单片机sram

‘壹’ STC单片机的FLASH程序存储器、SRAM字节、EEPROM有什么区别与联系

FLASH程序存储器存程序，单片机上电后会自动从这里读代码开始运行。

SRAM是跑程序时候暂存临时数据的地方，一般不太大，从128字节到几K字节都有，一掉电数据就没了。

EEPROM是掉电也不丢数据的存储器，一般都用来存设置的。你可以一字节一字节的把每字节的8位1任意编写成0。但这片一般是按扇区为单位，一擦除就是全成1。

STC有的片FLASH也能在跑程序的时候由程序控制擦写。

(1)单片机sram扩展阅读：

特点：

EEPROM可单字节操作更灵活，FLASH存储量更大些FLASH：只能块擦除（叫块擦除更准确吧，原文是BLOCK），举例说明：比如你用的FLASH的BLOCK是512个字节（不同的FLASH大小不同），那么只有擦除过（所有位写“1”）的BLOCK才能重新写入。

意思就是只能从“1”写到“0”，如果要从“0”改到“1”必须整块擦除，而且擦除时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢时的速度相对写入和读出要慢很多。FLASH主要用于程序存储。EEPROM;可以单字节操作，没有块擦除的要求。相对FLASH更为灵活。

‘贰’ 关于单片机 xdata data ram sram code的关系

对于51/52单片机，data是内部低128字节的ram，可以省略data符号 idata是内部高128字节的ram， 51没有，52才有，对于stc单片机，片上超过256字节的那部分ram，相当于外部ram,，使用时加xdata 修饰
code是相当于flash，最大是否可以到8k，可以试一下

‘叁’ 串口sram如何是用在单片机外扩ram资源上容量可以达到多大

外部sram是指连接在单片机外部的静态RAM(SRAM),外部SRAM存储器有不少种类，对于外部SRAM的选择是由应用需求的性质决定的，以下是几种外部SRAM的种类：

异步SRAM---由于其不依靠时钟，所以算是速度最慢的一种SRAM

同步SRAM---同步SRAM运行同步于一个时钟信号，速度比异步SRAM快，相对价格比较贵，

伪SRAM—反应时间短，伪SRAM 有传统SRAM的接口，同时需要一个专门的控制器才可以将其低反应时间的优势发挥出来

而如果需要串口SRAM,一般属于伪SRAM，封装SOP-8,八个引脚的设计可以满足大多数单片机的设计要求，功耗相对于同步异步SRAM高了一些，同样适用电池供电的的产品，容量方面的话，如VTI科技公司推出的VTI7064存储芯片容量可以在64Mbit。

‘肆’ 两个单片机公用一片SRAM怎么防止冲突

两个单片机直接做好对接，比如A用SRAM时，A某IO高电平，B单片机监测A的这一IO，A用SRAM时，B暂时不用，等A用完了B再用。
不知你的项目这样的思路是否可行