A. 430单片机时钟问题
2417和149的区别可以到相关网站上查看它们的资料，比较全。
软件模拟spi和i2c，首先要了解它们的协议，比如spi会用到哪些线，到时候可以通过编程来模拟时序图中时钟线和片选线的上升和下降，在上升沿和下降沿中进行写DIN脚和读DOUT脚等操作。
B. 求单片机试题答案
21-25：ADBCC（或上0f，肯定是高4位不变，低4位变F）
26：B（工作在方式2，肯定不会选C）
27：D（JB 为1时转移，记数满后TF0置1）
28：D（T1中断地址）
29：C（开总中断，开外部中断0）
30：C（抄的楼上的，我忘了怎么算）
31：B
32：B（用作地址指针）
33：B
34：D（LCALL调用子程序，要保护现场，子程序完成后再返回，会影响SP）
35：C（SJMP无条件，LCALL，ACALL不是跳转，是调用子程序，DJNZ要有条件）
36：D（或上0b1000000，最高位为1，其它不变）
37：A
38：A（响应外部中断0后PC为外部中断0的入口地址0x0003）
39：A（EA为总中断，置1时开总中断）
40：外部中断0和1
C. 单片机试题，高分求助大侠们帮帮忙吧，急用..........
2、× 4、× 5、×6、对7、错 8、× 9、对 10、对 11、对 12、错 13、对 15、对
D. 单片机试题
1、C. MOV A,R0
2、B. 拍 (单片机工作是在统一的时钟脉冲控制下一拍一拍地进行的。）
3、D．一个能自动加1计数的ROM（PC用来存放下一条要执行的指令地址。取指时，PC会自动加一，即指向下一条指令。）
4、B.OV（溢出标识） A.CY（进位标识）
5、C.13 （8k=8*1024=2*³2¹º =2¹³）
6、B．TMOD（工作方式控制寄存器，用来设定定时器/计数器T0、T1的工作方式。）
7、A．关中断，保护现场，开中断，中断服务，关中断，恢复现场，开中断，中断返回
8、D.下降沿（RST由高电平下降为低电平后，系统从0000H地址开始执行程序。）
9、C.EPROM (UV-EPROM[紫外线擦除可编程],人们常把UV-EPROM称为EPROM 。）
10、C．SETB TR0（执行TRO=1后，定时器0开始定时。）
11、A. 掩膜ROM（其中X是程序存储器形式选择，当X=0时，选择Mask ROM[掩膜ROM]，当X=7时，选择EPROM[紫外线可擦除ROM]。）
12、C.循环程序
13、A.0 （串行口工作方式0下，串行口昨晚同步以为寄存器使用。移位数据的发送和接受以8位为一帧，不设起始位和停止位，低位在前高位在后。）
14、 B. A （变址寻址，即基址寄存器加变址寄存器间接寻址方式，它以为程序计数器PC或数据指针DPTR作为基址寄存器，以累加器A作为变址寄存器，这二者内容之和为有效地址。）
15、C. 13（与题5重复。）
16、 D. PUSH A（格式：PUSH direct 。在指令系统中累加器的助记符为A，作为直接地址时助记符为ACC。）
17、B.分支程序（分支程序有两种结构，if 和 switch 。）
18、A.0000H（PC复位状态0000H）
E. 单片机试题
10、完成某种操作可以采用几条指令构成的指令序列实现，试写出完成以下每种操作的指令序列。
（1）将R0的内容传送到R1；
MOV A,R0
MOV R1,A
（2）内部RAM单元60H的内容传送到寄存器R2；
MOV R2,60H
（3）外部RAM单元1000H的内容传送到内部RAM单元60H；
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV 60H,A
（4）外部RAM单元1000H的内容传送到寄存器R2；
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV R2,A
（5）外部RAM单元1000H的内容传送到外部RAM单元2000H。
MOV DPTR,#1000H
MOVX A,@DPTR
MOV DPTR,#2000H
MOVX @DPTR,A
11、若（R1）=30H，（A）=40H，（30H）=60H，（40H）=08H。试分析执行下列程序段后上述各单元内容的变化。
MOV A，@R1 ;(A)=60H 其余不变
MOV @R1，40H ；（30H）=40H 其余不变
MOV 40H，A ; （40H） =60H 其余不变
MOV R1，#7FH ;(R1)=7FH 其余不变
12、若（A）=E8H，（R0）=40H，（R1）=20H，（R4）=3AH，（40H）=2CH，（20H）=0FH，试写出下列各指令独立执行后有关寄存器和存储单元的内容？若该指令影响标志位，试指出CY、AC、和OV的值。
（1）MOV A，@R0 ; (A)=2CH 其余不变
（2）ANL 40H，#0FH ;(40H)=0CH
（3）ADD A，R4； AC=1,OV=0,CY=1,(A)=22H
（4）SWAP A ;(A)=8EH
（5）DEC @R1 ; (20H)=0EH
（6）XCHD A，@R1 ;(A)=EFH,(20H)=08H
13、若（50H）=40H，试写出执行以下程序段后累加器A、寄存器R0及内部RAM的40H、41H、42H单元中的内容各为多少？
MOV A，50H ;(A)=40H
MOV R0，A ;(R0)=40H
MOV A，#00H ;(A)=00H
MOV @R0，A ;(40H)=00H
MOV A，3BH ;?是不是写错了？应该是#3BH吧，如果是#3BH的话，就是(A)=3BH
MOV 41H，A;同上#3BH的话，（41H） =3BH
MOV 42H，41H ;类推（42H）＝3BH
为什么说布尔处理功能是80C51单片机的重要特点？
80C51单片机有哪几种寻址方式？各寻址方式所对应的寄存器或存储器空间如何？
答：布尔处理功能对位地址空间具有丰富的位操作指令。使数据的使用和传送更为方便快捷了。
1。立即寻址 对应的是立即数
2。直接寻址 对应的寻址范围仅限于片内RAM
3。寄存器寻址 对应的寻址范围包括4个寄存器组共32个通用寄存器和部分特殊功能寄存器
4。寄存器间接寻址 对应的寻址范围包括片内RAM低128单元，片外RAM64KB和堆栈区
5。相对寻址 由指令中给出的操作数决定
6。变址寻址 只能对程序存储器进行寻址
F. 430单片机知识
Io配置的知识：
推挽输出与开漏输出的区别:
>>推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件。
输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 高阻 ，输出0。
输出 1 时，N-MOS 高阻，P-MOS 导通，输出1（不需要外部上拉电路）。
>>开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
输出 0 时，N-MOS 导通，P-MOS 不被激活，输出0。
输出 1 时，N-MOS 高阻， P-MOS 不被激活，
输出1（需要外部上拉电路）；此模式可以把端口作为双向IO使用。
G. 一个关于430单片机，程序语句的问题，请各位多多指教
这个问题，我也曾经是很难理解，这里牵涉到两个概念
1，|= 和 = 的基本区别
2，UCSCTL4 在上面的两个方式下会发生什么不一样的变化
这样回答你把，可能比较好理解
1，对于 |= 和 = 的基本区别
直接等于的话，是会把原来的UCSCTL4 的值给抹掉，然后再赋给一个全新的值，就是说和原来的值没有任何关系了。
但是|= 呢，和原来的值有直接的关系，只是拉高了 等于 号后面对应位为1的值，而等于号后面位原来为0的值还是0，原来为1的值还是1，举个例子
UCSCTL4 = 0x1F; // (0b1000 1111)
UCSCTL4 = 0x11;
上面的那句话执行之后，就和开始的值为0x1F值没有任何关系了，最后得到的值就是 0x11;
UCSCTL4 = 0x8F;
UCSCTL4 = 0x11; //(0b0001 0001)
这个执行之后，就和原来的0x1F有关系，实际上就做了一个位运算
0b1000 1111
0b0001 0001 ，拉高最后一位，以及倒数第5位和倒数第8位
-----------------
0b1001 1111
最后的值是 0x1F，原来的倒数第8，3，2位，因为和0一起运算，所以本身是1，最后还是1;
2，UCSCTL4 在上面的两个方式下会发生什么不一样的变化，现在你大概能够明白了把，如果把（SELA__XT1CLK+SELS__XT1CLK + SELM__XT1CL）看成我们上面例子的0x11 的话，那么最后的结果，对于两种运算方式来说，一种是和原来的值有关系，一种是和原来的值没有关系。
H. 430单片机编程
用P口的几个IO帧控制步进电机就可以啊，速度和步进电机输入脉冲频率有关系，只要设置一个定时器周期改变IO口输出正反即可，修改定时器的定时时间就能改变步进电机的速度了。