1. 若f=6M,则单片机复位时间不超过好多微秒
单片机复位时间没有明确值,可以是1s,可以是10s,也可以是1h……;
但对单片机复位电平的维持时间却有要求:不短于2个机器周期,才能正常复位。
而对于标准51单片机,6MHz晶振,其机器周期为 2us,则复位电平不应短于4us;而不是LZ说的,不超过多少微秒。
2. 单片机的三种复位方式
一、高电平复位
复位电路的工作原理 在书本上有介绍,51单片机要复位只需要在第9引脚接个高电平持续2us就可以实现,那这个过程是如何实现的呢?在单片机系统中,系统上电启动的时候复位一次,当按键按下的时候系统再次复位,如果释放后再按下,系统还会复位。所以可以通过按键的断开和闭合在运行的系统中控制其复位。
(1)、上电复位
电容的的大小是10uf,电阻的大小是10k。所以根据公式,可以算出电容充电到电源电压的0.7倍(单片机的电源是5V,所以充电到0.7倍即为3.5V),需要的时间是10K*10UF=0.1S。也就是说在电脑启动的0.1S内,电容两端的电压时在0~3.5V增加。这个时候10K电阻两端的电压为从5~1.5V减少(串联电路各处电压之和为总电压)。所以在0.1S内,RST引脚所接收到的电压是5V~1.5V。在5V正常工作的51单片机中小于1.5V的电压信号为低电平信号,而大于1.5V的电压信号为高电平信号。所以在开机0.1S内,单片机系统自动复位(RST引脚接收到的高电平信号时间为0.1S左右)。
(2) 按键复位
在单片机启动0.1S后,电容C两端的电压持续充电为5V,这是时候10K电阻两端的电压接近于0V,RST处于低电平所以系统正常工作。当按键按下的时候,开关导通,这个时候电容两端形成了一个回路,电容被短路,所以在按键按下的这个过程中,电容开始释放之前充的电量。随着时间的推移,电容的电压在0.1S内,从5V释放到变为了1.5V,甚至更小。根据串联电路电压为各处之和,这个时候10K电阻两端的电压为3.5V,甚至更大,所以RST引脚又接收到高电平。单片机系统自动复位。
总结: 1、复位电路的原理是单片机RST引脚接收到2US以上的电平信号,只要保证电容的充放电时间大于2US,即可实现复位,所以电路中的电容值是可以改变的。 2、按键按下系统复位,是电容处于一个短路电路中,释放了所有的电能,电阻两端的电压增加引起的。
二、低电平复位
在使用STM32芯片时,常用的复位方式为按键复位,且为低电平复位。其原理与上述高电平复位相反,分析也挺简单,这里不在赘述,只给出按键复位原理
单片机的复位引脚RST(全称RESET)出现2个机器周期以上的复位电平时,单片机就执行复位操作。如果RST持续为复位电平,单片机就处于循环复位状态。当单片机处于正常电平时就正常转入执行程序。
当单片机上电瞬间由于电容电压不能突变会使电容两边的电位相同,此时RST为低电平,之后随着时间推移电源通过电阻对电容充电,充满电时RST为高电平。正常工作为高电平,低电平复位。即上电低电平,然后转向高电平。当单片机上电瞬间由于电容电压不能突变会使电容两边的电位相同,此时RST为高电平,之后随着时间推移电源负极通过电阻对电容放电,放完电时RST为低电平。正常工作为低电平,高电平复位。
3. 单片机的按键启动和复位电路图
单片机的复位有上电复位和按钮手动复位两种。如图(a)所示为上电复位电路,图(b)所示为上电按键复位电路。
上电复位是利用电容充电来实现的,即上电瞬间RST端的电位与VCC相同,随着充电电流的减少,RST的电位逐渐下降。图(a)中的R是施密特触发器输入端的一个10KΩ下拉电阻,时间常数为10×10-6×10×103=100ms。只要VCC的上升时间不超过1ms,振荡器建立时间不超过10ms,这个时间常数足以保证完成复位操作。上电复位所需的最短时间是振荡周期建立时间加上2个机器周期时间,在这个时间内RST的电平应维持高于施密特触发器的下阈值。
上电按键复位(b)所示。当按下复位按键时,RST端产生高电平,使单片机复位。复位后,其片内各寄存器状态改变,片内RAM内容不变。
由于单片机内部的各个功能部件均受特殊功能寄存器控制,程序运行直接受程序计数器PC指挥。各寄存器复位时的状态决定了单片机内有关功能部件的初始状态。
另外,在复位有效期间(即高电平),80C51单片机的ALE引脚和引脚均为高电平,且内部RAM不受复位的影响。
图要点一下查看大图才清楚哦O(∩_∩)O
4. 已知 fosc=12MHZ ,请问需要多长时间,单片机复位
Fosc是指晶振的频率....复位的话..你是用什么触发的...这跟单片机有关...不同品牌也不同...
有时,指令周期FCPU是由FOSC分频的...会小于12M....如果不分频的话...就是1*12M秒一个指令周期....