A. 51单片机IO通过三极管比如2N4400可以驱动24v负载吗
可以的,
依照
2N4400
的资料手册上写的,
可以驱动到
40V
的负载
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可以的,
三极管带负载能力不需要是负载的2-4倍的,
如果怕电感性负载伤害三极管,
可以在负载旁边并连一个二级管,
二级管的N极接电源,
P极接三级管,我认为是不需要的
B. 经典型51单片机的GPIO,相比拉电流驱动,为什么更适合使用灌电流驱动负载
51单片机的IO引脚高电平输出电流能力只有几百微安，无法驱动LED等小负载，而低电平时灌电流能力可达10mA，可驱动很多小负载，加一个三极管放大便可驱动继电器等大负载。
C. 51单片机io口的输入/输出逻辑电平是多少其负载能力有多大 若用io口控制
51单片机io口的输入/输出逻辑电平是5V，负载能力是很弱的，最大灌电流为20毫安，所以如果工作电流是100毫安，那么直接驱动就无能为力了，只能加一级放大，比如用一个三级管或MOS管来实现。
D. 51单片机的各个引脚输出高低电平的时候电压和电流是多少能够带动4个或者是8个ttl负载是什么意思
51单片机输出低电平驱动能力很强，至少可达20mA~50mA。高电平驱动能力很弱，电流在5mA以下。
带动4~8个TTL负载是指一个输出类的IO口可与4~8个TTL的输入引脚相连。主要是受高电平驱动能力限制。
一般4V以上高电平，1V以下低电平比较可靠。实际基本上以2.5V为阀值。但是2.5V附近不可靠。
E. MCS-51单片机的1/0口作为输出口使用时,论带载能力,采用低电平带载比高电平强
MCS-51单片机的1/0口作为输出口使用时,论带载能力,采用低电平带载比高电平确实要强一些，因为单片机的IO口输出电流一般要小于灌电流，输出的电流一般在10毫安左右，灌电流最大可以达到20毫安。
F. 我准备用51单片机测试电池的电压电流，那么测试的电池的负载应该是多大
从网上查到如下文字：
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6-DZM-14系列蓄电池为额定电压12V,额定容量14Ah的密封铅酸蓄电池。一般情况下，铅酸蓄电池放电电流不宜超过1C-rate（所谓1C-rate，也就是1倍于Capacity数值，电池额定容量为14Ah，1倍容量就是14A）。
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如果你的蓄电池容量是7安时的话，最大正常放电电流为7A，那么负载电阻就是12V/7A=1.7欧姆。通过接入负载产生的压降就知道电池内阻了。不同品牌的电池正常放电电流也是不一样的，过大的放电电流会使电池折寿，但蓄电池可以超过很多倍电流来短时间放电，例如汽车起动。作为测试，建议你使用1欧姆的电阻，放电电流12A，测试时间10分钟内。
G. 51单片机三极管驱动2A电流的负载问题
电流太大了，建议用mos管
记忆中8550 是100倍，若输出要1600mA 驱动电流要求达到16mA 以上，串1k的电阻 5V 电压驱动肯定驱动不了 用一个低压驱动mos管吧，损耗也会少
H. 51单片机P2口输出高电平，外接一个负载，负载两端电压是5v
传统51单片机，如果接一个10k的电阻，输出电压应该接近5v，对于1k负载电阻，输出电压很低，估计就1伏多
但是现在的增强型51单片机，lO口可以配置为推挽输出,此时高电平负载能力就强多了，估计1K欧负载电阻时输出电压达4·5伏左右