flash存储器编程

Ⅰ FLASH存储器是什么

什么是flash
memory存储器
介绍关于闪速存储器有关知识
近年来，发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(flash
memory)。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，flash
memory属于eeprom(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有rom的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写，
功耗很小。目前其集成度已达4mb，同时价格也有所下降。
由于flash
memory的独特优点，如在一些较新的主板上采用flash
rom
bios，会使得bios
升级非常方便。
flash
memory可用作固态大容量存储器。目前普遍使用的大容量存储器仍为硬盘。硬盘虽有容量大和价格低的优点，但它是机电设备，有机械磨损，可靠性及耐用性相对较差，抗冲击、抗振动能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盘的手段。由于flash
memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。
目前研制的flash
memory都符合pcmcia标准，可以十分方便地用于各种便携式计算机中以取代磁盘。当前有两种类型的pcmcia卡，一种称为flash存储器卡，此卡中只有flash
memory芯片组成的存储体，在使用时还需要专门的软件进行管理。另一种称为flash驱动卡，此卡中除flash芯片外还有由微处理器和其它逻辑电路组成的控制电路。它们与ide标准兼容，可在dos下象硬盘一样直接操作。因此也常把它们称为flash固态盘。
flash
memory不足之处仍然是容量还不够大，价格还不够便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量轻，但容量不大的便携式系统中。在586微机中已把bios系统驻留在flash存储器中。

Ⅱ flash存储器的擦写的两种模式是什么

监控模式或写入器模式。
用户模式或在线编程模式，两种模式各有优缺点：监控模式需要外部硬件支持，但不需要单片机内部程序的存在，所以适合对新出厂芯片进行编程写入，用户模式可以在单片机正常工作时进入，所以常用在程序运行过程中对部分Flash存储器的一些单元内容进行修改，特别适合于目标系统的动态程序更新和运行数据的存储。一般来说，两种模式对Flash存储器的编程操作的程序是一致的，差别在于调用这些程序的方式和环境。

Ⅲ MC908GP32单片机的Flash存储器的编程过程

在HC08系列单片机中，对Flash进行擦除或写入操作需要遵循一定的时序和步骤。对于整个MC68HC908系列的各个型号，这些步骤是一样的，但时序要求可能略有不同，针对具体型号的Flash进行编程时应参考相应的芯片手册。同时需要注意的是，一些型号的监控ROM内含有Flash编程子程序，用户可直接调用，例如MC68HC908JL3；有的型号则没有，例如MC908GP32，这种情况需自行编制子程序。下面介绍MC908GP32的Flash编程的基本操作。 下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：进行页面擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延时terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成一页的擦除操作。 下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：进行整体擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延时tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成整体擦除操作。 MC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分，未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必须在这一行中。
④先延时tnvs(>10µs)；再将$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延时tpgs(>5µs)；再将待写数据写入对应的Flash地址。
⑥延时tprog(>30µs)，完成一个字节的写入(编程)工作。
⑦重复⑤、⑥，直至同一行内各字节写入完毕。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延时tnvh(>5µs)；再将$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。

Ⅳ 在系统可编程flash存储器是什么意思

FLASH存储器是闪速存储器，它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。

Ⅳ flash存储器可以存储什么信号

8 个 I/O 端口.
但是只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。

Ⅵ flash是什么意思/

英[fl__]美[fl__]
v.闪光;(使)闪耀;(向?)用光发出(信号);(快速地)显示;飞速运动;突然想到;（使）闪现，映出，显示;（通过无线电、计算机等）快速发送（信息）;突然显露（强烈情感。
n.闪光;闪耀;(尤指信号灯)闪亮;(想法的)突现;(情感的)突发;（明亮的东西）闪现;闪光灯;徽章，肩章，臂章;彩条;Flash网站动画制作程序。
adj.庞大的;昂贵的;穿着奢华的。
第三人称单数：flashes。
现在分词：flashing。
过去式：flashed。
过去分词：flashed。一站式出国留学攻略 http://www.offercoming.com

Ⅶ flash一个地址能存多大数据

flash一个地址能存1Kb和2Kb的，也就是1024字节和2048字节，一般来说内部flash大的采用2048字节一页，内部flash小的采用1024字节一页。

flash是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据。FLASH在电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。

flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程的性能，还可以快速读取数据，使数据不会因为断电而丢失。

Flash种类：

目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlash。NORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。

NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。

以上内容参考网络-Flash