A. 什么是单粒子锁定（Single Event Latchup）
单粒子锁定,是单粒子效应的一种,单粒子入射产生的瞬态电流会导致设备功能性损坏。单粒子锁定主要发生于CMOS器件中。CMOS器件的PN-PN四层结构形成了寄生可控硅结构,正常情况下,寄生的可控硅处于高阻关闭状态。单个带电粒子入射产生的瞬态电流触发可控硅结构使其导通,由于可控硅的正反馈特性使电流不断增大,进入大电流再生状态,即导致锁定。一般而言,单粒子锁定都是由重离子引起的。对于典型器件,锁定电流高达安培量级,大电流导致器件局部温度升高,导致器件永久性损坏。重新掉电、上电可以清除单粒子锁定,但如果没有迅速断电,过度的加热以及镀金或键合线发生故障,都会带来不可逆的永久性伤害。而对于某些非常敏感的设备,质子也会导致单粒子锁定。在航天工程中,防范单粒子锁定的措施主要有限流电阻、限流电路或系统重新掉电、上电等。
B. 英文翻译
• 电源： 4.5V对5.5V
• 温度范围： (- 55oC对125oC)
• 事件闩锁效应在之下没有让80 MeV/mg/cm2门限
• 测试由总药量30 krads决定(Si)根据米尔STD 883方法1019年
• 包裹： 边被镀黄铜的40别针， MQFPJ 44别针
• 质量等级： QML Q和V与SMD 5962-00518和ESCC以规格
9521002