用法拉电容给单片机做掉电保护

① 请教单片机掉电后，如何快速的保存数据问题

要在单片机供电电路前面加个纽扣电池或者加个法拉电容。
纽扣电池的方式是不丢失数据，不需要保存到EEPROM。
法拉电容可以用来不丢失数据（一般可以保存一个月），当然也可以用来存储的EEPROM,
注意不要美每时每刻都保存的EEPROM,这样错率，寿命都会降低。

② 怎么做能让单片机掉电了还能保存数据

1、要在单片机供电电路前面加个纽扣电池或者加个法拉电容。
2、纽扣电池的方式是不丢失数据，不需要保存到EEPROM。
3、法拉电容可以用来不丢失数据（一般可以保存一个月），当然也可以用来存储的EEPROM, 注意不要美每时每刻都保存的EEPROM,这样错率，寿命都会降低。

③ 超级电容供电给单片机

你的电容太小，充电过程短，使用时间也短的，超级电容的特点

超级电容的容量比通常的电容器大得多。由于其容量很大，对外表现和电池相同，因此也有称作“电容电池”。 超级电容属于双电层电容器，它是世界上已投入量产的双电层电容器中容量最大的一种，其基本原理和其它种类的双电层电容器一样，都是利用活性炭多孔电极和电解质组成的双电层结构获得超大的容量。

（1）充电速度快，充电10秒～10分钟可达到其额定容量的95％以上； （2）循环使用寿命长，深度充放电循环使用次数可达1~50万次，没有“记忆效应”； （3）大电流放电能力超强，能量转换效率高，过程损失小，大电流能量循环效率≥90%； （4）功率密度高，可达300W/KG~5000W/KG，相当于电池的5~10倍； （5）产品原材料构成、生产、使用、储存以及拆解过程均没有污染，是理想的绿色环保电源； （6）充放电线路简单，无需充电电池那样的充电电路，安全系数高，长期使用免维护； （7）超低温特性好，温度范围宽-40℃～+70℃； （8）检测方便，剩余电量可直接读出； （9）容量范围通常0.1F--1000F 。 法拉（farad），简称“法”，符号是F 1法拉是电容存储1库仑电量时，两极板间电势差是1伏特1F=1C/1V 1库仑是1A电流在1s内输运的电量，即1C=1A·S。 1库仑=1安培·秒 1法拉=1安培·秒/伏特
[编辑本段]类比
电瓶（蓄电池）12伏14安时的放电量=14*3600/12=4200 法拉(F) 地球的电容值仅有1-2F左右 超级电容与电池比较，有如下特性： a.超低串联等效电阻（LOW ESR），功率密度(Power Density)是锂离子电池的数十倍以上，适合大电流放电，（一枚4.7F电容能释放瞬间电流18A以上）。 b. 超长寿命，充放电大于50万次，是Li-Ion电池的500倍，是Ni-MH和Ni-Cd电池的1000倍，如果对超级电容每天充放电20次，连续使用可达68年。 c. 可以大电流充电，充放电时间短，对充电电路要求简单，无记忆效应。 d. 免维护，可密封。 e.温度范围宽-40℃～+70℃，一般电池是-20℃～60℃。
补充
◆ 超级电容器（supercapacitor,ultracapacitor），又叫双电层电容器(Electrical Doule-Layer Capacitor)、黄金电容、法拉电容，通过极化电解质来储能。它是一种电化学元件，但在其储能的过程并不发生化学反应，这种储能过程是可逆的，也正因为此超级电容器可以反复充放电数十万次。 ◆ 超级电容器可以被视为悬浮在电解质中的两个无反应活性的多孔电极板，在极板上加电，正极板吸引电解质中的负离子，负极板吸引正离子，实际上形成两个容性存储层，被分离开的正离子在负极板附近，负离子在正极板附近。（见图1） 一、超级电容器为何不同于传统电容器其"超级"在哪？ ◆ 超级电容器在分离出的电荷中存储能量，用于存储电荷的面积越大、分离出的电荷越密集，其电容量越大。 ◆ 传统电容器的面积是导体的平板面积，为了获得较大的容量，导体材料卷制得很长，有时用特殊的组织结构来增加它的表面积。传统电容器是用绝缘材料分离它的两极板，一般为塑料薄膜、纸等，这些材料通常要求尽可能的薄。 ◆ 超级电容器的面积是基于多孔炭材料，该材料的多孔结够允许其面积达到2000m2/g，通过一些措施可实现更大的表面积。超级电容器电荷分离开的距离是由被吸引到带电电极的电解质离子尺寸决定的。该距离（<10 Å）和传统电容器薄膜材料所能实现的距离更小。 ◆ 这种庞大的表面积再加上非常小的电荷分离距离使得超级电容器较传统电容器而言有惊人大的静电容量，这也是其“超级”所在。 二超级电容器有哪些优点和缺点？ 1、 优点 ◆ 在很小的体积下达到法拉级的电容量； ◆ 无须特别的充电电路和控制放电电路 ◆ 和电池相比过充、过放都不对其寿命构成负面影响； ◆ 从环保的角度考虑，它是一种绿色能源； ◆ 超级电容器可焊接，因而不存在象电池接触不牢固等问题； 2、缺点 ◆ 如果使用不当会造成电解质泄漏等现象； ◆ 和铝电解电容器相比，它内阻较大，因而不可以用于交流电路； 三、超级电容器都有哪些应用？ ◆ 超级电容器的低阻抗对于当今许多高功率应用是必不可少的。对于快速充放电，超级电容器小的ESR意味着更大的功率输出。 ◆ 瞬时功率脉冲应用，重要存储、记忆系统的短时间功率支持。 四、应用举例 1、快速充电应用，几秒钟充电，几分钟放电。例如电动工具、电动玩具； 2、在UPS系统中，超级电容器提供瞬时功率输出，作为发动机或其它不间断系统的备用电源的补充； 3、应用于能量充足，功率匮乏的能源，如太阳能； 4、当公共汽车从一种动力源切换到另一动力源时的功率支持； 5、小电流，长时间持续放电，例如计算机存储器后备电源； 五、我可以多快给超级电容器放电？ ◆ 超级电容器可以快速充放电，峰值电流仅受其内阻限制，甚至短路也不是致命的。 ◆ 实际上决定于电容器单体大小，对于匹配负载，小单体可放10A，大单体可放1000A。 ◆ 另一放电率的限制条件是热，反复地以剧烈的速率放电将使电容器温度升高，最终导致断路。 六、我怎么样控制超级电容器的放电？ ◆ 超级电容器的电阻阻碍其快速放电，超级电容器的时间常数τ在1~2s，完全给阻-容式电路放电大约需要5τ，也就是说如果短路放电大约需要5~10s。（由于电极的特殊结构它们实际上得花上数个小时才能将残留的电荷完全放干净） 七、超级电容器比电池更好？ ◆ 超级电容器不同于电池，在某些应用领域，它可能优于电池。有时将两者结合起来，将电容器的功率特性和电池的高能量存储结合起来，不失为一种更好的途径。 ◆ 超级电容器在其额定电压范围内可以被充电至任意电位，且可以完全放出。而电池则受自身化学反应限制工作在较窄的电压范围，如果过放可能造成永久性破坏。 ◆ 超级电容器的荷电状态（SOC）与电压构成简单的函数，而电池的荷电状态则包括多样复杂的换算。 ◆ 超级电容器与其体积相当的传统电容器相比可以存储更多的能量，电池与其体积相当的超级电容器相比可以存储更多的能量。在一些功率决定能量存储器件尺寸的应用中，超级电容器是一种更好的途径。 ◆ 超级电容器可以反复传输能量脉冲而无任何不利影响，相反如果电池反复传输高功率脉冲其寿命大打折扣。 ◆ 超级电容器可以快速充电而电池快速充电则会受到损害。 ◆ 超级电容器可以反复循环数十万次，而电池寿命仅几百个循环。 八、如何选择我所需的超级电容器？ ◆ 首先，功率要求、放电时间及系统电压变化起决定作用。 ◆ 超级电容器的输出电压降由两部分组成，一部分是超级电容器释放能量；另一部分是由于超级电容器内阻引起。两部分谁占主要取决于时间，在非常快的脉冲中，内阻部分占主要的，相反在长时间放电中，容性部分占主要。 ◆ 以下基本参数决定您选择电容器的大小 1、 最高工作电压； 2、 工作截止电压； 3、 平均放电电流; 4、 放电时间多长

④ 单片机硬件电路里，如果用法拉电容，电容耐压值需要加倍吗

不必要，法拉电容与电解电容不一样，电解电容在额定电压附近，对电解液有破坏作用，法拉电容用炭做原料，没有这种记忆效应。

法拉电容也称超级电容、金电容等。.
超级电容器是一种介于传统电容和二次电池之间的新型储能器件，兼有传统电容的高功率特性和电池的高能量特性，同时超级电容器还具有高比功率、大电流充放电能力、长寿命、超低温特性、高可靠性、绿的环保等特点。
超级电容属于双电层电容器，它是世界上已投入量产的双电层电容器中容量最大的一种，其基本原理和其它种类的双电层电容器一样，都是利用活性炭多孔电极和电解质组成的双电层结构获得超大的容量。
超级电容的特点：
（1）充电速度快，充电10秒～10分钟可达到其额定容量的95％以上；
（2）循环使用寿命长，深度充放电循环使用次数可达1~50万次，没有“记忆效应”；
（3）大电流放电能力超强，能量转换效率高，过程损失小，大电流能量循环效率≥90%；
（4）功率密度高，可达300W/KG~5000W/KG，相当于电池的5~10倍；
（5）产品原材料构成、生产、使用、储存以及拆解过程均没有污染，是理想的绿色环保电源；
（6）充放电线路简单，无需充电电池那样的充电电路，安全系数高，长期使用免维护；
（7）超低温特性好，温度范围宽-40℃～+70℃；
（8）检测方便，剩余电量可直接读出；
（9）容量范围通常0.1F--1000F 。

⑤ LSXBMPLC存储程序用的是电池还是法拉电容

LSXBMPLC存储程序用的是电池还是法拉电容？今天,因为MCU内部一般都带FLASH ROM和伴随着法拉级电容的出现,事实上已经宣布背掉电电池或者用达拉斯DS存储器实现掉电数据保存的传统的思维和电路已经成为历史!

以下的电路,是一个可靠的简单的掉电检测、法拉电容能量储存等完整硬件电路和相应的软件细节,是笔者在产品上一个成熟的可靠的自诩经典电路和心血,在这里完全公开地提供给二姨爱社(21IC)下的全体表兄表弟表姐表妹们以供大家一起来批判赏析借鉴和改进.

首先提请老表们别一看电路繁琐就不想继续看下去，事实是：大电容储存实现掉电保护并非人们想象的那么容易做.

我们往往突然萌发一个跳跃灵感闪烁一丝思想火花,但最终都没幻化为现实结果而最终不了了之,在我们遗憾叹息之于我们是否思考过常常并不是我们思维"太过创新"需求和愿望大大超越了现实(我们能超越我国的现实的器件工业和材料工业水平吗)最后我们总不得不以理论不完全等同于实践来为自己无奈和熄灭的灵感作排解!其真正原因我们作过真正思考吗?!

事实上一个理论成立,现实上完全具备可实现性的一个电路单元,到最后我们并未达到预想效果,甚至以失败了告终,原因何在??----细节..细节..还是细节...永远的细节!!!!细节为王!!!!!

所以敬请大家耐心地静静地留意这里的每个电路技巧和对细节,事实上你会发现这里每个细节都充满着技巧智慧体贴人性和柔情.每处都让我们感悟了一种做事就是做人和精益求精的思想和行动境界，即使你是表弟表兄级男性电子工程师对你的设计和实现都应具备女性的细腻周到和柔情.

电路见下:这里首先用6V供电(如7806),为什么用6V不用5V是显而易见的.这里的二极管们一般都起两个作用,一是利用单向导电性保证向储能电容0.47F/5.5V单向冲电;二是起钳位作用,钳去0.6V,保证使大多数51系列的单片机都能在4.5V--5.5V之间的标称工作电压下工作.而4.5-5.5间这1V电压在0.47F电容的电荷流失时间就是我们将来在掉电报警后我们可以规划的预警回旋时间.

两只47欧电阻也有两个作用:

1:和47UF和0.01UF电容一起用于加强电源滤波.

2.对单片机供电限流

一般电子工程师都喜欢把单片机电源直接接7805上,这是个非常不好的习惯,为什么?7805可提供高达2A的供电电流,异常时足够把单片机芯片内部烧毁.有这个电阻47欧姆电阻挡即使把芯片插反或者电源极性颠倒也不会烧单片机和三端稳压器,但这限流电阻也不能太大,上限不要超过220欧为益,否则对单片机内部编程时,计算机会告警提示"编程失败"(其实是电源不足).

3.对0.47F/5.5V储能电容,串入的47欧电阻还消除了"巨量法拉电容"的上电浪涌.实现冲电电流削峰。

大家算一算要充满0.47F电容到5.5V,即使用5.5A恒流对0.47F电容冲电,也需要0.47秒才能冲到5.5V,既然知道了这个问题,大家就清楚:

I*t = UC 5.5*t=(5.5)*0.47 t=0.47S

1.如果没有47欧姆电阻限流,上电瞬间三端稳压器必然因强大过电流而进入自保.

2.长达0.47秒(如果真有5.5A恒流充电的话)缓慢上电,如此缓慢的上电速率,将使得以微分(RC电路)为复位电路的51单片机因为上电太慢无法实现上电复位.(其实要充满0.47UF电容常常需要几分钟).

3.正因为上电时间太慢,将无法和今天大多数主流型以在线写入(ISP)类单片机写片上位计算机软件上预留的等待应答时间严重不匹配(一般都不大于500MS),从而造成应答失步,故写片时总是提示"通信失败".

知道这个道理我们就不难理解这个电路最上面的二极管和电阻串联起来就是必须要加上的“上电加速电路”.这里还用了一只(内部空心不带蓝色的)肖特基二极管(1N5819)来从法拉电容向单片机VCC的单向放电,和同时阻断法拉电容对上电加速电路的旁路作用;用肖特基二极管是基于其在小电流下，导通压降只有0.2V左右考虑的,目的是尽量减少法拉电容在掉电时的电压损失.力争获得最留掉点维持时间.

三极管9014和钳位二极管分压电阻垫位电阻(即470欧姆)等一道构成基极发射极双端输入比较器,实现掉电检测和发出最高优先级的掉电中断,这部分电路相当于半只比较器LM393,但电路更简单耗电更省(掉电时耗电小于0.15MA).

47K电阻和470欧姆二极管1N4148一道构成嵌位电路,保证基极电位大约在0.65V左右 (可这样来非常近似地计算0.6(二极管导通电压)+5*0.47/47),这样如果9014发射极电压为0(此时就是外部掉电),三极管9014正好导通,而且因为51单片机P3.2高电平为弱上拉(大约50UA),此时9014一定是导通且在弱电流下是饱和导通的,这样就向单片机内部发出一次最高硬件优先级的INX0掉电中断.

而在平时正常供电时,因发射极上也有大约6*0.22/2.2=0.6V垫位电压在上顶,容易理解三极管9014在此刻一定处于截止状态,而使P3.2维持高电平.

⑥ 这个法拉电容可以供...这个LED...多久

我也是小抄加计算的，你看对不

保持所需能量=超级电容减少的能量。

保持期间所需能量=1/2I(Vwork+ Vmin)t；

超电容减少能量=1/2C(Vwork2 -Vmin2)，

因而，可得其容量(忽略由IR引起的压降)

C=(Vwork+ Vmin)It/( Vwork2 -Vmin2)
举例如下：

如单片机应用系统中，应用超级电容作为后备电源，在掉电后需要用超级电容维持100mA的电流，持续时间为10s,单片机系统截止工作电压为4.2V，那么需要多大容量的超级电容能够保证系统正常工作？

由以上公式可知：

工作起始电压 Vwork＝5V

工作截止电压 Vmin＝4.2V

工作时间 t=10s

工作电源 I＝0.1A

那么所需的电容容量为：

C=(Vwork+ Vmin)It/( Vwork2 -Vmin2)

=(5+4.2)*0.1*10/(52 -4.22)

=1.25F
从上可以算出
5=（5。5+2。5）*0。02 *X/（5。5 2-2。52）

5=8*0。02*X/24
360=0。16*X
X=2250
大约是2250秒

⑦ 单片机掉电检测与保存该怎么样做

单片机在正常工作时，因某种原因造成突然掉电，将会丢失数据存储器(RAM)里的数据。在某些应用场合如测量、控制等领域，单片机正常工作中采集和运算出一些重要数据，待下次上电后需要恢复这些重要数据。因此，在一些没有后备供电系统的单片机应用系统中，有必要在系统完全断电之前，把这些采集到的或计算出的重要数据存在在EEPROM中。为此，通常做法是在这些系统中加入单片机掉电检测电路与单片机掉电数据保存。用法拉电容可从容实现单片机掉电检测与数据掉电保存。电路见下图。这里首先用6V供电(如7806),为什么用6V不用5V是显而易见的.电路中的二极管们一般都起两个作用,一是起钳位作用,钳去0.6V,保证使大多数51系列的单片机都能在4.5V--5.5V之间的标称工作电压下工作.而4.5-5.5间这1V电压在0.47F电容的电荷流失时间就是我们将来在单片机掉电检测报警后我们可以规划的预警回旋时间。二是利用单向导电性保证向储能电容0.47F/5.5V单向冲电。

⑧ STC89C52单片机掉电保存如何实现

STC89C52单片机掉电保存很容易的，利用内部的EEPROM就可以保存，每当需要保存的数据变化时，就写一次EEPROM保存，开机时再读出保存的数据就行了。见下表。