单片机ram地址

1. 8501单片机内的RAM分为哪三大部分各部分的地址编码范围是多少

8501单片机内部RAM低128字节存储区分为哪三部分：

1、工作寄存器区，地址范围：00H~1FH，共32字节

2、位寻址区，地址范围：20H~2FH，共16字节

3、用户存储区，地址范围：30H~7FH，区80字节

如下图所示

2. MCS－51单片机内部RAM区有（ ）个位地址。

mcs-51单片机内部ram分配如下：
00h~1fh：为工作寄存器地址，共四组
20h~2fh：为位地址空间，位地址范围为00h~7fh
30h~7fh：为用户使用的ram空间
80h~ffh：为特殊功能寄存器空间。

3. 80C51单片机的片内ROM和片内RAM各起什么作用他们的地址范围是多少

51单片机是哈佛结构，（我们的PC是冯诺依曼机构），指令，数据分开存储，所以书上说程序存储器，数据存储器；
51内置4K,rom,可以用我们写好的代码都要存储到它里面，其中有几个特殊地质是中断的，如果有中断就跳转到这些地址执行程序范围是0000h~0fffh，片内片外rom统一编制，所以如果要读取rom中的数据要用movc指令哦，rom可读不可写。
ram地址00h~7fh,80H~0ffH
有21个特殊寄存器，IO口，累加器什么的都在哪儿，是单片机控制部分。ram的作用是暂时存储我们程序运行中的一些数据，变量，可读可写。
如果有疑惑，可以问我。。。

4. 内部Ram,位地址为40h,88h该位所在字节地址分别为多少

位地址40H为字节地址28H的D0位；位地址88H为TCON寄存器D0位，字节地址为88H。

相关介绍：

典型的51单片机内部RAM是256B，8根地址线（8位），这256B共分为高128位和低128位，用户使用的区域是低128位（即00H～7FH），通过程序计数器PC寻址。

51单片机的外部RAM可扩展到64KB，16根地址线（16位），使用DPTR作为外部RAM的寻址指针。

程序存储器：也就是ROM，是存放用户程序（如汇编程序或C程序）的地方，典型的51单片机内部ROM为4KB，若是使用外部ROM可以扩展到64KB。

数据存储器：是存放用户程序运行过程中的中间结果或者运算结果，也就是内部RAM或外部RAM。

5. 51单片机内部RAM

51单片机内部RAM具体要看产品配置。
分为两种情况：
1：如果片内只有128字节的RAM，则访问RAM使用直接或者间接寻址方式，地址为00H-7FH，在80H-FFH的空间分配给了SFR，只能使用直接寻址方式。
2：片内RAM为256字节时，低128字节（00H-7FH）的访问方式为直接和间接寻址方式，高128字节（地址80H-FFH）只能使用间接寻址方式。
SFR的地址也为80H-FFH，但只能使用直接寻址方式。
具体产品有详细的说明书。

6. 单片机内部RAM位地址问题。

该位地址是08H

51单片机内部RAM之中，从字节址20H～2FH，是可位寻址空间，位地址是00H～2FH。
字节址 位地址
2FH 7F、7E、7D、7C、7B、7A、79、78
2EH 77、76、75、74、74、72、71、70
…… ……
21H 0F、0E、0D、0C、0B、0A、09、08
20H 07、06、05、04、03、02、01、00

7. 单片机访问片内RAM问题

单片机读写片内RAM高128位，80H-FFH，对于特殊功能寄存器属于这个地址范围内，也可以看成是RAM，所以，读写寄存器用直接寻址方式，而读写RAM数据存储器时只能用@R0，@R1间接寻址方式。

8. 简述单片机内部RAM地址空间 内部特殊功能寄存器空间 及位寻址空间的区别，如果它们之间存在地址重叠

内部数据存储器低128单元

8051单片机的内部RAM共有256个单元，通常把这256个单元按其功能划分为两部分：低128单元(单元地址00H～7FH)和高128单元(单元地址80H～FFH)。如图所示为低128单元的配置如上图。

寄存器区

8051共有4组寄存器，每组8个寄存单元(各为8)，各组都以R0～R7作寄存单元编号。寄存器常用于存放操作数中间结果等。由于它们的功能及使用不作预先规定，因此称之为通用寄存器，有时也叫工作寄存器。4组通用寄存器占据内部RAM的00H～1FH单元地址。

在任一时刻，CPU只能使用其中的一组寄存器，并且把正在使用的那组寄存器称之为当前寄存器组。到底是哪一组，由程序状态字寄存器PSW中RS1、RS0位的状态组合来决定。

通用寄存器为CPU提供了就近存储数据的便利，有利于提高单片机的运算速度。此外，使用通用寄存器还能提高程序编制的灵活性，因此，在单片机的应用编程中应充分利用这些寄存器，以简化程序设计，提高程序运行速度。

位寻址区

内部RAM的20H～2FH单元，既可作为一般RAM单元使用，进行字节操作，也可以对单元中每一位进行位操作，因此把该区称之为位寻址区。位寻址区共有16个RAM单元，计128位，地址为00H～7FH。MCS-51具有布尔处理机功能，这个位寻址区可以构成布尔处理机的存储空间。这种位寻址能力是MCS-51的一个重要特点。

用户RAM区

在内部RAM低128单元中，通用寄存器占去32个单元，位寻址区占去16个单元，剩下80个单元，这就是供用户使用的一般RAM区，其单元地址为30H～7FH。对用户RAM区的使用没有任何规定或限制，但在一般应用中常把堆栈开辟在此区中。

内部数据存储器高128单元

内部RAM的高128单元是供给专用寄存器使用的，其单元地址为80H～FFH。因这些寄存器的功能已作专门规定，故称之为专用寄存器(Special Function Register)，也可称为特殊功能寄存器。

9. RAM在单片机里面有哪些作用

可以直接访问任一个存储单元，只要知道该单元所在记忆行和记忆列的地址即可。

存储器可分为随机存取存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。随机存取存储器（RAM）既可向指定单元存入信息又可从指定单元读出信息。任何RAM中存储的信息在断电后均会丢失，所以RAM是易失性存储器。

ROM为只读存储器，除了固定存储数据、表格、固化程序外，在组合逻辑电路中也有着广泛用途。

随机存储用途

SRAM：静态随机存取存储器采取多重晶体管设计，通常每个存储单元使用4-6只晶体管，但没有电容器。SRAM主要用于缓存。

DRAM：动态随机存取存储器中每个存储单元由配对出现的晶体管和电容器构成，需要不断地刷新。

FPM DRAM：快速页模式动态随机存取存储器是最早的一种DRAM。在存储器根据行列地址进行位元定位的全程中，FPM DRAM必须处于等待状态，数据读取之后才能开始处理下一位数据。向二级缓存的最高传输速率约为176MB每秒。

EDO DRAM：扩展数据输出动态随机存取存储器在处理前一位数据的过程中无需全程等待，就可以开始处理下一位数据。只要前一位数据的地址定位成功，EDO DRAM就开始为下一位数据寻址。它比FPM快5%左右。向二级缓存的最高传输速率约为264MB每秒。

SDRAM：同步动态随机存取存储器利用了爆发模式的概念，大大提升了性能。

(9)单片机ram地址扩展阅读

当电源关闭时，RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM的工作特点是通电后，随时可在任意位置单元存取数据信息，断电后内部信息也随之消失。

随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1（二进制），未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

10. 单片机的RAM地址中30H中H是什么意思

H 代表着 HEX， hexdecimal，也就是16进制的意思
也就是说30是16进制的30，也就是3*16+0 ，及十进制的 48了。
但在单片机或者微机原理中，地址一般都是以十六进制或者二进制表示，几乎不用十进制