单片机怎么控制可控硅

A. 单片机如何控制可控硅。

看你的功率大小。小功率可直接IO口驱动。大功率可用光耦驱动，光耦可选择过零触发或随机触发，具体参考MOC3041,MOC3061等电路和相关应用说明。

B. 单片机控制可控硅调压程序

可控硅必须检测过零信号。只有零点以后触发，才会有效。而且在下一个零点到来的时候，可控硅会自动关闭。你这个程序里面只有一句P=1,没有P=0,那么这个端口一直开启，没有关闭。负载将一直投入。不可能关闭。所以，根本不可能调压！
想要调压：1、增加一个过零检测电路。
2、每次触发以后，过一段时间必须把触发信号关闭。也可以在过零中断时，将触发信号关闭。
3、调压的大小值受过零后多长时间投入。注意10MS以内必须完成一次控制。否则控制将不正常。

C. 怎么用单片机控制双向可控硅的触发和关断

可控硅靠电流过零而关断（除可关断可控硅外）。双向可控硅触发导通后，电源电压过零时，可控硅关断。当有外加电压前提下，再触发，可控硅就再次导通。

D. 单片机怎样控制可控硅在220V电路中作开关用（控制一个40W节能灯）

鉴于你控制的是40W的节能灯。所以，用可控硅的话，会出现灯管微亮或是闪烁的现象。所以，还是建议使用继电器来控制节能灯。你用阻容降压电路的话，只要电容器容量达到1UF，并且用的是全桥整流的话是没有问题的。我有一个控制器用的就是阻容降压电路。在驱动数码管和一个指示灯后另外驱动继电器的情况下可以输出9V左右的电压。而这个电压是完全可以控制继电器的。

如果你非要用晶闸管控制节能灯的话。就用光耦隔离。使用单向晶闸管配合一个全桥整流器会比较简单。

E. 求助51单片机控制单向可控硅

单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。
你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。
下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。
实物接法类似，以此为参考。但实物，要求可控硅的负极与+12V共地，决不能与单片机共地。

F. 如图所示，请问单片机怎么控制seat_heat引脚来达到控制左侧可控硅加热

可控硅在此电路中不输出功率，它的作用只是一个开关，起到接通和断开主电路的作用，电路工作过程如下：当seat_heat脚为“1”时，Q7饱和，MOC3063输入端LED正向导通，Q4被触发导通，进而触发可控硅TR4导通，从而在交流电ACL—加热设备—可控硅TR4—ACN之间形成通路，坐圈加热设备开始工作。当seat_heat脚为“0”时，以上各元件工作状态相反，坐圈加热设备停止工作。题外话：MOC3063的亮点是它能在交流过零后才能触发可控硅导通，这一点很重要！这样可以保证可控硅每次被触发后整个主回路的电流为0，然后才逐渐上升，直到过零后自然关断。接着再次被触发导通，这样做的目的是保护娇嫩而昂贵的可控硅的工作状态尽量良好，从而尽量延长可控硅的工作寿命。

G. 怎样用单片机控制可控硅导通角变化

单片机调整导通角，需要一个参数，那就是交流零点检测。
所谓导通角，是针对交流电而言的。这个角度是0-180。相信这样说，你会晕。
你画一个交流波形图，正弦波，上面和下面均为半圆，也就是一个周期的正弦波等于360度，那么半个正弦波就是180度。在这个180度里面，某个时候打开可控硅，相当于对应了一个角度打开可控硅。所以，叫导通角。这个角度的大小决定了输出电流的大小。如果从0度开始找开，那么所有的电能将全部接到负载上面去。同理，如果从90度开始导通的话，相当于只有一半的电能接到负载。相当于只有110V接到负载（电源为220V）。所以，通过调整这个导通角，可以改变负载的做功能量。
实现这个功能，必须知道什么时候是0度。所以，必须有一个交流零点检测电路。一个交流周期会有两个零点信号。采用双向可控硅，则可以实现双向电流控制。
单片机实现时，首先得到交流零点信号，然后采用延时的方式（定时器中断输出或PWM输出）控制可控硅的输出。根据传感器的反馈值来修改导通角度。实现恒定的输出要求。算法多采用PID。在网上找一下，相关的介绍就知道如何处理了。

H. 怎样用单片机控制可控硅导通角变化

单片机调整导通角，需要一个参数，那就是交流零点检测。
所谓导通角，是针对交流电而言的。这个角度是0-180。相信这样说，你会晕。
你画一个交流波形图，正弦波，上面和下面均为半圆，也就是一个周期的正弦波等于360度，那么半个正弦波就是180度。在这个180度里面，某个时候打开可控硅，相当于对应了一个角度打开可控硅。所以，叫导通角。这个角度的大小决定了输出电流的大小。如果从0度开始找开，那么所有的电能将全部接到负载上面去。同理，如果从90度开始导通的话，相当于只有一半的电能接到负载。相当于只有110V接到负载（电源为220V）。所以，通过调整这个导通角，可以改变负载的做功能量。
实现这个功能，必须知道什么时候是0度。所以，必须有一个交流零点检测电路。一个交流周期会有两个零点信号。采用双向可控硅，则可以实现双向电流控制。
单片机实现时，首先得到交流零点信号，然后采用延时的方式（定时器中断输出或PWM输出）控制可控硅的输出。根据传感器的反馈值来修改导通角度。实现恒定的输出要求。算法多采用PID。在网上找一下，相关的介绍就知道如何处理了。

I. 单片机控制可控硅

不管是高电平还是低电平都是导通，但我把他的控制引脚悬空时就断开了???
这个问题看清楚了SCR的原理就明白了:

控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。（如图）
晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路
从晶闸管的内部分析工作过程：
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.
当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。
式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。

J. 关于单片机控制可控硅

我前段时间刚做了一个跟你这个一样的要求。
我用的是PIC单片机，可控硅导通角控制电机转速，PID闭环控制，电位器调速，上升下降时间可调，最高输出电压可调
，调试已经成功了，正准备批量生产
说起来不难，INT过零检测，定时器确定导通角，发了个100uS的脉冲就行，光耦要用可控的MOC3023，电压反馈稳定输出，电流保护就行了