❶ 片外rom和片外ram各自的地址范围单片机如何区分两者的访问
原则上说，片外rom和片外ram各自的地址范围可以重叠，也就是都可以从0000H开始到0FFFFH结束。单片机根据指令区分两者的访问，MOVC访问的是片外rom，MOVX访问的是片外ram。
但是，对于片内有ROM和内部集成外部RAM的芯片，要统一编址，各自不能重叠。
❷ 8051单片机访问片外ROM与片外RAM的读写信号各是什么。
ALE/PROG 地址锁存控制信号：在系统扩展时，ALE用于控制把P0口的输出低8位地址送锁存器锁存起来，以实现低位地址和数据的隔离ALE有可能是高电平也有可能是低电平，当ALE是高电平时，允许地址锁存信号，当访问外部存储器时，ALE信号负跳变（即由正变负）将P0口上低8位地址信号送入锁存器。当ALE是低电平时，P0口上的内容和锁存器输出一致。
在没有访问外部存储器期间，ALE以1/6振荡周期频率输出（即6分频），当访问外部存储器以1/12振荡周期输出（12分频）。进行扩展时ALE会以1/6振荡周期的固定频率输出，因此可以做为外部时钟，或者外部定时脉冲使用。
PORG为编程脉冲的输入端：PSEN 外部程序存储器读选通信号：在读外部ROM时PSEN低电平有效，以实现外部ROM单元的读操作。
1、内部ROM读取时，PSEN不动作；
2、外部ROM读取时，在每个机器周期会动作两次；
3、外部RAM读取时，两个PSEN脉冲被跳过不会输出；
4、外接ROM时，与ROM的OE脚相接。
EA/VPP 访问和序存储器控制信号
1、接高电平时：
CPU读取内部程序存储器（ROM）
扩展外部ROM：当读取内部程序存储器超过0FFFH（8051）1FFFH（8052）时自动读取外部ROM。
2、接低电平时：CPU读取外部程序存储器（ROM）。 在前面的学习中我们已知道，8031单片机内部是没有ROM的，那么在应用8031单片机时，这个脚是一直接低电平的。
3、8751烧写内部EPROM时，利用此脚输入21V的烧写电压。
❸ 单片机访问片内RAM问题
单片机读写片内RAM高128位，80H-FFH，对于特殊功能寄存器属于这个地址范围内，也可以看成是RAM，所以，读写寄存器用直接寻址方式，而读写RAM数据存储器时只能用@R0，@R1间接寻址方式。