单片机可控硅

⑴ 单片机控制可控硅调压程序

可控硅必须检测过零信号。只有零点以后触发，才会有效。而且在下一个零点到来的时候，可控硅会自动关闭。你这个程序里面只有一句P=1,没有P=0,那么这个端口一直开启，没有关闭。负载将一直投入。不可能关闭。所以，根本不可能调压！
想要调压：1、增加一个过零检测电路。
2、每次触发以后，过一段时间必须把触发信号关闭。也可以在过零中断时，将触发信号关闭。
3、调压的大小值受过零后多长时间投入。注意10MS以内必须完成一次控制。否则控制将不正常。

⑵ 关于单片机控制可控硅

我前段时间刚做了一个跟你这个一样的要求。
我用的是PIC单片机，可控硅导通角控制电机转速，PID闭环控制，电位器调速，上升下降时间可调，最高输出电压可调 ，调试已经成功了，正准备批量生产
说起来不难，INT过零检测，定时器确定导通角，发了个100uS的脉冲就行，光耦要用可控的MOC3023，电压反馈稳定输出，电流保护就行了

⑶ 如果使用单片机控制双向可控硅，除了采用光耦是否还有其他方法比如三极管

如果不要求强弱电隔离的话，可以直接控制可控硅的。
事实上有好多要求不高的电器，包括出口的，各种认证的小电器产品都有用的是直接控制的，它们的电源部份往往用的是阻容降压。
炸可控硅的事，要么是选型不对，要么是接线错误；炸三极管的也同理，原理图错误更多。

至于需不需要用三极管来驱动，要看所选用的可控硅的最小驱动电流是多少，如果是几mA十几mA的则可以不用三极管而直接用IO口来驱动。当然，具体的电路设计上是要有技巧的。

⑷ 利用51单片机控制可控硅

很简单啊！

最好是采用MOC3020光耦隔离一下。

⑸ 单片机怎样控制可控硅在220V电路中作开关用（控制一个40W节能灯）

鉴于你控制的是40W的节能灯。所以，用可控硅的话，会出现灯管微亮或是闪烁的现象。所以，还是建议使用继电器来控制节能灯。你用阻容降压电路的话，只要电容器容量达到1UF，并且用的是全桥整流的话是没有问题的。我有一个控制器用的就是阻容降压电路。在驱动数码管和一个指示灯后另外驱动继电器的情况下可以输出9V左右的电压。而这个电压是完全可以控制继电器的。

如果你非要用晶闸管控制节能灯的话。就用光耦隔离。使用单向晶闸管配合一个全桥整流器会比较简单。

⑹ 51单片机控制可控硅

用继电器控制很能难实现过零的，因吸合时有延时。用对继电器控制适合于功率不大的设备，1KW以内还可以，也不用过零检测。控制的设备功率再大了最是要过零检测了。用继电器可以免去隔离了，而且控制也容易，单片机控制一个三极管，再由三极管去驱动继电器，如果继电器很多的话，用三极管有点麻烦，就用ULN2803，一片可以控制8个继电器。
要是用可控硅控制最好有过零检测，但必须要用光电隔离了。要实现过零检测，要是外加检测电路是很麻烦的。既然加光电隔离，不如将过零检测和光电隔离合二为一，有一种光耦，叫MOC3803，资料在网络文库里就能下载。里面即有怎么用，也有怎么连接电路，非常适合用于单片机上控制交流设备。

单片机（Microcontrollers）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。从上世纪80年代，由当时的4位、8位单片机，发展到现在的300M的高速单片机。

⑺ 单片机控制可控硅

不管是高电平还是低电平都是导通，但我把他的控制引脚悬空时就断开了???
这个问题看清楚了SCR的原理就明白了:

控硅是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件,一般由两晶闸管反向连接而成.它的功用不仅是整流，还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。（如图）
晶闸管T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成晶闸管的主电路，晶闸管的门极G和阴极K与控制晶闸管的装置连接，组成晶闸管的控制电路
从晶闸管的内部分析工作过程：
晶闸管是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图一，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图二.
当晶闸管承受正向阳极电压时，为使晶闸管导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门极电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。
设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2；发射极电流相应为Ia和Ik；电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,
晶闸管的阳极电流等于两管的集电极电流和漏电流的总和：
Ia=Ic1+Ic2+Ic0 或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0
若门极电流为Ig,则晶闸管阴极电流为Ik=Ia+Ig
从而可以得出晶闸管阳极电流为：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2）） （1—1）
硅PNP管和硅NPN管相应的电流放大系数a1和a2随其发射极电流的改变而急剧变化如图三所示。
当晶闸管承受正向阳极电压，而门极未受电压的情况下，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小，故晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0 晶闸关处于正向阻断状态。当晶闸管在正向阳极电压下，从门极G流入电流Ig,由于足够大的Ig流经NPN管的发射结，从而提高起点流放大系数a2,产生足够大的极电极电流Ic2流过PNP管的发射结，并提高了PNP管的电流放大系数a1,产生更大的极电极电流Ic1流经NPN管的发射结。这样强烈的正反馈过程迅速进行。从图3，当a1和a2随发射极电流增加而（a1+a2）≈1时，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶闸管的阳极电流Ia.这时，流过晶闸管的电流完全由主回路的电压和回路电阻决定。晶闸管已处于正向导通状态。
式（1—1）中，在晶闸管导通后，1-（a1+a2）≈0,即使此时门极电流Ig=0,晶闸管仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。晶闸管在导通后，门极已失去作用。
在晶闸管导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-（a1+a2）≈0时，晶闸管恢复阻断状态。

⑻ 单片机控制PWM,用到双向可控硅。怎样设计相关电路图和程序（C语言的）

这个我经常用，电机调速控制，严格说这不是PWM，是可控硅移相触发。
电路很简单，一个可控硅触发电路，一个过零检测电路，配合一段中断服务程序就能完成。

不知道你应用的一些详情，简单说一下思路。
可控硅触发一般使用MOC3021，相关手册上有典型电路，CPU端接一个GPIO就可以。
闭环控制时过零检测不需要很精确，一般用一个双向光耦就足够，光耦输入接交流电输入，输出接CPU中断，用史密特整形一下输出信号最好。
中断程序的结构分成两部分，过零中断与延时中断。
过零中断做两件事，输出复位，开始延时。如果定时器有外部管脚复位启动功能，可以不要这段。
延时中断做一件事，触发输出。如果定时器有触发输出功能，可以没有这段中断程序。
具体的延时时间，由主程序控制，一般是根据PID的计算结果进行设置。注意，延时时间越长，输出电压越小。

⑼ 51单片机怎么控制可控硅

CON接51单片机IO口，低电平可控硅开通，高电平可控硅在交流电过零时自动关断。

⑽ 单片机控制可控硅电路

MOC3022是个光耦。左边二极管发光，4，6连同，可控硅被触发导通。
当L1_D为低电平的时候光耦左端发光