㈠ 单片机晶振两端电容的作用
那两个电容是谐振电容,在晶振工作过程中为晶振提供放电回路,电容的大小会影响充放电时间进而影响震荡频率。
㈡ 51单片机中的电容有什么作用
单片机中用到的电容通常有这样两种:第一种是并联到晶振两侧,是帮助晶振起振的。第二种是复位电路上,上电他会充电,给单片机复位用的。还有就是IC设计过程中,会在IC的Vcc和GND间并联一个电容,这个电容式滤波、去耦等作用,看电容大小而定。
51单片机是对所有兼容Intel 8031指令系统的单片机的统称。该系列单片机的始祖是Intel的8004单片机,后来随着Flash rom技术的发展,8004单片机取得了长足的进展,成为应用最广泛的8位单片机之一,其代表型号是ATMEL公司的AT89系列,它广泛应用于工业测控系统之中。很多公司都有51系列的兼容机型推出,今后很长的一段时间内将占有大量市场。51单片机是基础入门的一个单片机,还是应用最广泛的一种。需要注意的是51系列的单片机一般不具备自编程能力。
电容器,通常简称其容纳电荷的本领为电容,用字母C表示。定义1:电容器,顾名思义,是‘装电的容器’,是一种容纳电荷的器件。英文名称:capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于电路中的隔直通交,耦合,旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制等方面。定义2:电容器,任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体(包括导线)间都构成一个电容器。
㈢ 单片机振荡电路的电容如何得到的
如果是晶振的电容,是根据晶振的频率,分低频,普通XTAL和高频分别20-40P基本都可以;
RC震荡的电容是根据RC配合算出来的,没有固定的算法,就是R*C越小,震荡频率越高,主要看单片机内部结构,不同单片机用一样RC也会有不同频率;
㈣ 单片机晶振的电容是什么类型的电容
单片机晶振的电容是瓷片电容。
1、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
2、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
㈤ 为什么有些单片机不需要起振电容也能工作
呵呵
有的,是利用芯片的寄生电容,有的是利用管脚间的电容,还有的,是电容集成在芯片内了。
㈥ 单片机STC12C5A6032接32.768M晶振要接多大起振电容注意:是32.768M晶振。
需要接多大的起振电容是要根据你的32.768M晶振的负载及你线路的一个整体杂散电容来选择的,不管你的是32.768M还是32.768K晶振他的选择都是一样的。只是串联的电阻阻值不一样而已 一个是1M 一个是10M
㈦ 如何选择合适的单片机晶振电容
原理上讲直接将晶振接到单片机上,单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见,建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容,但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式,不同芯片的要求不同。
(1):因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
(2):在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增比较常用的为15p-30p之间。
晶振的作用不同,材料不同,型号不同,源于每一种晶振都有各自它们各自的特性,所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。 当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的,这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法,一定要仔细看哦:
晶振电容选择的几大标准
(1):在容许范围内,C1,C2值越低越好。
(2)C值偏大虽有利于振荡器的安稳,但将会增加起振时间。
(3):应使C2值大于C1值,这么可使上电时,加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中,就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。
选择晶振电容的注意事项
(1)在选用时,需要了解该类型振荡器的要害方针,例如等效电阻,(凯越翔厂家建议负载电容,如频率偏差等。
(2)但是在实习电路中,也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。
|(3)当然在示波器查询振荡波形时,所查询的OSCO管脚(Oscillator output),应选择100MHz带宽以上的示波器探头,这种探头的输入阻抗高,容抗小,对振荡波形相对影响小。
(4)由于探头上通常存在10~20pF的电容,所以观测时,恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。
(5)凯越翔建议:因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波,峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%,可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之,若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变,则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时,是可以参考的哦!!!
专业仪器检测专晶振(更技术的选择)
因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚,如果简略致使振荡器停振(原因是:有些的探头阻抗小不能够直接检验)所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。
取中心值的小窍门(凯越翔独家揭秘)
如常用的4MHz石英晶体谐振器,通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10~30pF支配。若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容,晶体自身寄生电容等都会影响总电容值,故实习配备C1,C2时,可各取20~15pF支配。因此C1,C2运用瓷片电容为佳。
当然这只是一部分的电容选择要求和技巧,然而最佳的晶振选择要求和技巧,还是要根据不同的晶振型号,类型和不同的材料晶振而定,当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦如果你对晶振的电容选择上还有什么疑虑的,不妨登入凯越翔官查询更加详细的资料哦。(本文来自凯越翔,k字晶振)
㈧ 单片机最小系统为什么晶振要加电容
晶振旁边的电容有协助起振与稳定振荡的作用。一般频率高的会用较低的电容、频率低的会用较高的电容。电容过大会使信号衰减、并因吸收能量过大而抑制振汤。
㈨ 请问单片机晶振电路中两个电容的作用是什么
单片机晶振电路中两个电容(负载电容)的作用是把电能转换成其他形式的能。如果没这两个电容的话,振荡部分会因为没有回路而停振。电路不能正常工作了。
负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振,负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率,一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振:另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。
所以,标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一致,不能冒然互换,否则会造成电器工作不正常。
电动机能把电能转换成机械能,电阻能把电能转换成热能,电灯泡能把电能转换成热能和光能,扬声器能把电能转换成声能。电动机、电阻、电灯泡、扬声器等都叫做负载。
晶体三极管对于前面的信号源来说,也可以看作是负载。对负载最基本的要求是阻抗匹配和所能承受的功率。
(9)单片机起振电容扩展阅读
单片机能正常工作的必要条件之一就是时钟电路,所以单片机就很需要晶振。通过一定的外接电路来,可以生成频率和峰值稳定的正弦波。
而单片机在运行的时候,需要一个脉冲信号,做为自己执行指令的触发信号,可以简单的想象为:单片机收到一个脉冲,就执行一次或多次指令。
单片机工作时,是一条一条地从RoM中取指令,然后一步一步地执行。单片机访问一次存储器的时间,称之为一个机器周期,这是一个时间基准。
—个机器周期包括12个时钟周期。如果一个单片机选择了12兆赫兹晶振,它的时钟周期是1/12us,它的一个机器周期是12×(1/12)us,也就是1us。
晶振是给单片机提供工作信号脉冲的。这个脉冲就是单片机的工作速度。比如12兆晶振。单片机工作速度就是每秒12兆。单片机内部也有晶振。接外部晶振可以或得更稳定的频率。
㈩ 单片机的晶振起震电容是如何选取的呢请大侠指点一下,万分感谢!!
常用的是晶体,需要配合两个瓷片电容,一般15pF~33pF,和单片机,电路正确,器件正常,上电就开始起振。但不会起震。
晶振上电就可以独立输出信号,不需要其它器件配合。
有些单片机内部也有振荡电路,上电就开始起振。