单片机mos管驱动

⑴ 单片机版驱动一个mosfet

亲！单片机驱动mosfet一般都需要隔离的，因为工作电压差别比较大，而且单片机一般是5V以下，很多mosfet的驱动电压要求10V以上才能完全导通

简单一点的你可以用个光耦做隔离，单片机PWM连接光耦的输入（要加限流电阻），光耦输出通过一个电阻连接mosfet电源或者S极

你可以参考下图，是我自己做的，调节有刷直流电机转速的基本原理，其它外设没有画。负载是一个普通的直流有刷电机，用的PC817光耦隔离单片机和电机电路。51单片机输出PWM控制PC817的导通关断从而间接控制mosfet的通断，改变PWM占空比可以调节电机转速。R1是PC817的限流电阻，R2是因为V比较高，所以要调节到mosfet允许的驱动电压范围，多数的mosfet都是10V以上可以接近完全导通，此时损耗比较小，但一般小于15V，因为很多MOSFET栅极允许电压都要求不高于20V，留几V做设计余量，可以理解为高铁设计时速400，实际只跑300一样的道理

⑵ 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(2)单片机mos管驱动扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

⑶ 单片机直接驱动MOS管，会不会烧坏IO口

正常情况下，不会烧坏IO口，但是如果MOS管被烧的话，有可能有大电流灌入IO口，从而造成烧坏IO口的情况。

⑷ 单片机驱动mos管电路

这种用变压器升压的办法是不可行的，很难得到你要的电压和波形，原因你自己找开关电源方面的书就知道了。建议用dc-dc把18v电压变为60v，然后单片机加一级三极管驱动或光耦，再驱动一个mos管对60v电压进行开关就可以了。mos管可用irf630等

⑸ 怎么用单片机驱动MOS管控制发光二极管的亮灭

用单片机的输出口连接MOS管的控制极，MOS管与发光二极管串联后接到电源。用程序使单片机输出口的相应位置0或置1，即可控制发光二极管的亮灭。

⑹ 用单片机驱动MOS管，栅极电阻加多少

单片机任意一个i/o口通过一个三极管控制sg3525的10脚。i/o口和三极管基极间串个几k的电阻，发射极接地，集电极接sg3525的10脚同时接个10k电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

⑺ 如何用3.3V单片机驱动mos管

要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在4.5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。
不知道你的电路可否有5V以上其他电源？如果没有的话，只用3.3V是不可靠的，MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够，也容易烧MOS管。如用24V做驱动，MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。MOS管前级可用一般的三极管放大做驱动

⑻ 单片机pwm驱动mos管的问题

MOS管内阻很小，普通的有
40mΩ
左右，导通电流支持20A；好的能到4mΩ左右，导通电流支持80A；
10A电流
在普通的
MOS管上产生的压降为
0.4V，不足以影响负载吧？门极导通电压为2.1V~4V，标称3V；3.7V的锂电池，饱和是4.2V，选择3.3V工作的单片机，足够驱动了。
真正要考虑的是电池的负载能力，10A的瞬态输出，及3A的持续输出，电池负载能力不足的话，电压会瞬间跌落，很可能低于3V。解决方法：
①增大电源电路的退耦电容容量；
优点：在电池电压下跌的瞬间，释放大量电量维持电压，保持单片机正常工作；
缺点：治标不治本，电容电量来自电池，充电时会消耗大量电池电量，需要常充电的电池；
②采用负载输出能力强的电池；
优点：从根本上解决负载能力不足导致电压下跌的现象；
缺点：造价不便宜；

⑼ 关于单片机驱动MOS管

错！MOS管属于电压型器件，单片机的高电平足以让它完全导通！

⑽ 单片机的IO口能直接驱动MOS管吗可靠吗

应该不行，既然用单片机处理，那么一般希望mos管工作在开关状态。
因为mos管是电压驱动原件，饱和导通时电压一般在10V以上，而单片机一般的供电电压是小于等于5V的。如果低压驱动mos管的话，mos管工作在截至区或放大区，可能得不到预计的结果。