flash存储编程

❶ 怎样对51单片机内的FLASH和EEPROM编程

程序代码是存放在flash里，中间变量放在RAM里的吧。。。如果你想把变量数据放到EEPROM中，可以在程序中指定操作放入Flash或者EEPROM中。单纯编译是将程序放到FLASH中的。

❷ flash存储器的擦写的两种模式是什么并阐述过程

编程过程。flash存储器的擦写的两种模式是编程过程，Flash内部程序对Flash其他区域进行擦除与写入，用于程序运行过程中，进行部分程序的更新或保存数据。

❸ 什么是flash编程

flash编程 又指 AS编程 是指用flash里面的 Action Script 语言来编些程序。Action Scprit 简称AS , 用于编写与flash交互的程序，在flash里面称之为 动作脚本。 由于现在flash在网络上的广泛使用，AS编程也越来越受关注了。

❹ 单片机的flash中存放的是指令还是数据

可以存数据也可以存程序，FLASH也就是闪存是可以电擦写的，因此可以存数据，但因为写入速度较慢，因此不适合存速度要求变化较快的数据。一般而言，FLASH以存程序较多。

❺ 在系统可编程flash存储器是什么意思

FLASH存储器是闪速存储器，它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息。就其本质而言，Flash Memory属于EEPROM(电擦除可编程只读存储器)类型。它既有ROM的特点，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重写， 功耗很小。

❻ MC908GP32单片机的Flash存储器的编程过程

在HC08系列单片机中，对Flash进行擦除或写入操作需要遵循一定的时序和步骤。对于整个MC68HC908系列的各个型号，这些步骤是一样的，但时序要求可能略有不同，针对具体型号的Flash进行编程时应参考相应的芯片手册。同时需要注意的是，一些型号的监控ROM内含有Flash编程子程序，用户可直接调用，例如MC68HC908JL3；有的型号则没有，例如MC908GP32，这种情况需自行编制子程序。下面介绍MC908GP32的Flash编程的基本操作。 下面过程可以擦除GP32的Flash存储器的一页(128字节)：
①$2→FLCR(1→ERASE位，0→MASS位)：进行页面擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash页内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向待擦除页首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$A→FLCR(1→HVEN位)。
⑥延时terase(>1ms)。
⑦$8→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvh(>5µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成一页的擦除操作。 下面过程擦除GP32的整个Flash区域，以便把新的程序装入Flash存储器，这是应用系统研制过程中开发工具对GP32编程的准备工作。
①$6→FLCR(1→ERASE位，1→MASS位)：进行整体擦除。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向被擦除的Flash任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向首地址写入0。
④延时tnvs(>10µs)。
⑤$E→FLCR(1→HVEN位、MASS位、ERASE位)。
⑥延时tMerase(>4ms)。
⑦$C→FLCR(0→ERASE位)。
⑧延时tnvhl(>100µs)。
⑨$0→FLCR(0→HVEN位、MASS位)。
⑩延时trcv(>1µs)，完成整体擦除操作。 MC908GP32的Flash编程操作以行(64字节)为单位进行的。当然，一次写入可以小于一行，但不能大于一行。对于已经写过的部分，未经擦除不能重新写入变更其数据，否则将引起数据出错。写入过程如下:
①$1→FLCR(1→PGM位)。
②读Flash块保护寄存器FLBPR。
③向将要写入的Flash行内任意一个地址写入任意值，为方便起见，一般向行首地址写入0，这一步选定了所要编程的行，以下的目标地址必须在这一行中。
④先延时tnvs(>10µs)；再将$9→FLCR(1→HVEN位)。
⑤先延时tpgs(>5µs)；再将待写数据写入对应的Flash地址。
⑥延时tprog(>30µs)，完成一个字节的写入(编程)工作。
⑦重复⑤、⑥，直至同一行内各字节写入完毕。
⑧$8→FLCR(0→PGM位)。
⑨先延时tnvh(>5µs)；再将$0→FLCR(0→HVEN位)。
⑩延时trcv(>1µs)以后，完成本行写入工作，可以读出校验。