单片机RAM表

1. 单片机中 什么是片内RAM和片外RAM，RAM就是数据存储器吗

51单片机有以下几个内存模块组成：
1】rom或者flash，叫程序存储区，你写的程序是存在这里面的，上电后从这里面执行。
程序存储区也分为片内和片外，一般来说，现在的51很多已经做到了64k，所以很少有外扩
片外flash或者片外的rom了，flash或者rom不管是片内还是片外的，只能用来定义常量，是用code来修饰，也就是说，用code来修饰的东西，在程序运行过程中，不能修改；
2】ram有------内部ram的低128位（00-7f)，对应c语言就是data,比如我定义一个变量，
data
unsigned
char
var
=
0;
那么，这个
var变量就是放在内部的低128位ram中
-------内部ram的高128位（80-ff)，对应c语言就是idata,比如我定义一个变量，
idata
unsigned
char
var
=
0;
那么，这个
var变量就是放在内部的高128位ram中
-------特殊功能寄存器（sfr）（80-ff)，对应c语言就是sfr比如我定义一个变量，
sfr
unsigned
char
var
=
0x90;
那么，这个
var变量就是放在内部的特殊功能寄存器中,这是你对var操作，相当于操作一个特殊的寄存器，但是小心，不能随便定义sfr变量，很危险
------外部ram
64k（0000-ffff）
外部的ram可以扩展到65536个，但是前256个算是一页，这一页比较特殊，是用
pdata来修饰的，当然，也可以用xdata来修饰。
除了第一页的256个以外的其他65280个空间，只能用xdata来修饰；
回过头来讨论pdata和xdata，这两个都能修饰外部ram的第一页，但是，pdata只能修饰第一页，即最前面的256个外部ram,那么，这最前面的256个到底用pdata还是xdata好的呢？
答案是pdata，因为xdata修饰的变量，用的是dptr寻址，pdata用的是r0和r1.dptr因为是16位的，所以可以覆盖整个的64k外部ram，r0和r1是8位，所以只能寻址最前面的256个，也就是外部ram的第一页，但是，用r0寻址，比dptr快一倍，代码也小的很多
楼主又疑惑了，好多地址是重复的，比如，我向80h地址写一个数值，单片机怎么知道读的是内部的高128位ram？还是sfr？还是外部64k的ram呢？
答案是用指令，如果是直接寻址，那么访问的就是sfr，如果是r0或者r1间接寻址，就是内部高128位ram，如果是dptr或者是r0，r1间接寻址，且配合的是movx指令，那么就是访问外部64kram中的第80h个地址。
概括一下来说，51的内存由以下组成：
1----程序存储器（包括片内flash或rom,也包括片外flash或rom，c语言用code定义）
2----内部低128位ram,c语言用data定义
3---内部高128位ram,c语言用idata定义
4---内部sfr，c语言用sfr定义
5---外部65536个ram（通常，很多单片机厂家不会给你扩展那么多的，一般来说扩展256个字节或者1024个字节就差不多了，最近宏晶的出了个扩展4096字节的。这65536字节的ram，前256个可以用pdata修饰，也可以用xdata修饰，超过256个之后的，只能用xdata修饰）
以上所说的只是针对51内核的单片机，其他内核的，像arm之类的，不是这种结构的。

2. 51子系列单片机片内RAM容量多大，分为哪几大区域

51系列单片机片内RAM容量介绍如下：
1、 51系列，00H~7FH，分三大块，00H~1FH为工作寄存器区，20H~2FH为位寄存器区，30H~7FH为用户存储器区。
2、 52系列，00H~0FFH，分四大块，前三大块与51系列相同，第四大块80H~FFH为扩展用户存储器区，与特殊功能寄存器区地址重合。
3、STC系列单片机，很多都有512B到几K的扩展RAM区，供用户使用。

3. 51单片机内部ram，外部ram的区别

单片机的这 512 字节的 RAM在地位上并不宏雹都是平等的，而是分块的，块与块之间在物理结构和用法上都是有区别的，因此形成51单片机内部ram和外部ram的区别。

一、从使用字节区别。标准 51单片机的片内 RAM 地址从 0x00H～0x7F 共 128 个字节。而现在我们用的 51 系列的单片机都是带扩展片内 RAM 的，即 RAM 是从 0x00～0xFF 共 256 个字节。而片外 RAM 最大可以扩展到 0x0000～0xFFFF 共 64K 字节。

二、从庆销连接地址区别。片内 RAM 和片外 RAM 的地址不是连起来的，片内是从 0x00 开始，片外也是从 0x0000 开始的，分别形成data，即片内 RAM 从 0x00~0x7F；idata，即片内 RAM 从 0x00~0xFF；pdata，即片外 RAM 从 0x00~0xFF；xdata，即片外 RAM 从 0x0000~0xFFFF。

一般情况下，使用 data 区域，data 不够用了，就用 xdata，如果希望程序执行效率尽量高一点，就使用 pdata 关键字来定义。其它型号有更大的 RAM 的 51 系列单片机，如果要使用更大的 RAM，就必须得用 xdata 来访问了。

(3)单片机RAM表扩展阅读：

51单片机对所有兼容Intel 8031指令系统的统称，8004单片机成为应用最广泛的8位单片机之一，其代表型号是ATMEL公司的AT89系列，它广泛应用于工业测控系统之中。很多公司都有51系列的兼容机型推出，今后很长的一段时间内将占有大量市场。51单片机属于基础入门的一个单片机，还是应用最广泛的一种。需要注意的是51系列的单片机一般不具备自编程能力。

51单片机的RAM用以存放可以读写的数据，如运算的中间结果、最终结果以及欲显示的数据，ROM用以存放程序、一些原始数据和表格。四个8位并行I/O口，既可用作输入，也可用作输出。T/C包括两个定时/记数器，既可以工作在定时模式，也可誉绝游以工作在记数模式。

4. 89c52单片机的RAM为多少

哎，我都不知道怎么说你，这种问题你第一相当的就是看89C52单片机data数据手册啊，这个单片机手册里面都有的啊，给你简单介绍一下：
RAM有------内部RAM的低128位（00-7F)
-------内部RAM的高128位（80-FF)
-------特殊功能寄存器（SFR）（80-FF)
------外部RAM 64K（0000-FFFF）
希望我的回答对你有帮助！

5. MCS-51单片机片内RAM的组成的划分方式和功能分别是什么

51单颤消明片机的具茄告体存储器地址分配

数据存储器（RAM）为 256 字节, 地址范围为00H~FFH, 分为两大部分: 低 128 字节（00H~7FH）为真正的RAM区; 高 128 字节（80H~FFH）为特殊功能寄存器区SFR。

程序存储器（ROM）的内部地址桥伍为 0000H~0FFFH, 共 4 KB; 外部地址为 1000H~FFFFH, 共 60 KB。 当程序计数器由内部 0FFFH执行到外部 1000H 时, 会自动跳转。

一般分为数据存储器RAM，程序存储器ROM,内存的具体地址都是规定好的，不需要我们划分，只需要我们知道他们的具体地址就好了。

6. MCS-51单片机内部RAM可分为几个区各区的主要作用是什么

MCS-51单片机内部RAM可分为5个区：

1、存宽蔽储矩阵区：RAM的核心区域是一个寄存器矩阵，用清猜来存储信息，称为存储矩区。

2、地址译码器区：地址译码器区的作用是将寄存器地址所对应的二进制数译成有效的行选信号和列选信号，从而选中该存储单元。

3、读/写控制器区：访问RAM时，对被选中的寄存器进行读操作还是进行写操作，是通过的读/写控制器区读写信号来进行控制的。

4、输入/输出区：RAM通过输入/输_区与计算机的CPU交换数据。输入/输出区数据线的条数，与一个地址中所对应的寄存器位数相同。

5、片选控制区：片选控制区就是用来实现这种控制的。控制RAM被访问时，是否与CPU发生联系，与其交换信息。

(6)单片机RAM表扩展阅读：

MCS-51单片机内部RAM读操作时，被选中单元的数据经数据线、输入/输出区处理后传送给CPU；写操作时，CPU将数据经输入/输出区转化、数据线存入被选中单元。

由于受RAM的集成度限制。MCS-51单片机由许多慎正州RAM组合而成。CPU访问存储器时，一次只能访问RAM中的某一片，片选控制区选中，地址译码器的输出信号控制该片某个地址的寄存器与CPU接通；当片选线接入无效电平时，则该片与CPU之间处于断开状态。

7. mcs-51单片机内部RAM的各部分作用

MCS-51系列单片机片内RAM共有128字节，地址范围为00H~7FH。
在这128字节中，全部都可以按照字节地址进行操作（读、写或运算），直接或间接寻址方式皆可。
在这128字节中，按照使用特点，可以分成三类：工作寄存器区、位寻址区和通用数据区。

1．工作寄存器区
在MCS-51系列单片机的片内RAM中，有四个工作寄存器区，分别称为工作寄存器区0~工作寄存器区3。
每区有八个字节，除了可以用字节地址号码操作之外，还可以用R0、R1…R7为名称对其操作。用名称进行操作，称为寄存器寻址，指令代码较为简短。
其中R0、R1可以作为间接寻址寄存器，以其中内容作为地址，能够对片内RAM（或片外RAM的256字节）进行间接寻址。
在任何时刻，只能使用一个工作寄存器区。当前使用那个区，可以通过指令设置PSW中的RS1和RS0来决定。PSW称为程序状态字，是下面要介绍的特殊功能寄存器。
通过设置RS1和RS0，可以快速切换当前工作寄存器区，适合在不同的程序段中进行保护现场。当前没有使用的工作寄存器区，不能使用R0、R1…R7等名称，但可以按字节地址对其随意读写。
复位时RS1和RS0皆初始化为0，故此复位后将自动使用工作寄存器区0。

2．位寻址区
位寻址区共有16字节，字节地址为20H~2FH，每个字节中的8个“位”，都有一个“位地址”。共有128个位，“位地址”的范围为00H~7FH。
从表2中可以看到，前面问题所提到的“位地址4EH”，是在“字节地址29H”中，是第6位。
对位寻址区可以按照“位地址”来对某一个位单独进行操作，也可以按照“字节地址”进行操作，即同时对八个位地址的内容进行操作。
MCS-51系列单片机具有一套专用的“位操作”指令（又称为布尔指令），可对这些位地址进行“与”、“或”、“非”等操作。这是该系列单片机的特色之一。

3．通用数据区
通用数据区有80字节，只能按“字节地址”（直接或间接寻址）进行操作。

上面介绍了00H~7FH地址范围内的RAM，下面接着这个地址，继续向高地址方向介绍。

在片内80H~FFH地址范围内，离散的分布着21个特殊功能寄存器（SFR），寄存器名称与地址分布见表3。
8052系列单片机，在80H~FFH范围内，还有128字节的片内通用RAM，对其操作时，则必须采用“间址”寻址方式。
而对这片地址范围内的特殊功能寄存器只能采用“直接”寻址方式进行操作。
特殊功能寄存器中有11个还可以进行“位寻址”，表3中也列出了可以位寻址的寄存器以及位地址号码。
在表3中，如果位地址为空白，则说明该寄存器不能进行“位寻址”。
由表3可以看出规律：当字节地址可以被8整除时，该字节即可以按位寻址。其最低位的“位地址”与“字节地址”相同，其他位的位地址向高位依次加1。
单片机自动完成赋予它的任务的过程，也就是单片机执行程序的过程，即一条条执行的指令的过程，所谓指令就是把要求单片机执行的各种操作用的命令的形式写下来，这是在设计人员赋予它的指令系统所决定的，一条指令对应着一种基本操作；单片机所能执行的全部指令，就是该单片机的指令系统，不同种类的单片机，其指令系统亦不同。为使单片机能自动完成某一特定任务，必须把要解决的问题编成一系列指令（这些指令必须是选定单片机能识别和执行的指令），这一系列指令的集合就成为程序，程序需要预先存放在具有存储功能的部件——存储器中。存储器由许多存储单元（最小的存储单位）组成，就像大楼房有许多房间组成一样，指令就存放在这些单元里，单元里的指令取出并执行就像大楼房的每个房间的被分配到了唯一一个房间号一样，每一个存储单元也必须被分配到唯一的地址号，该地址号称为存储单元的地址，这样只要知道了存储单元的地址，就可以找到这个存储单元，其中存储的指令就可以被取出，然后再被执行。 程序通常是顺序执行的，所以程序中的指令也是一条条顺序存放的，单片机在执行程序时要能把这些指令一条条取出并加以执行，必须有一个部件能追踪指令所在的地址，这一部件就是程序计数器PC（包含在CPU中），在开始执行程序时，给PC赋以程序中第一条指令所在的地址，然后取得每一条要执行的命令，PC在中的内容就会自动增加，增加量由本条指令长度决定，可能是1、2或3，以指向下一条指令的起始地址，保证指令顺序执行。

可以参考： http://apps.hi..com/share/detail/17443237

8. RAM在单片机里面有哪些作用

可以直接访问任一个存储单元，只要知道该单元所在记忆行和记忆列的地址即可。

存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。随机存取存储器（RAM）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失，所以RAM是易失性存储器。

ROM为只读存储器，除了固定存储数据、表格、固化程序外，在组合逻辑电路中也有着广泛用途。

随机存储用途

SRAM：静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。SRAM主要用于缓存。

DRAM：动态随机存取存储器中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，需要不断地刷新。

FPM DRAM：快速页模式动态随机存取存储器是最早的一种DRAM。在存储器根据行列地址进行位元定位的全程中，FPM DRAM必须处于等待状态，数据读取之后才能开始处理下一位数据。向二级缓存的最高传输速率约为176MB每秒。

EDO DRAM：扩展数据输出动态随机存取存储器在处理前一位数据的过程中无需全程等待，就可以开始处理下一位数据。只要前一位数据的地址定位成功，EDO DRAM就开始为下一位数据寻址。它比FPM快5%左右。向二级缓存的最高传输速率约为264MB每秒。

SDRAM：同步动态随机存取存储器利用了爆发模式的概念，大大提升了性能。

(8)单片机RAM表扩展阅读

当电源关闭时，RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM的工作特点是通电后，随时可在任意位置单元存取数据信息，断电后内部信息也随之消失。

随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1（二进制），未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

9. C51单片机内部RAM多大，有的书上说128B，有的书上说256B，弄得我晕了都。

在 51 系列单片机内部的字节单元，共有 256 个地址。

分为低 128 字节、高 128 字节。

其中：

低 128 字节，是“片内 RAM”；

高 128 字节，是“特殊功能寄存器 SFR”，必须“直接寻址”。

－－－－－－－

对于 52 系列，在高 128 字节，增加了“片内 RAM”，则必须“间接寻址”。

－－－－－－－

SFR，其地址与“高 128 的片内 RAM”地址相同，

但是，寻址方法不同，操作的目的地，就不同。

所以，SFR，不属于片内 RAM。