A. 请问单片机晶振电路中两个电容的作用是什么
单片机晶振电路中两个电容(负载电容)的作用是把电能转换成其他形式的能。如果没这两个电容的话,振荡部分会因为没有回路而停振。电路不能正常工作了。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。
电动机能把电能转换成机械能,电阻能把电能转换成热能,电灯泡能把电能转换成热能和光能,扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。
晶体三极管对于前面的信号源来说,也可以看作是负载。对负载最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。
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单片机能正常工作的必要条件之一就是时钟电路,所以单片机就很需要晶振。通过一定的外接电路来,可以生成频率和峰值稳定的正弦波。
而单片机在运行的时候,需要一个脉冲信号,做为自己执行指令的触发信号,可以简单的想象为:单片机收到一个脉冲,就执行一次或多次指令。
单片机工作时,是一条一条地从RoM中取指令,然后一步一步地执行。单片机访问一次存储器的时间,称之为一个机器周期,这是一个时间基准。
—个机器周期包括12个时钟周期。如果一个单片机选择了12兆赫兹晶振,它的时钟周期是1/12us,它的一个机器周期是12×(1/12)us,也就是1us。
晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲就是单片机的工作速度。比如12兆晶振。单片机工作速度就是每秒12兆。单片机内部也有晶振。接外部晶振可以或得更稳定的频率。
B. stc89c52晶振频率是多少
stc89c52最高运作频率35MHz,STC89C52RC是STC公司生产的一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器,具有8K字节系统可编程Flash存储器。STC89C52 支持2种软件可选择节电模式。
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stc89c52器件参数
1、增强型8051单片机,6 时钟/机器周期和12 时钟/机器周期可以任意 选择,指令代码完全兼容传统8051。
2、工作电压:5.5V~3.3V(5V单片机)/3.8V~2.0V(3V 单片机)。
3、工作频率范围:0~40MHz,相当于普通8051 的0~80MHz,实际工作频率可达48MHz。
4 、通用I/O 口(32 个),复位后为:P1/P2/P3 是准双向口/弱上拉,P0 口是漏极开路输出,作为总线扩展用时,不用加上拉电阻,作为 I/O 口用时,需加上拉电阻。
C. 51单片机到底使用哪种晶振好
标准的51单片机晶振是1.2M-12M,一般由于一个机器周期是12个时钟周期,所以先12M时,一个机器周期是1US,好计算,而且速度相对是最高的(当然现在也有更高频率的单片机)。
11.0592M是因为在进行通信时,12M频率进行串行通信不容易实现标准的波特率,比如9600,4800,而11.0592M计算时正好可以得到,因此在有通信接口的单片机中,一般选11.0592M
D. 为什么单片机晶振实际是11.0592MHz,而不是12MHz
因为11.0592MHz能够准确地划分成时钟频率,与UART(通用异步接收器/发送器)量常见的波特率相关。特别是较高的波特率(19600,19200),不管多么古怪的值,这些晶振都是准确,常被使用的。
用11.0592晶振的原因是51单片机的定时器导致的,用51单片机的定时器做波特率发生器时,如果用11.0592Mhz的晶振,根据公式算下来需要定时器设置的值都是整数;如果用12Mhz晶振,则波特率都是有偏差的。
比如9600,用定时器取0XFD,实际波特率10000,一般波特率偏差在4%左右都是可以的,所以也还能用STC90C516晶振12M波特率9600,倍数时误差率6.99%,不倍数时误差率8.51%,数据肯定会出错。
这也就是串口通信时大家喜欢用11.0592MHz晶振的原因,在波特率倍速时,最高可达到57600,误差率0.00%。用12MHz,最高也就4800,而且有0.16%误差率,但在允许范围,所以没多大影响。
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单片机晶振的选择:
晶振好比单片机的心脏,晶振选择太高不太合适,具体晶振上限是多少,恐怕测不出来,只能按照单片机的要求,一般STC系列单片机上限是35M或40M,stc单凭上写的有,如STC11F16XE 35I-LQFP44G其中35I就是晶振最高35M的工业级芯片。
如果用于串口通信,建议选用11.0592M的或22.184M,选择晶振最主要还是参照说明书。
E. 51单片机的晶振在那个地方啊(有图最好)
那是AT89c52开发板上的晶振,第一张是实物图
我用的是频率为11.0592的晶振
F. 单片机的外部晶振电路是怎么回事,如何计算所选电容的
晶振是晶体振荡器的简称,在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络。电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分,其中较低的频率是串联谐振;较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近,在这个极窄的频率范围内,晶振等效为一个电感,所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路,由于晶振等效为电感的频率范围很窄,所以即使其他元件的参数变化很大,这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
晶振有一个重要的参数——负载电容值,选择与负载电容值相等的并联电容,就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器(注意是放大器不是反相器)的两端接入晶振,再有两个电容分别接到晶振的两端,每个电容的另一端再接到地,这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容。请注意一般IC的引脚都有等效输入电容,这个不能忽略。一般的晶振的负载电容为15pF或12.5pF,如果再考虑元件引脚的等效输入电容,则两个22pF的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
如上图:晶振是给单片机提供工作信号脉冲的 这个脉冲就是单片机的工作速度 比如 12M晶振 单片机工作速度就是每秒12M 当然 单片机的工作频率是有范围的不能太大 一般24M就不上去了 不然不稳定。
晶振与单片机的脚XTAL0和脚XTAL1构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波) 这个波对电路的影响不大 但会降低电路的时钟振荡器的稳定性 为了电路的稳定性起见ATMEL公司只是建议在晶振的两引脚处接入两个10pf-50pf的瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响 所以晶振所配的电容在10pf-50pf之间都可以的 没有什么计算公式。
晶振电路中如何选择电容C1,C2?
(1)因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
(2)在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。
(3)应使C2值大于C1值,这样可使上电时,加快晶振起振。
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的应用中,需要注意负载电容的选择。不同厂家生产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和品质都存在较大差异,在选用,要了解该型号振荡器的关键指标,如等效电阻,厂家建议负载电容,频率偏差等。在实际电路中,也可以通过示波器观察振荡波形来判断振荡器是否工作在最佳状态。示波器在观察振荡波形时,观察OSCO管脚(Oscillator output),应选择100MHz带宽以上的示波器探头,这种探头的输入阻抗高,容抗小,对振荡波形相对影响小。(由于探头上一般存在10~20pF的电容,所以观测时,适当减小在OSCO管脚的电容可以获得更接近实际的振荡波形)。工作良好的振荡波形应该是一个漂亮的正弦波,峰峰值应该大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%,可适当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变,则可适当增加负载电容。
用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚,如何解决容易导致振荡器停振的问题?
部分的探头阻抗小不可以直接测试,可以用串电容的方法来进行测试。如常用的4MHz石英晶体谐振器,通常厂家建议的外接负载电容为10~30pF左右。若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。同时考虑到还另外存在的电路板分布电容,芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实际配置C1,C2时,可各取20~15pF左右。并且C1,C2使用瓷片电容为佳。硬之城
G. 关于单片机的晶振不是明白
因为有些场合,也许内部时钟不符合要求,比如需要更高的频率,或者波特率的特殊要求等都需要用其他的外部晶振。还有个原因,使用更低的频率工作可以降低功耗。就行手机的CPU,没有任务要处理时,为了节约电能会降低很大一部分速度以降低功耗。
忘了回答第二个问题:不是,内外部时钟同为产生脉冲信号的功能,只是一个集成了,一个需要另外给予
H. 单片机工作为什么加晶振
晶振是给单片机提供工作信号脉冲的.这个脉冲就是单片机的工作速度.比如 12M晶振.单片机工作速度就是每秒 12M.单片机内部也有晶振.接外部晶振可以或得更稳定的频率.因为晶振与单片机的脚XTAL0和脚XTAL1构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波).这个波对电路的影响不大.但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见.ATMEL公司只是建议在晶振的两引脚处接入两个10pf-50pf的瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响.所以晶振所配的电容在10pf-50pf之间都可以的.
I. 单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容的作用是什么
单片机晶振电路中接在晶振旁的两个电容叫负载电容,它的作用是负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。
晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
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晶振在应用具体起到的作用,微控制器的时钟源可以分为两类:基于机械谐振器件的时钟源,如晶振、陶瓷谐振槽路;RC(电阻、电容)振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置,适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。
RC振荡器能够快速启动,成本也比较低,但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差,会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时,陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感,但在过驱动时很容易产生频率漂移(甚至可能损坏)。
J. 晶振的作用是什么主要是在电路中的作用晶振在单片机中的频率是如何确定的
晶振是用来给单片机提供执行指令的时钟的