
HY27US08561M、HY27US08121M、HY27UA081G1M、HY27UF081G1M、HY27UVB082G2M、HY27UVB082G4M、HY27US08281M/1G2M/2G2M/4G2M/4G1M/2G1M、HY27UVB081G2M、HY27UVB084G2M、HY27UVB084G1M HY27UVB082G1M、HY27UF081G2M、HY27VB082G4M、HY27UA081G1M、HY27UU088G5M、HY27UT084G2M HY27UF084G2M、HY27UF082G2M ........

注：和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用，如Micron，Intel，Spectek，ST，Toshiba，Infineon，Scandisk，Actrans，Renesas，型号太多，未能一一列出，艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号，其它封装的Flash可定做转换座。

艾普科技将与您一起，共同努力解决NAND Flash的使用上的所有烦扰问题！！！！

⑧ 如何用编程器对NAND Flash进行一键编程

主要有事件,信号量,互斥量,信箱,事件通常为1对多,信号量为1个资源,多个任务,任务需要顺序执行的.互斥量为一个资源多个任务抢占,没有顺序的方式执行,信箱为多个任务(资源)交换数据用,这里的任务可以是外设,中断,以及任务.http://www.docin.com/p-890836395.html

⑨ NAND的基本操作

每一个页均包含一个2048字节的数据区和64字节的空闲区，总共包含2,112字节。空闲区通常被用于ECC、耗损均衡(wear leveling)和其它软件开销功能，尽管它在物理上与其它页并没有区别。NAND器件具有8或16位接口。通过8或16位宽的双向数据总线，主数据被连接到NAND存储器。在16位模式，指令和地址仅仅利用低8位，而高8位仅仅在数据传输周期使用。
擦除区块所需时间约为2ms。一旦数据被载入寄存器，对一个页的编程大约要300μs。读一个页面需要大约25μs，其中涉及到存储阵列访问页，并将页载入16,896位寄存器中。
接口由6个主要控制信号构成
除了I/O总线，NAND接口由6个主要控制信号构成：
1.芯片启动(Chip Enable, CE#)：如果没有检测到CE信号，那么，NAND器件就保持待机模式，不对任何控制信号作出响应。
2.写使能(Write Enable, WE#): WE#负责将数据、地址或指令写入NAND之中。
3.读使能(Read Enable, RE#): RE#允许输出数据缓冲器。
4.指令锁存使能(Command Latch Enable, CLE): 当CLE为高时，在WE#信号的上升沿，指令被锁存到NAND指令寄存器中。
5.地址锁存使能(Address Latch Enable, ALE)：当ALE为高时，在WE#信号的上升沿，地址被锁存到NAND地址寄存器中。
6.就绪/忙(Ready/Busy, R/B#)：如果NAND器件忙，R/B#信号将变低。该信号是漏极开路，需要采用上拉电阻。
数据每次进/出NAND寄存器都是通过16位或8位接口。当进行编程操作的时候，待编程的数据进入数据寄存器，处于在WE#信号的上升沿。在寄存器内随机存取或移动数据，要采用专用指令以便于随机存取。
数据寄存器输出数据的方式
数据寄存器输出数据的方式与利用RE#信号的方式类似，负责输出现有的数据，并增加到下一个地址。WE#和RE#时钟运行速度极快，达到30ns的水准。当RE#或CE#不为低的时候，输出缓冲器将为三态。这种CE#和RE#的组合使能输出缓冲器，容许NAND闪存与NOR、SRAM或DRAM等其它类型存储器共享数据总线。该功能有时被称为“无需介意芯片启动(chip enable don't care)”。这种方案的初衷是适应较老的NAND器件，它们要求CE#在整个周期为低(译注：根据上下文改写)。
输入寄存器接收到页编程(80h)指令时，内部就会全部重置为1s，使得用户可以只输入他想以0位编程的数据字节
带有随机数据输入的编程指令。该指令只需要后面跟随着数据的2个字节的地址
指令周期
所有NAND操作开始时，都提供一个指令周期
当输出一串WE#时钟时，通过在I/O位7：0上设置指令、驱动CE#变低且CLE变高，就可以实现一个指令周期。注意：在WE#信号的上升沿上，指令、地址或数据被锁存到NAND器件之中。如表1所示，大多数指令在第二个指令周期之后要占用若干地址周期。注意：复位或读状态指令例外，如果器件忙，就不应该发送新的指令。
注意：因为最后一列的位置是2112，该最后位置的地址就是08h(在第二字节中)和3Fh(在第一字节中)。PA5:0指定区块内的页地址，BA16:6指定区块的地址。虽然大多编程和读操作需要完整的5字节地址，在页内随机存取数据的操作仅仅用到第一和第二字节。块擦除操作仅仅需要三个最高字节(第三、第四和第五字节)来选择区块。
总体而言，NAND的基本操作包括：复位(Reset, FFh)操作、读ID(Read ID, 00h)操作、读状态(Read Status, 70h)操作、编程(Program)操作、随机数据输入(Random data input, 85h)操作和读(Read)操作等。

⑩ 请问，中国有COMPASS品牌的NAND FLASH编程器吗

艾普科技NPRO6683烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具，它具有如下特征：

一、 功能介绍
该款烧录器支持8MByte（64Mbit）到32GByte（256Gbit）的NAND Flash的快速烧录，适合具有预装资料的GPS导航仪，车载电脑主机，高清播放机，高清机顶盒，蓝光DVD，网络摄像头，手持智能设备，学习机，数码相框，游戏机，电子书，点读机，语音玩具，监控门禁类等产品在大规模生产中使用，加密CF卡，加密U盘，加密SD卡，加密固态硬盘等存储工具的Flash原始数据复制（直接PC端复制不可用），它具有如下特征：
1.采用一托四的结构设计，可以对四片NAND Flash同时进行烧录，烧录过程实时校验写入数据，绝对保证数据的正确，支持目前的多种软硬件平台对NAND Flash的管理方式；
2.支持多种软硬件平台的NAND Flash数据烧写，内置针对多种软硬件平台的量身定做的坏块管理及烧写方式，极大的提高烧录良品率。
3.烧录速度快，512Mbit小页面Flash速度约1.8MByte/秒（带校验），8Gbit大页面SLC架构Flash编程速度约3MByte/秒（带校验），8Gbit大页面MLC架构Flash编程速度约2.5MByte/秒（带校验）。
4.标配4.3寸超大真彩液晶屏，一切操作可视化，触摸屏及按键双输入方式，无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程；
5.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式：
（1）母片拷贝方式：用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash，之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;
（2）文件方式烧写:用户可将指定文件置于SD卡或编程器内置硬盘，本方式读出文件内容按指定方式（可支持特殊文件系统）写入Flash;
6.可灵活配置多种参数，如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作：
（1）对母片拷贝方式，可设置特殊坏块标记，方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间，用户可选择拷贝有效数据区域，这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间；
（2）可读取指定Flash任意页的内容显示，方便用户实时观察Flash上的数据分布；
（3）可独立擦除指定的Flash，可独立扫描指定Flash的坏块，并形成详细坏块分布信息显示于屏幕；
（4）可扫描Flash上的空白页或空白块，方便用户了解原始Flash上的空间使用情况；
（5）可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容，并将不同之处显示于屏幕，并可顺序浏览每一处不同；
7.可根据用户的特殊要求快速修改软件，按你的特殊要求量身定做烧录方式(坏块管理方式)，修改周期不超过3个工作日，且可定制特殊的文件系统的管理；