单片机大功率mos

Ⅰ 怎么用5v单片机驱动mos管 图腾柱 还是驱动ic 电路图的最后

用过三极管 光耦 还有像IR2110芯片等

Ⅱ 关于单片机驱动MOS管

我见过的都只要5V电压就行了，为什么要60V,你要测多远的？

这么远啊，网上有见过用MAX232做的，直接用5V,理论上可以产生+/-10V电压，就是峰峰值为20V，可以试试。可能还不能达到10米.

Ⅲ 单片机中MOS啥意思请知道的告诉一声~~~

在集成电路中绝缘性场效应管被叫做mos管。 MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconctor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。从结构上说，MOS管可以分为增强型(E型)和耗尽型（D型），它们的区别在于当Vgs为0时，增强型（E型）不存在导电沟道，耗尽型（D型）存在导电沟道，原因是E型的导通电压（阈值电压）Vth>0，D型的Vth<0。MOS管形成的电路通称为MOS电路，但又有不同，PMOS逻辑电路称为PMOS电路，NMOS逻辑电路称为NMOS电路，PMOS和NMOS共同组成的逻辑电路称为CMOS集成电路，MOS和BJT组成的电路称为Bi-CMOS集成电路。由于MOS管静态功耗几乎为0，所有的功耗都集中在开关转换的过程中，因此相对BJT而言，MOS管的功耗更低。因此，在现代工业设计中，MOS管主要用于数字逻辑电路中实现开关逻辑（0、1逻辑）。 MOS结构：MOS管一般有3个电极，S（源source)极，D（漏drain)极，G（栅gate)极，从掺杂浓度来说，S极和D极并无区别，在NMOS管中，当两者其中一端接GND时，就起到了S的作用，另外一端就成了D；而在PMOS管中，当两者其中一端接VCC时，就起到了S的作用，另外一端就成了D。MOS管的S端总是比D端先开启。对NMOS来说，当Vgs>Vds,Vgs-Vth<Vds时，S端开启，D端不开启，MOS管工作在饱和区；当Vgs-Vth<Vds时，S和D都开启，MOS管工作在线性区。当Vgs<Vth时，NMOS截止。对PMOS来说，正好相反。 在MOS三明治型结构上外加电压： 在MOS三明治结构上，金属电极相对于P型半导体的情况下，外加正电压，对N型半导体外加负电压，就会形成与PN结合面相同的现象，也就是最初在氧化膜下会产生空乏层（depletion layer） 反转层（reversion layer）： 针对氧化膜下为P型半导体的情况，如果再提高电压，就会累积电子，若是N型半导体则会累计空穴，我们称此层为“反转层”。 MOS型场效应管就是利用这个层，作为一个切换开关。这是因为改变外加电压，就可使此电路产生切换的转换（开关）功用。

Ⅳ 如何用3.3V单片机驱动mos管

用三极管不如用ULN2803，一个ULN2803可以驱动8只MOS管。没有其他电路。 直接可以连接，简单方便。 做H桥的话，可以控制2路，如果只控制一路，也可以用ULN2003.

补充：你肯定没有看这两个IC，输出12V没有问题，最高输出电压50V，最高输出电流500mA，内部集成了续流二极管，基极电阻。直接上一个片子即可。其实这个片子里面就是集成的达林顿管，和用三极管是一样的道理。 可靠性比分立元件高。

Ⅳ 如何用3.3V单片机驱动mos管

要注意，MOS大功率开关的栅极电压要足够高才行一般在4.5V左右可认为MOS饱和导通，参看IRF3205参数。栅极当然也不能太高，不能超过20V。
不知道你的电路可否有5V以上其他电源？如果没有的话，只用3.3V是不可靠的，MOS管可能因为处于放大状态而导致电机速度不够，也容易烧MOS管。如用24V做驱动，MOS管栅极可接5V左右的稳压管以防过压。MOS管前级可用一般的三极管放大做驱动

Ⅵ 单片机的PWM输出可以直接驱动MOS管吗

要具体看是怎样的MOS管了.....若是大功率的管子,比如做变频器或电源之类的,那是要加驱动的,若是做试验的小功率管子,比如只是点亮个灯或者什么的,就可以直接驱动了.

Ⅶ 什么叫大功率MOS

顾名思义就是能够工作在大功率情况下的MOS管。耐压较高，电流能力较大。

Ⅷ 大功率mos 管(irfp4468)在开通和关断时需要多大栅极电流.在开通关断时的栅极电阻。 还有

怎么你遇到不可逾越的困难了吗？看你一直问这方面的问题。
不如你说清楚你的要求，比如驱动源（单片机还是逻辑电路还是其他）、控制逻辑（高电平开通还是低电平开通）、控制电压、控制电流、开通截止时间，帮你设计一下。

大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。
至于控制mos管的三极管，只要耐压足够，几乎是个三极管就行，对规格尤其是额定电流基本没要求，因为是弱功率控制。

Ⅸ 怎样用单片机io口控制大功率led灯亮灭，用1117芯片

1117芯片是3.3V稳压芯片，采用该芯片说明使用的单片机也是3.3V供电，为控制大功率LED灯，可以采取以下措施：
1、大功率的LED灯一般电压都为12V或24V，所以不能由单片机IO直接控制，需要加三极管驱动。
2、为了避免干扰，单片机与外部LED驱动电路之间，加光电隔离。
3、内部逻辑电路和外部驱动电路电源不共地。

Ⅹ 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(10)单片机大功率mos扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。