㈠ 单片机怎么选择晶振所谓11.095和22.1184两种的误差最小是指什么为什么会产生误差谢谢
主要是考虑到通信的时候的波特率
在使用串口做通讯时，一个很重要的参数就是波特率，只有上下位机的波特率一样时才可以进行正常通讯。波特率是指串行端口每秒内可以传输的波特位数。有一些初学的朋友认为波特率是指每秒传输的字节数，如标准9600会被误认为每秒种可以传送9600个字节，而实际上它是指每秒可以传送9600个二进位，而一个字节要8个二进位，如用串口模式1来传输那么加上起始位和停止位，每个数据字节就要占用10个二进位，9600波特率用模式1传输时，每秒传输的字节数是9600÷10＝960字节。51芯片的串口工作模式0的波特率是固定的，为fosc/12，以一个12M的晶振来计算，那么它的波特率可以达到1M。模式2的波特率是固定在fosc/64或fosc/32，具体用那一种就取决于PCON寄存器中的SMOD位，如SMOD为0，波特率为focs/64,SMOD为1，波特率为focs/32。模式1和模式3的波特率是可变的，取决于定时器1或2（52芯片）的溢出速率。那么我们怎么去计算这两个模式的波特率设置时相关的寄存器的值呢？可以用以下的公式去计算。
波特率＝（2SMOD÷32）×定时器1溢出速率
上式中如设置了PCON寄存器中的SMOD位为1时就可以把波特率提升2倍。通常会使用定时器1工作在定时器工作模式2下，这时定时值中的TL1做为计数，TH1做为自动重装值，这个定时模式下，定时器溢出后，TH1的值会自动装载到TL1，再次开始计数，这样可以不用软件去干预，使得定时更准确。在这个定时模式2下定时器1溢出速率的计算公式如下：
溢出速率＝（计数速率）/(256－TH1)
上式中的“计数速率”与所使用的晶体振荡器频率有关，在51芯片中定时器启动后会在每一个机器周期使定时寄存器TH的值增加一，一个机器周期等于十二个振荡周期，所以可以得知51芯片的计数速率为晶体振荡器频率的1/12，一个12M的晶振用在51芯片上，那么51的计数速率就为1M。通常用11.0592M晶体是为了得到标准的无误差的波特率，那么为何呢？计算一下就知道了。如我们要得到9600的波特率，晶振为11.0592M和12M，定时器1为模式2，SMOD设为1，分别看看那所要求的TH1为何值。代入公式： 11.0592M
9600＝(2÷32)×((11.0592M/12)/(256-TH1))
TH1＝250//看看是不是和上面实例中的使用的数值一样？
12M
9600＝(2÷32)×((12M/12)/(256-TH1))
TH1≈249.49
上面的计算可以看出使用12M晶体的时候计算出来的TH1不为整数，而TH1的值只能取整数，这样它就会有一定的误差存在不能产生精确的9600波特率。当然一定的误差是可以在使用中被接受的，就算使用11.0592M的晶体振荡器也会因晶体本身所存在的误差使波特率产生误差，但晶体本身的误差对波特率的影响是十分之小的，可以忽略不计 。
同理22.184也是。自己算一下吧。
㈡ 单片机是通过什么方式来选择外部晶振还是内部晶振
这个要看单片机型号了。
1、有的是如果外部有晶振电路，就用外部晶振，如果外部没有晶振电路，就自动换成内部晶振。例如IRC15W415AS。
2、有的是用下载软件设置使用的是外部晶振还是内部晶振。例如IAP15F2K61S2。
3、有的是用控制寄存器来选择用的是外部晶振还是内部晶振。例如C8051F350用OSCICN控制寄存器的第7位，选择是外部还是内部晶振。
4、有的是只有内部晶振。例如STC15W204S。
5、有的是只有外部晶振。例如AT89C2051。
望采纳。。。。。。
㈢ 如何选择合适的单片机晶振电容
原理上讲直接将晶振接到单片机上，单片机就可以工作。但这样构成的振荡电路中会产生偕波(也就是不希望存在的其他频率的波),这个波对电路的影响不大,但会降低电路的时钟振荡器的稳定性. 为了电路的稳定性起见，建议在晶振的两引脚处接入两个瓷片电容接地来削减偕波对电路的稳定性的影响,所以晶振必须配有起振电容，但电容的具体大小没有什么 普遍意义上的计算公式，不同芯片的要求不同。
（1）：因为每一种晶振都有各自的特性，所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。
（2）：在许可范围内，C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定，但将会增比较常用的为15p-30p之间。
晶振的作用不同，材料不同，型号不同，源于每一种晶振都有各自它们各自的特性，所以最佳按制造厂商所供应的数值选择外部元器件。 当然晶振的电容也是按照不同的晶振类型所制造的，这是理所当然的。下面是晶振的电容选择方法，一定要仔细看哦：
晶振电容选择的几大标准
（1）：在容许范围内，C1,C2值越低越好。
（2）C值偏大虽有利于振荡器的安稳，但将会增加起振时间。
（3）：应使C2值大于C1值，这么可使上电时，加快晶振起振。
晶振的起振原因分析
在石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的运用中，就需要留心负载电容的选择。因为不一样厂家出产的石英晶体谐振器和陶瓷谐振器的特性和质量都存在较大差异。
选择晶振电容的注意事项
（1）在选用时，需要了解该类型振荡器的要害方针，例如等效电阻，（凯越翔厂家建议负载电容，如频率偏差等。
（2）但是在实习电路中，也能够通过示波器查询振荡波形来判别振荡器是不是作业在最佳情况。
|（3）当然在示波器查询振荡波形时，所查询的OSCO管脚(Oscillator output)，应选择100MHz带宽以上的示波器探头，这种探头的输入阻抗高，容抗小，对振荡波形相对影响小。
（4）由于探头上通常存在10～20pF的电容，所以观测时，恰当减小在OSCO管脚的电容能够取得更靠近实习的振荡波形。
（5）凯越翔建议：因为作业出色的振荡波形应当是一个美丽的正弦波，峰峰值应当大于电源电压的70%。若峰峰值小于70%，可恰当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。反之，若峰峰值靠近电源电压且振荡波形发生畸变，则可恰当增加负载电容。 所以在选择晶振的最佳电容时，是可以参考的哦！！！
专业仪器检测专晶振（更技术的选择）
因为用示波器查看OSCI(Oscillator input)管脚，如果简略致使振荡器停振（原因是：有些的探头阻抗小不能够直接检验）所以晶振的电容能够用串电容的方法来进行检验。
取中心值的小窍门（凯越翔独家揭秘）
如常用的4MHz石英晶体谐振器，通常凯越翔厂家建议的外接负载电容为10～30pF支配。若取中心值15pF，则C1，C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF。凯越翔k字晶振考虑到还别的存在的电路板分布电容的影响。以及芯片管脚电容，晶体自身寄生电容等都会影响总电容值，故实习配备C1，C2时，可各取20～15pF支配。因此C1，C2运用瓷片电容为佳。
当然这只是一部分的电容选择要求和技巧，然而最佳的晶振选择要求和技巧，还是要根据不同的晶振型号，类型和不同的材料晶振而定，当然还是要看各自的客户的选择要求来定哦如果你对晶振的电容选择上还有什么疑虑的，不妨登入凯越翔官查询更加详细的资料哦。（本文来自凯越翔，k字晶振）
㈣ 新手上路，麻烦大神们将51单片机常用的晶振型号推荐一下，我好查了选电容
不接串口的话晶振常用12M,6M，接串口的话晶振常用11.0592M，电容20--30P即可，我常用22P的
㈤ 单片机晶振大小的选择和功耗之间的问题
振荡频率越高，功耗必然越大。所以在满足系统需求的前提下，应该尽量减小晶振的频率。(在ARM等高级一些的内核中，有一个专门的锁相环来控制内部频率，在CPU不活动的时候可以减小晶振频率，以降低功耗)
维持系统正常运作所需的最小晶振不取决于单片机内部电路(单片机本身可以工作在极低的频率下，只是速度极慢)，而取决于你的系统需求，比如你的AD需要每ms采样10次，这就需要单片机运行速度较快，肯定就不能用32.768kHz的晶振了。。。而维持系统正常运作所需的最大晶振是取决于单片机内部电路的，要让其稳定工作，一般要保证晶振频率不超过24MHz，否则内部工作状态就有可能紊乱。
总之，如果系统对速度要求不高的话，一般用6MHz或12MHz就可以了。如果需要使用串口与PC连接，可以选用一个11.0592MHz的晶振，便于定时器设置
㈥ 51单片机到底使用哪种晶振好
标准的51单片机晶振是1.2M-12M，一般由于一个机器周期是12个时钟周期，所以先12M时，一个机器周期是1US，好计算，而且速度相对是最高的（当然现在也有更高频率的单片机）。
11.0592M是因为在进行通信时，12M频率进行串行通信不容易实现标准的波特率，比如9600，4800，而11.0592M计算时正好可以得到，因此在有通信接口的单片机中，一般选11.0592M